-
公开(公告)号：CN116992801A
公开(公告)日：2023-11-03
申请号：CN202211093426.7
申请日：2022-09-06
Applicant: 杭州电子科技大学 , 北京微电子技术研究所 , 北京卓芯半导体科技有限公司
IPC: G06F30/3308 , G06F119/04
Abstract: 本发明公开了一种考虑TDDB效应的电路评估方法。本发明包括如下步骤：1、首先进行电路仿真，得到该仿真时间段内电路的电压波形；然后根据该波形计算TDDB效应造成电路失效的时间，并将该失效时间转换为退化指标；2、判断步骤1中得到的退化指标是否小于1，若小于1则说明该电路的裕量过小，需重新设计；若大于等于1，说明该电路在TDDB效应的影响下仍可以在设计的裕量下正常工作，未超出预期。本发明基于电压实时波形计算TDDB效应引起的退化，将其转化为退化指标来评估电路性能，具有灵活性、高可靠性以及易于实现的优点，能够在电路超出预期失效时间前准确地给出提示信号，更好地评估TDDB效应对电路性能的影响，有利于在设计阶段加强电路的可靠性。
-
公开(公告)号：CN116633322A
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202310343632.7
申请日：2023-03-31
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: H03K3/3562
Abstract: 本发明一种基于DICE的抗多节点单粒子翻转和时钟信号单粒子翻转的D型锁存器。通过设计由1个C单元及延迟结构组成的输入电路，可以抵抗输入信号的单粒子瞬态脉冲；由4个时钟控制的传输单元、DICE结构组成的锁存电路和由3个C单元及1个反相器组成的输出电路，可以抵抗多节点单粒子翻转；由4个反相器组成的双时钟信号电路使得锁存器可以抵抗时钟信号单粒子翻转。
-
公开(公告)号：CN116545418A
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202310369146.2
申请日：2023-04-07
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: H03K3/3562 , H03K3/011
Abstract: 本发明公开了一种抗单粒子瞬态和抗单粒子翻转的抗辐射加固触发器电路，包括：反相器电路、时钟控制反相器电路、锁存单元、延迟电路和驱动反相器电路；第一反相器电路的输出端接第一时钟控制反相器电路的输入端和延迟电路的输入端；延迟电路的输出端接第二时钟控制反相器电路的输入端；第一时钟控制反相器电路的输出端接第一锁存单元和第三时钟控制反相器电路；第二时钟控制反相器电路的输出端接第一锁存单元和第四时钟控制反相器电路；第四时钟控制反相器电路的输出端接第二锁存单元；第三时钟控制反相器电路的输出端接第二锁存单元和驱动反相器电路。本发明可同时实现抗单粒子翻转加固和抗单粒子瞬态加固。
-
公开(公告)号：CN116298615A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310197034.3
申请日：2023-03-01
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
Abstract: 一种总剂量通用试验系统及方法，系统包括试验架、电源和PC机；试验架包括可移动卡槽、第一线缆接口、可拆式电压表、第二线缆接口、轨道；可移动卡槽安装在轨道上，可移动卡槽承载待测试验板，可移动卡槽能够沿轨道移动；第一线缆接口位于可移动卡槽远离辐射源的一端，第一线缆接口与待测试验板的供电线缆相连；第二线缆接口通过电源线缆与电源相连；在第一线缆接口与第二线缆接口之间连接线缆；可拆式电压表并联在第一线缆接口与第二线缆接口之间；PC机控制电源的输出电压，并监控电源线缆的电流、记录电流数据并生成电流曲线。本发明试验系统体积小、通用性强、效率高、可靠性高、使用成本低。
-
公开(公告)号：CN111008514B
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN201911033483.4
申请日：2019-10-28
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: G06F30/398
Abstract: 一种抗辐射加固模块级电路的仿真测试方法，将现有的商用软件仿真工具和自定义开发技术相结合，最大程度利用已有的辐射试验数据信息，统计区分具有相同库单元结构但功能不同电路的单粒子结果，定义关键因素和影响因子，运用数学统计的方法进行单粒子估计，以模型变量的形式反馈到商用软件仿真工具中，从而增加现有仿真工具的准确度。本发明方法在原有设计流程基础上，增加了抗辐射加固模块级电路单粒子敏感性分析、版图辐射加固设计规则检查、模块级电路单粒子软错误仿真验证环节，为抗辐射加固模块级电路的仿真验证提供参考。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115547401A
公开(公告)日：2022-12-30
申请号：CN202211139602.6
申请日：2022-09-19
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: G11C29/56
Abstract: 本申请涉及阻变存储器领域，具体公开了一种阻变存储器总剂量辐射测试方法，包括：将对多个阻变存储器进行分组，得到M组阻变存储器，每组阻变存储器包括N个阻变存储器，M组阻变存储器分别对应M个初始阻态；对M组阻变存储器进行总剂量辐射实验；对M组阻变存储器进行循环耐受性实验，循环耐受性实验的结果用于指示阻变存储器的与总剂量辐射相关的测试结果。通过该测试方法，可以模拟阻变存储器受到总剂量辐射后的耐受性变化，以对阻变存储器在总剂量辐射环境中的应用提供优化方案。
-
公开(公告)号：CN115437893A
公开(公告)日：2022-12-06
申请号：CN202210853718.X
申请日：2022-07-11
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
Abstract: 本发明公开一种基于聚类分析的集成电路单粒子效应软错误仿真方法，步骤包括：应用VPI获取目标集成电路内部结构与资源信息；对获取的集成电路内部单元信息按功能相关性进行聚类，得到一定数量的簇；对每簇内单元进行以20％‑40％比例进行随机抽样，并生成故障节点列表；构建用于故障注入的集成电路单粒子效应软错误数字信号等效模型，以簇为单位对抽样单元进行故障注入，并监测故障注入是否引发芯片软错误；统计抽样单元的软错误概率；将抽样单元故障注入评估得到的软错误概率作为簇软错误概率。基于簇软错误概率实现对芯片整体软错误概率的评估与敏感区域定位。本发明实现了故障注入样本的优化，提升了仿真效率，可用于集成电路单粒子效应敏感性分析。
-
公开(公告)号：CN115114885B
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN202211036609.5
申请日：2022-08-29
Applicant: 苏州珂晶达电子有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: G06F30/398 , G06F30/394 , G06F30/392
Abstract: 本申请涉及集成电路版图技术领域，具体而言，涉及一种自顶向下的版图层次结构处理方法、装置及存储介质，一定程度上可以解决集成电路版图的处理过程计算量大的问题。本申请实施例通过从初始集成电路版图中获得各初始单元的包围盒；可基于各包围盒的面积，实现从初始单元中筛选出目标单元实现；进一步从目标单元的各第一实例中筛选出有效实例，并满足有效实例位于目标单元的上层单元中，可基于有效实例的可复用区域，其中，可复用区域是有效实例中与上层单元中的第二实例的非重叠区域，实现确定目标集成电路版图。
-
公开(公告)号：CN112951302B
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN202110134691.4
申请日：2021-02-01
Applicant: 北京航空航天大学 , 北京微电子技术研究所
IPC: G11C16/10
Abstract: 本发明提供了一种非易失性存储单元、存储器及设备，包括数据写入模块、第一节点、第二节点、上拉网络、下拉网络和暂存模块；所述数据写入模块分别与所述第一节点和所述第二节点连接，用于分别向所述第一节点和所述第二节点写入第一电平和第二电平；所述上拉网络和所述下拉网络用于保持所述第一节点和所述第二节点的电平；所述暂存模块包括第一磁性存储单元、第二磁性存储单元和加固电路，本发明可以有效避免非易失存储在数据存储和数据备份过程受到SEU干扰，从而提高非易失性存储单元的抗辐射性能及可靠性。
-
公开(公告)号：CN111487472B
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202010247272.7
申请日：2020-03-31
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种测量单粒子瞬态脉冲宽度的电路结构，包括控制电路、衰减单元、延迟单元、驱动Buffer、计数电路。所述的控制电路用于单粒子瞬态脉冲到来后控制此脉冲传输到由此电路和衰减单元、延迟单元、驱动buffer构成的循环结构中。所述的衰减单元用于减小脉冲宽度，延迟单元用于使循环结构的延时宽度大于脉冲宽度。计数电路利用寄存器和加法器实现对脉冲在循环结构中循环的次数的计数，寄存器的时钟信号由脉冲提供不需额外提供，单粒子瞬态脉冲宽度的测量结果是每次循环衰减的量乘以循环的次数。本发明实现的电路结构，可测范围大，测量精度高。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
139
records
(took 0.107 seconds)
