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公开(公告)号：CN113380306A
公开(公告)日：2021-09-10
申请号：CN202110782002.0
申请日：2021-07-09
Applicant: 珠海深圳清华大学研究院创新中心
Abstract: 本发明公开了一种NorFlash芯片参考电流调节方法及系统，方法包括：判断NorFlash芯片的初始电流是否小于目标电流，若是，则：基于擦除电压对NorFlash芯片进行擦除操作，直至经过擦除操作后的NorFlash芯片的电流大于目标电流；基于编程初始电压对NorFlash芯片进行进行编程操作，得到经过初次编程操作后的NorFlash芯片的第一电流；计算第一电流与目标电流的第一差值；判断第一差值是否大于预设值，若是，则基于第一编程电压对NorFlash芯片进行编程操作，若否，则：基于第二编程电压对NorFlash芯片进行编程操作。本发明能够根据NorFlash芯片不同的电流值，灵活采用不同的调节方式，有效减少了操作次数，提高了效率，降低了成本。
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公开(公告)号：CN105824802B
公开(公告)日：2018-10-30
申请号：CN201610197184.4
申请日：2016-03-31
Applicant: 清华大学
IPC: G06F17/27
Abstract: 本发明公开一种获取知识图谱向量化表示的方法以及装置。其中，所述方法包括：根据待处理的知识图谱，使用实体标注工具标注给定辅助文本语料中属于知识图谱中存在的实体，得到实体标注的文本语料；基于所述文本语料，构建由词和实体组成的共现网络，以将所述辅助文本语料的文本信息和所述知识图谱的实体信息进行关联，进而学习得到文本上下文嵌入表示；根据所述文本上下文嵌入表示对所述知识谱图中实体和关系的嵌入表示分别进行建模，得到所述知识图谱的嵌入表示模型；使用随机梯度下降法训练所述嵌入表示模型，得到所述知识图谱中实体和关系的嵌入表示。本发明不仅能提高关系的表示能力，而且还能有效地解决知识图谱稀疏性带来的表示效果不足的问题。
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公开(公告)号：CN103336852B
公开(公告)日：2017-04-05
申请号：CN201310314435.9
申请日：2013-07-24
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明公开了一种跨语言本体构建方法，所述方法包括以下步骤：对于两个异构跨语言在线百科数据库，各自学习一个带有置信度输出的二元分类函数，根据学习得到的本体构建函数构建各自的单语言本体；对于两个单语言本体，学习一个新的带有置信度输出的二元分类函数，根据学习得到的实例匹配函数发现跨语言等价关系；重复执行上述两步，在每次迭代中，使用跨语言验证方法校验并调整本体构建函数和实例匹配函数，以相互提高其学习效果，进而增量式构建一个高质量的、大规模的跨语言本体。本发明同时公开了一种跨语言本体构建装置，包括以下模块：单语言本体构建模块；跨语言等价关系关联模块；迭代模块。
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公开(公告)号：CN105824802A
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201610197184.4
申请日：2016-03-31
Applicant: 清华大学
IPC: G06F17/27
CPC classification number: G06F17/2705
Abstract: 本发明公开一种获取知识图谱向量化表示的方法以及装置。其中，所述方法包括：根据待处理的知识图谱，使用实体标注工具标注给定辅助文本语料中属于知识图谱中存在的实体，得到实体标注的文本语料；基于所述文本语料，构建由词和实体组成的共现网络，以将所述辅助文本语料的文本信息和所述知识图谱的实体信息进行关联，进而学习得到文本上下文嵌入表示；根据所述文本上下文嵌入表示对所述知识谱图中实体和关系的嵌入表示分别进行建模，得到所述知识图谱的嵌入表示模型；使用随机梯度下降法训练所述嵌入表示模型，得到所述知识图谱中实体和关系的嵌入表示。本发明不仅能提高关系的表示能力，而且还能有效地解决知识图谱稀疏性带来的表示效果不足的问题。
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公开(公告)号：CN103336852A
公开(公告)日：2013-10-02
申请号：CN201310314435.9
申请日：2013-07-24
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明公开了一种跨语言本体构建方法，所述方法包括以下步骤：对于两个异构跨语言在线百科数据库，各自学习一个带有置信度输出的二元分类函数，根据学习得到的本体构建函数构建各自的单语言本体；对于两个单语言本体，学习一个新的带有置信度输出的二元分类函数，根据学习得到的实例匹配函数发现跨语言等价关系；重复执行上述两步，在每次迭代中，使用跨语言验证方法校验并调整本体构建函数和实例匹配函数，以相互提高其学习效果，进而增量式构建一个高质量的、大规模的跨语言本体。本发明同时公开了一种跨语言本体构建装置，包括以下模块：单语言本体构建模块；跨语言等价关系关联模块；迭代模块。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114220475A
公开(公告)日：2022-03-22
申请号：CN202111533669.3
申请日：2021-12-15
Applicant: 珠海深圳清华大学研究院创新中心
IPC: G11C29/56
Abstract: 本申请公开了一种闪存芯片的缺陷检测方法及系统，按照在相同位线上依次选取不同字线的方式进行扫描读取，对于任一条位线，如果该位线上没有缺陷存储单元，则该位线的输出结果为第一输出结果，只要该位线上有一个缺陷存储单元，则该位线的输出结果就被锁定为第二输出结果，可见，每条位线只需要输出一个输出结果，而不必像现有技术那样，需要将所有的存储单元的存储数据全部输出，因此，与现有技术相比，该方法输出的数据量缩小了几个数量级，而且，每一条位线的输出结果反映了该条位线中是否存在缺陷存储单元，因此，该方法也无需像现有技术那样再对输出数据进行缺陷地址分析，从而大大提高闪存芯片中缺陷的检测速度，减少测试成本。
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公开(公告)号：CN107068457B
公开(公告)日：2019-08-13
申请号：CN201710335958.X
申请日：2017-05-12
Applicant: 平高集团有限公司 , 国家电网公司 , 国网山东省电力公司检修公司 , 清华大学 , 中国电力科学研究院
Abstract: 本发明涉及一种自带VFTO抑制功能的开关，自带VFTO抑制功能的开关包括筒体，筒体内设有动端触座、静端触座，所述开关还包括用于抑制VFTO的磁环单元，筒体的筒壁上于动端触座和/或静端触座的径向外侧设有供母线连接的转接端子，所述转接端子与相应的动端触座或静端触座之间通过径向导电杆连接，所述磁环单元套设在所述径向导电杆上，磁环单元的数量能够在径向导电杆上沿筒体的轴向或径向增加，大大提高了磁环布置的灵活性，合理利用筒体内部的空间，产生的VFTO经过相应的动端触座或静端触座直接传递到径向导电杆上的磁环单元上，抑制效果较好，而且磁环单元布置的位置距离隔离断口较近，有利于减少磁环使用量。
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公开(公告)号：CN108519541A
公开(公告)日：2018-09-11
申请号：CN201810366996.6
申请日：2018-04-23
Applicant: 珠海深圳清华大学研究院创新中心
IPC: G01R31/04
Abstract: 本发明公开了一种检测电路及检测设备，基于芯片中的ESD保护电路，包括第一二极管和第二二极管，第一二极管的阳极与第二二极管的阴极连接，第一二极管的阴极与芯片的供电端连接，第二二极管的阳极与芯片的接地端连接，检测电路包括：第一电路的一端与芯片的供电端连接，第一电路的另一端与第一电压输入端连接，第二电路的一端与芯片的接地端连接，第二电路的另一端与第二电压输入端连接，第三电路的一端与芯片的接地端连接，第三电路的另一端接地连接，测试模块与第一二极管的阳极和第二二极管的阴极的连接节点连接。该检测电路通过结合待检测芯片内ESD保护电路中的二极管进行连通性检测，检测结果安全可靠，且电路结构简单。
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公开(公告)号：CN101082594A
公开(公告)日：2007-12-05
申请号：CN200710118470.8
申请日：2007-07-06
Applicant: 清华大学
IPC: G01N23/00
Abstract: 物质成分测定装置，属于物质成分快速检测装置技术领域。包括离子源(2)、迁移管(12)、上离子探测器(5)、信号处理电路(6)等。离子源(2)位于迁移管入口处；高场非对称波形电源(8)与微控制器(7)相连，离子探测器(5)与信号处理电路(6)相连，信号处理电路(6)与微控制器(7)相连。待测样品在载气的带动下到达离子源(2)被电离进入迁移管(12)。在电场作用下离子被探测器(5)检测到，经过微控制器等处理，就可以测定待测样品的化学成分。本发明具有微型化、低功耗、高可靠性、高集成度、高灵敏度、快速等特点，不仅适用于现场实时探测生化战剂和爆炸物，还适用于毒品检测、物质分析、药物提取、环境污染监测等。
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公开(公告)号：CN110911214B
公开(公告)日：2021-12-10
申请号：CN201811076264.X
申请日：2018-09-14
Applicant: 平高集团有限公司 , 国家电网有限公司 , 国网江苏省电力有限公司电力科学研究院 , 清华大学
IPC: H01H33/24
Abstract: 本发明涉及一种可抑制VFTO的隔离开关及其动触头，动触头包括触头本体，触头本体的插接端设有沿插接方向延伸的针状电极，针状电极用于与静触头的对应端面形成电晕放电结构，以在动触头和静触头分合闸相对移动时产生电晕放电，而释放与动触头连接的空载母线上的直流残压。能够通过降低残余直流电压的方式降低最大间隙击穿电压，从而破坏产生高幅值VFTO的条件。而且这种方法不会引入新的零部件，如阻尼电阻或高频磁环等，只需要在动触头和静触头之间设置不均匀电场即可有效的抑制VFTO，同时保证高可靠性。降低了GIS结构的复杂程度，减少了故障隐患，提高了抑制VFTO性能的可靠性，降低成本。
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