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公开(公告)号：CN108555771A
公开(公告)日：2018-09-21
申请号：CN201810377019.6
申请日：2018-04-25
Applicant: 清华大学 , 天津华海清科机电科技有限公司
IPC: B24B37/013 , B24B37/04 , H01L21/67
CPC classification number: B24B37/013 , B24B37/04 , H01L21/67253
Abstract: 本发明公开了一种CMP终点的确定方法、确定系统和CMP系统，该确定方法包括：获取驱动所述抛光盘的电机负载率随时间变化的数据、所述摆臂的摆动角度随时间变化的数据和所述抛光头相对于所述抛光盘中心的摆动距离随时间变化的数据；进而根据以上数据得到归一化摩擦力矩随时间变化的数据；根据归一化摩擦力矩随时间变化的数据得到所述归一化摩擦力矩随时间变化的曲线；根据曲线确定抛光终点。本发明具有如下优点：不需要复杂的滤波计算，计算量小，能够更加实时准确确定抛光终点，进而提升抛光后的成品质量。
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公开(公告)号：CN105643434B
公开(公告)日：2018-01-12
申请号：CN201610030932.X
申请日：2016-01-18
Applicant: 清华大学 , 天津华海清科机电科技有限公司
IPC: B24B37/34 , B24B27/00 , H01L21/677
Abstract: 本发明公开了一种多工位化学机械抛光系统中晶圆传送的控制方法，包括以下步骤：根据加减分法在线计算每个工位的工位分值；根据每个工位的工位分值确定取片工位；通知机械手从取片工位中取得晶圆，并根据放片的就近原则将晶圆传输至下一个加工工位。本发明实施例的控制方法根据每个工位的工位分值确定取片工位，从而将晶圆及时传输至下一个加工工位，更好地保证了整个工艺的连续进行，提高了化学机械抛光系统的生产效率。
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公开(公告)号：CN105773397B
公开(公告)日：2017-09-29
申请号：CN201610139592.4
申请日：2016-03-09
Applicant: 天津华海清科机电科技有限公司 , 清华大学
IPC: B24B37/005 , B24B49/16
Abstract: 本发明提出一种化学机械抛光多区压力在线控制算法，包括以下步骤：分别获取抛光头的各压力分区的零点偏移量；根据抛光头的各压力分区的零点偏移量，分别对CMP抛光头系统的各路气压传感器的测量值进行修正，并将修正后的测量值作为各路气压传感器的最终输出值；计算各路气压传感器的最终输出值与对应压力分区的预设压力值之间的偏差量；根据偏差量实时计算CMP抛光头系统的相应电气比例阀的控制量；根据控制量对相应电气比例阀的开度进行控制。本发明的控制算法简便有效，方便调节，同时具有较强的适应能力。
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公开(公告)号：CN106298576A
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201610874828.9
申请日：2016-09-30
Applicant: 天津华海清科机电科技有限公司 , 清华大学
Abstract: 本发明提出一种CMP全工艺过程金属膜厚数据的离线处理方法，包括：读取电涡流传感器的输出信号，根据输出信号计算采样信号；设定采样信号的幅度阈值；根据幅度阈值，遍历所有采样信号，以得到全部非零点信号段；计算每个非零点信号段的信号宽度，根据信号宽度确定采样信号的宽度阈值；根据幅度阈值和宽度阈值，重新遍历测量过程中的全部非零信号段，提取有效测量信号段，计算每个有效测量信号段的中心区间的全部数据点的平均值；根据平均值得到CMP全工艺过程金属膜厚的变化信息。本发明可有效消除测量过程中的干扰信号和部分异常信号的影响，能够简洁高效地计算出真实的铜层厚度变化，且计算结果精确度高。
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公开(公告)号：CN103324131A
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：CN201310204691.2
申请日：2013-05-28
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明公开一种晶圆铜膜厚度在线测量模块控制系统，采用上层控制系统和底层控制系统的两级控制模式，两层控制系统之间通过工业以太网实现物理连接。其中，底层控制系统利用可编程逻辑控制器PLC，负责直接控制化学机械抛光单元的在线测量模块，并建立专用的存储区临时存储测量模块在工艺过程中采集到的数据。上层控制系统采用工控机IPC，通过底层控制系统监控在线测量模块的运行，并利用OPC技术主动读取底层存储区中的数据，完成数据的处理，为工艺人员提供操作软件。基于工艺需求，本发明的控制系统设置了标定和测量两种模式，并可分组存储多个标定表以消除不同工艺配方对测量结果的影响。本发明具有无损测试、操作简单、便于维护、良好的可扩展性以及安全可靠的优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114473843A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202111658914.3
申请日：2021-12-30
Applicant: 清华大学 , 华海清科股份有限公司
IPC: B24B37/005 , B24B37/013 , B24B37/04 , B24B37/34 , B24B49/10
Abstract: 本发明公开了一种金属膜厚测量方法和化学机械抛光设备，其中方法包括：根据待测的金属薄膜的材质，确定膜厚测量装置在该材质下的标定关系，其中，所述标定关系用于表征K值与金属膜厚的映射关系，所述K值用于表征所述膜厚测量装置的输出信号的虚部与实部的比值；使用所述膜厚测量装置探测所述待测的金属薄膜，采集所述膜厚测量装置的输出信号并计算K值；根据计算的K值和所述标定关系，确定所述待测的金属薄膜的膜厚。
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公开(公告)号：CN110509178B
公开(公告)日：2021-08-10
申请号：CN201910873451.9
申请日：2019-09-17
Applicant: 清华大学 , 华海清科股份有限公司
IPC: B24B37/005 , B24B37/013 , B24B49/12
Abstract: 本发明提供了一种用于半导体基板的化学机械抛光方法、装置，其中装置包括：抛光盘，其覆盖有用于对基板进行抛光的抛光垫；承载头，用于保持基板并将基板按压在所述抛光垫上；光学传感器，用于对基板表面进行检测以得到光学测量值；控制模块，用于利用光学传感器进行检测以得到与基板表面的材料分布相关的光学测量值，并根据基板表面不同区域对应的光学测量值变化判断抛光是否有异常。本发明实现了抛光均匀性的监测。
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公开(公告)号：CN110044249B
公开(公告)日：2020-09-15
申请号：CN201910365388.8
申请日：2019-04-30
Applicant: 清华大学 , 华海清科股份有限公司
IPC: G01B7/06 , B24B37/005 , B24B37/04
Abstract: 本发明适用于化学机械抛光技术领域，提供了一种膜厚测量方法、系统及化学机械抛光装置，其中方法包括：获取膜厚传感器的输出信号与晶圆膜厚的映射关系；利用所述映射关系，将所述膜厚传感器在线测量时输出的信号值转换为膜厚值。实现了快速而准确的在线膜厚测量。
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公开(公告)号：CN110509178A
公开(公告)日：2019-11-29
申请号：CN201910873451.9
申请日：2019-09-17
Applicant: 清华大学 , 天津华海清科机电科技有限公司
IPC: B24B37/005 , B24B37/013 , B24B49/12
Abstract: 本发明提供了一种用于半导体基板的化学机械抛光方法、装置，其中装置包括：抛光盘，其覆盖有用于对基板进行抛光的抛光垫；承载头，用于保持基板并将基板按压在所述抛光垫上；光学传感器，用于对基板表面进行检测以得到光学测量值；控制模块，用于利用光学传感器进行检测以得到与基板表面的材料分布相关的光学测量值，并根据基板表面不同区域对应的光学测量值变化判断抛光是否有异常。本发明实现了抛光均匀性的监测。
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公开(公告)号：CN110207584A
公开(公告)日：2019-09-06
申请号：CN201910365399.6
申请日：2019-04-30
Applicant: 清华大学
IPC: G01B7/06 , B24B37/005 , B24B37/04
Abstract: 本发明适用于化学机械抛光技术领域，提供了一种膜厚测量方法、系统及化学机械抛光装置，其中方法包括：根据离线采集的晶圆膜厚信息以及在抛光期间使用膜厚传感器进行动态测量时输出的信号值，获取输出信号与晶圆膜厚的映射关系；并利用所述映射关系，将所述膜厚传感器在线测量时输出的信号值转换为膜厚值。
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