公开(公告)号：CN113380306A

公开(公告)日：2021-09-10

申请号：CN202110782002.0

申请日：2021-07-09

Applicant: 珠海深圳清华大学研究院创新中心

Inventor： 边雅倩 ,  杨柳 ,  王志刚

IPC: G11C16/30 ,  G11C16/06

Abstract: 本发明公开了一种NorFlash芯片参考电流调节方法及系统，方法包括：判断NorFlash芯片的初始电流是否小于目标电流，若是，则：基于擦除电压对NorFlash芯片进行擦除操作，直至经过擦除操作后的NorFlash芯片的电流大于目标电流；基于编程初始电压对NorFlash芯片进行进行编程操作，得到经过初次编程操作后的NorFlash芯片的第一电流；计算第一电流与目标电流的第一差值；判断第一差值是否大于预设值，若是，则基于第一编程电压对NorFlash芯片进行编程操作，若否，则：基于第二编程电压对NorFlash芯片进行编程操作。本发明能够根据NorFlash芯片不同的电流值，灵活采用不同的调节方式，有效减少了操作次数，提高了效率，降低了成本。

公开(公告)号：CN114220475A

公开(公告)日：2022-03-22

申请号：CN202111533669.3

申请日：2021-12-15

Applicant: 珠海深圳清华大学研究院创新中心

Inventor： 杨柳 ,  王志刚

IPC: G11C29/56

Abstract: 本申请公开了一种闪存芯片的缺陷检测方法及系统，按照在相同位线上依次选取不同字线的方式进行扫描读取，对于任一条位线，如果该位线上没有缺陷存储单元，则该位线的输出结果为第一输出结果，只要该位线上有一个缺陷存储单元，则该位线的输出结果就被锁定为第二输出结果，可见，每条位线只需要输出一个输出结果，而不必像现有技术那样，需要将所有的存储单元的存储数据全部输出，因此，与现有技术相比，该方法输出的数据量缩小了几个数量级，而且，每一条位线的输出结果反映了该条位线中是否存在缺陷存储单元，因此，该方法也无需像现有技术那样再对输出数据进行缺陷地址分析，从而大大提高闪存芯片中缺陷的检测速度，减少测试成本。

公开(公告)号：CN108519541A

公开(公告)日：2018-09-11

申请号：CN201810366996.6

申请日：2018-04-23

Applicant: 珠海深圳清华大学研究院创新中心

Inventor： 任维强 ,  王志刚

IPC: G01R31/04

Abstract: 本发明公开了一种检测电路及检测设备，基于芯片中的ESD保护电路，包括第一二极管和第二二极管，第一二极管的阳极与第二二极管的阴极连接，第一二极管的阴极与芯片的供电端连接，第二二极管的阳极与芯片的接地端连接，检测电路包括：第一电路的一端与芯片的供电端连接，第一电路的另一端与第一电压输入端连接，第二电路的一端与芯片的接地端连接，第二电路的另一端与第二电压输入端连接，第三电路的一端与芯片的接地端连接，第三电路的另一端接地连接，测试模块与第一二极管的阳极和第二二极管的阴极的连接节点连接。该检测电路通过结合待检测芯片内ESD保护电路中的二极管进行连通性检测，检测结果安全可靠，且电路结构简单。

公开(公告)号：CN114220475B

公开(公告)日：2024-10-29

申请号：CN202111533669.3

申请日：2021-12-15

Applicant: 珠海深圳清华大学研究院创新中心

Inventor： 杨柳 ,  王志刚

IPC: G11C29/56

Abstract: 本申请公开了一种闪存芯片的缺陷检测方法及系统，按照在相同位线上依次选取不同字线的方式进行扫描读取，对于任一条位线，如果该位线上没有缺陷存储单元，则该位线的输出结果为第一输出结果，只要该位线上有一个缺陷存储单元，则该位线的输出结果就被锁定为第二输出结果，可见，每条位线只需要输出一个输出结果，而不必像现有技术那样，需要将所有的存储单元的存储数据全部输出，因此，与现有技术相比，该方法输出的数据量缩小了几个数量级，而且，每一条位线的输出结果反映了该条位线中是否存在缺陷存储单元，因此，该方法也无需像现有技术那样再对输出数据进行缺陷地址分析，从而大大提高闪存芯片中缺陷的检测速度，减少测试成本。

公开(公告)号：CN207992366U

公开(公告)日：2018-10-19

申请号：CN201820593405.4

申请日：2018-04-23

Applicant: 珠海深圳清华大学研究院创新中心

Inventor： 任维强 ,  王志刚

IPC: G01R31/04

Abstract: 本实用新型公开了一种检测电路及检测设备，基于芯片中的ESD保护电路，包括第一二极管和第二二极管，第一二极管的阳极与第二二极管的阴极连接，第一二极管的阴极与芯片的供电端连接，第二二极管的阳极与芯片的接地端连接，检测电路包括：第一电路的一端与芯片的供电端连接，第一电路的另一端与第一电压输入端连接，第二电路的一端与芯片的接地端连接，第二电路的另一端与第二电压输入端连接，第三电路的一端与芯片的接地端连接，第三电路的另一端接地连接，测试模块与第一二极管的阳极和第二二极管的阴极的连接节点连接。该检测电路通过结合待检测芯片内ESD保护电路中的二极管进行连通性检测，检测结果安全可靠，且电路结构简单。