公开(公告)号：CN103000677A

公开(公告)日：2013-03-27

申请号：CN201210535538.3

申请日：2012-12-12

Applicant: 清华大学

Inventor： 王玉东 ,  付军 ,  崔杰 ,  赵悦 ,  张伟 ,  刘志弘 ,  吴正立 ,  李高庆

IPC: H01L29/73 ,  H01L29/08 ,  H01L21/331

Abstract: 本发明公开一种带有隔离氧化层的侧向双极晶体管及其制备方法，为解决现有器件中收集区面积过大的缺陷而设计。本发明带有隔离氧化层的侧向双极晶体管包括发射区、本征基区、收集区、发射区介质层、外基区、基区介质层以及衬底复合介质层。衬底复合介质层包括氧化硅层和氮化硅层。本征基区位于衬底复合介质层的上方，收集区位于衬底复合介质层的上方。本征基区的材料为硅、锗硅或锗硅碳。本发明带有隔离氧化层的侧向双极晶体管及其制备方法有效地减小了收集区的面积，降低了器件的收集区寄生电容，有助于减少辐照对于器件的影响。工艺步骤简明，对设备等技术条件要求低，适于大规模的产线生产。

公开(公告)号：CN103000676A

公开(公告)日：2013-03-27

申请号：CN201210535471.3

申请日：2012-12-12

Applicant: 清华大学

Inventor： 王玉东 ,  付军 ,  崔杰 ,  赵悦 ,  张伟 ,  刘志弘 ,  吴正立 ,  李高庆

IPC: H01L29/73 ,  H01L29/08 ,  H01L29/10 ,  H01L21/331

Abstract: 本发明公开一种侧向双极晶体管及其制备方法，为解决现有器件中收集区面积过大的缺陷而设计。本发明侧向双极晶体管包括发射区、本征基区、收集区、发射极介质层、外基区、基区介质层和衬底介质层。衬底介质层环绕发射区并延伸进入发射区。本征基区位于基区介质层的下方，且位于衬底介质层的上方。收集区位于衬底介质层的上方。本发明侧向双极晶体管的制备方法实现了本发明侧向双极晶体管。本发明侧向双极晶体管有效地减小了收集区的面积，降低了器件的收集区寄生电容，有助于减少辐照对于器件的影响。本发明侧向双极晶体管的制备方法工艺步骤简明，对设备等技术条件要求低，适于大规模的产线生产。

公开(公告)号：CN102768973A

公开(公告)日：2012-11-07

申请号：CN201210254714.6

申请日：2012-07-20

Applicant: 清华大学

Inventor： 严利人 ,  刘志弘 ,  周卫 ,  张伟 ,  王玉东 ,  付军 ,  崔杰

IPC: H01L21/67 ,  H01J37/317 ,  B23K26/00

Abstract: 本发明属于半导体制造装置和方法技术领域，特别涉及一种用于离子注入的激光辅助装置及其使用方法。本发明在离子注入机外部设置激光器，通过透明窗射入到离子注入机内部，又经过透明窗内侧设置的激光反射镜作用，射至晶圆片表面，激光光束的截面积大于离子注入束，离子注入束包含在激光光束中，两个加工束同时施加到晶圆片表面，进行离子注入。本发明在原有离子注入机的基础上，添加外部激光器和部分光学部件，所实施的改动量小，方便实现；相对于辅助加热的方式，激光束对于晶圆片的作用是局部的，仅是处理离子束的注入处，能源的使用效率高；此外，通过采取挡板，可以保护离子注入机内的传感器等关键性的部件，这一点传统的加热方式无法实现。

公开(公告)号：CN102651390A

公开(公告)日：2012-08-29

申请号：CN201210153148.X

申请日：2012-05-16

Applicant: 清华大学

Inventor： 王玉东 ,  付军 ,  崔杰 ,  赵悦 ,  刘志弘 ,  张伟 ,  吴正立 ,  许平

IPC: H01L29/73 ,  H01L29/10 ,  H01L21/331

Abstract: 本发明公开一种嵌入式外延外基区双极晶体管，为解决现有结构存在TED效应问题而设计。本发明嵌入式外延外基区双极晶体管至少包括集电区、集电区上的基区和外基区，基区上的发射极，以及发射极两侧的侧墙，外基区采用原位掺杂选择性外延工艺生长而成，而且嵌入在所述集电区内。本发明提供一种嵌入式外延外基区双极晶体管的制备方法。本发明嵌入式外延外基区双极晶体管避免了TED效应，同时也降低了器件的外基区电阻，使器件的性能得到提升。本发明嵌入式外延外基区双极晶体管的制备方法实现了上述嵌入式外延外基区双极晶体管结构，步骤简练，成本低，操作简易，所得结构性能良好。

公开(公告)号：CN101552200B

公开(公告)日：2011-11-09

申请号：CN200810241108.4

申请日：2008-12-30

Applicant: 清华大学

Inventor： 付军 ,  张伟 ,  严利人 ,  王玉东 ,  许平 ,  蒋志 ,  钱佩信

IPC: H01L21/331

Abstract: 本发明公开了属于半导体器件制备技术领域的一种适用于双极晶体管或异质结双极晶体管的选择性隐埋集电区结构的制备方法。所述制备方法是利用器件发射区窗口掩膜版，通过光刻在光刻胶上形成窗口，然后利用大剂量离子注入向该窗口内注入扩散较快的第一导电类型的杂质离子，在重掺杂第一导电类型的集电区衬底或重掺杂第一导电类型的集电区埋层中形成掺杂浓度更高的第一导电类型的附加局部集电区隐埋层，并以此为扩散源，在随后生长低掺杂集电区外延层或热处理过程中向器件发射区窗口扩散、延伸形成杂质浓度呈倒梯度分布的局部选择性隐埋集电区结构，从而同时提高器件的fT和fmax，本发明在常规设备及工艺条件下，无需高能离子注入设备即可实现。

公开(公告)号：CN117195804A

公开(公告)日：2023-12-08

申请号：CN202311130659.4

申请日：2023-09-04

Applicant: 北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司 ,  清华大学

Inventor： 付军 ,  谢双文

IPC: G06F30/367

Abstract: 本申请实施例提供一种通用的非对称平面螺旋电感的等效电路建模方法及装置，本申请能够通过一种通用的非对称平面螺旋电感的等效电路建模方法，所述方法基于现有的电感等效电路模型：将任意多边形非对称平面螺旋电感等效为正多边形非等宽共心闭合金属，根据等效结果一一确定等效电路中各个元件的参数。本方法适用于非对称平面螺旋电感，且不同多边形电感的元件参数有统一的计算形式，简化了非对称平面螺旋电感的建模过程，可以应用于非对称平面螺旋电感的初步分析和设计。

公开(公告)号：CN115630597A

公开(公告)日：2023-01-20

申请号：CN202211332467.7

申请日：2022-10-28

Applicant: 清华大学

Inventor： 谢双文 ,  付军

IPC: G06F30/367

Abstract: 本发明提供一种片上非等宽螺旋电感计算方法及装置，涉及射频电路设计技术领域。该方法包括：对片上非等宽螺旋电感进行等效处理，得到相等圈数的正多边形闭合共心金属导体，根据片上非等宽螺旋电感的螺旋版图参数和金属相关信息确定正多边形闭合共心金属导体相关参数；根据正多边形闭合共心金属导体相关参数和金属相关信息确定等效后各圈金属的直径相关信息，以及等效后各圈金属之间的中心间距，并根据预设对应关系确定与正多边形闭合共心金属导体的边数相对应的电感计算相关系数；构建电感矩阵，并根据电感矩阵中的各矩阵元素计算片上非等宽螺旋电感。本发明实施例提供的方法和装置，能够方便和准确地计算片上非等宽螺旋电感。

公开(公告)号：CN103000680B

公开(公告)日：2015-06-17

申请号：CN201210551538.2

申请日：2012-12-18

Applicant: 清华大学

Inventor： 赵悦 ,  付军 ,  王玉东 ,  崔杰 ,  张伟 ,  刘志弘 ,  李高庆 ,  许平

IPC: H01L29/737 ,  H01L29/40 ,  H01L21/331

Abstract: 本发明公开一种具有电极屏蔽结构的异质结双极晶体管及其制备方法，为解决现有产品输出输入电容大的缺陷而设计。本发明具有电极屏蔽结构的异质结双极晶体管包括衬底、埋层、外延层、集电极引出区、场氧层、本征基区、集电极多晶硅引出部、集电极、外基区多晶硅引出部、发射极多晶硅引出部、基极、以及发射极。在集电极与基极之间、或发射极与基极之间设置由导电材料制成的导电屏蔽层。本发明具有电极屏蔽结构的异质结双极晶体管及其制备方法有效地降低器件的输出输入电容，屏蔽输出端与输入端之间的反馈电容，改善晶体管高频性能，减小晶体管放大器的振荡和传输延迟，提高电路速度，适用于硅或锗硅异质结双极晶体管。

公开(公告)号：CN103000679B

公开(公告)日：2015-05-06

申请号：CN201210558553.X

申请日：2012-12-20

Applicant: 清华大学

Inventor： 付军 ,  王玉东 ,  崔杰 ,  赵悦 ,  张伟 ,  刘志弘 ,  许平

IPC: H01L29/73 ,  H01L29/08 ,  H01L29/06 ,  H01L21/331

Abstract: 本发明公开一种低电阻多晶连接基区全自对准双极晶体管及其制备方法，为解决现有产品及方法不能有效减小基极电阻RB的缺点而发明。本发明低电阻多晶连接基区全自对准双极晶体管包括衬底、硅埋层集电区、硅外延层、硅集电极引出区、场区介质层、选择注入集电区、本征基区外延层、单晶发射区、发射区-基区隔离介质区、多晶发射区、抬升外基区、以及氧化硅隔离介质层。抬升外基区包括多晶硅层、多晶硅侧墙和Si/SiGe/Si多晶层。本发明低电阻多晶连接基区全自对准双极晶体管及其制备方法在保持了现有技术所具有的较低CBC这一优点的同时进一步减小了RB，从而能够进一步优化器件性能。

公开(公告)号：CN102651384B

公开(公告)日：2014-09-17

申请号：CN201210153410.0

申请日：2012-05-16

Applicant: 清华大学

Inventor： 王玉东 ,  付军 ,  崔杰 ,  赵悦 ,  刘志弘 ,  张伟 ,  李高庆 ,  吴正立 ,  许平

IPC: H01L29/10 ,  H01L29/732 ,  H01L21/331

Abstract: 本发明公开一种嵌入式外延外基区双极晶体管，为解决现有结构存在TED效应问题而设计。本发明嵌入式外延外基区双极晶体管至少包括集电区、集电区上的基区和外基区、基区上的发射极、以及发射极两侧的侧墙，所述外基区采用原位掺杂选择性外延工艺生长而成，而且嵌入在集电区内。外基区的一部分位于侧墙的下方。外基区在基区上产生应力。本发明提供一种嵌入式外延外基区双极晶体管的制备方法。本发明嵌入式外延外基区双极晶体管避免了TED效应，同时也降低了器件的外基区电阻，使器件的性能得到提升。本发明嵌入式外延外基区双极晶体管的制备方法实现了上述嵌入式外延外基区双极晶体管结构，步骤简练，成本低，操作简易，所得结构性能良好。