物质成分测定装置
    12.
    发明授权

    公开(公告)号:CN101082594B

    公开(公告)日:2010-12-15

    申请号:CN200710118470.8

    申请日:2007-07-06

    Applicant: 清华大学

    Abstract: 物质成分测定装置,属于物质成分快速检测装置技术领域。包括离子源(2)、迁移管(12)、上离子探测器(5)、信号处理电路(6)等。离子源(2)位于迁移管入口处;高场非对称波形电源(8)与微控制器(7)相连,离子探测器(5)与信号处理电路(6)相连,信号处理电路(6)与微控制器(7)相连。待测样品在载气的带动下到达离子源(2)被电离进入迁移管(12)。在电场作用下离子被探测器(5)检测到,经过微控制器等处理,就可以测定待测样品的化学成分。本发明具有微型化、低功耗、高可靠性、高集成度、高灵敏度、快速等特点,不仅适用于现场实时探测生化战剂和爆炸物,还适用于毒品检测、物质分析、药物提取、环境污染监测等。

    一种闪存芯片的缺陷检测方法及系统

    公开(公告)号:CN114220475B

    公开(公告)日:2024-10-29

    申请号:CN202111533669.3

    申请日:2021-12-15

    Inventor: 杨柳 王志刚

    Abstract: 本申请公开了一种闪存芯片的缺陷检测方法及系统,按照在相同位线上依次选取不同字线的方式进行扫描读取,对于任一条位线,如果该位线上没有缺陷存储单元,则该位线的输出结果为第一输出结果,只要该位线上有一个缺陷存储单元,则该位线的输出结果就被锁定为第二输出结果,可见,每条位线只需要输出一个输出结果,而不必像现有技术那样,需要将所有的存储单元的存储数据全部输出,因此,与现有技术相比,该方法输出的数据量缩小了几个数量级,而且,每一条位线的输出结果反映了该条位线中是否存在缺陷存储单元,因此,该方法也无需像现有技术那样再对输出数据进行缺陷地址分析,从而大大提高闪存芯片中缺陷的检测速度,减少测试成本。

    一种检测电路及检测设备
    16.
    实用新型

    公开(公告)号:CN207992366U

    公开(公告)日:2018-10-19

    申请号:CN201820593405.4

    申请日:2018-04-23

    Inventor: 任维强 王志刚

    Abstract: 本实用新型公开了一种检测电路及检测设备,基于芯片中的ESD保护电路,包括第一二极管和第二二极管,第一二极管的阳极与第二二极管的阴极连接,第一二极管的阴极与芯片的供电端连接,第二二极管的阳极与芯片的接地端连接,检测电路包括:第一电路的一端与芯片的供电端连接,第一电路的另一端与第一电压输入端连接,第二电路的一端与芯片的接地端连接,第二电路的另一端与第二电压输入端连接,第三电路的一端与芯片的接地端连接,第三电路的另一端接地连接,测试模块与第一二极管的阳极和第二二极管的阴极的连接节点连接。该检测电路通过结合待检测芯片内ESD保护电路中的二极管进行连通性检测,检测结果安全可靠,且电路结构简单。

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