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公开(公告)号：CN120051013A
公开(公告)日：2025-05-27
申请号：CN202411671910.2
申请日：2024-11-21
Applicant: 浜松光子学株式会社
Inventor： 上野山聪
IPC: H10F30/225 , H10F77/30 , H10F39/18
Abstract: 本发明提供一种光检测元件，其包括：具有供光入射的光入射表面的雪崩光电二极管；和通过表面等离子体共振使光衍射的等离子体构造部。雪崩光电二极管具有：p型的第1半导体区域；和n型的第2半导体区域，其形成在第1半导体区域的与光入射表面相反的一侧，与第1半导体区域形成pn结。等离子体构造部具有在第1半导体区域上排列的多个单位构造体。多个单位构造体各自具有：光入射表面的相反侧的顶面；与光入射表面相对的底面；和与顶面及底面连接的侧面。多个单位构造体的各自的高度为100nm以上且250nm以下。
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公开(公告)号：CN118901171A
公开(公告)日：2024-11-05
申请号：CN202380026095.1
申请日：2023-02-27
Applicant: 浜松光子学株式会社
Abstract: 本发明提供一种相位分布设计方法，在第二步骤中，将振幅分布(211)替换为目标振幅分布(214)后的实空间的函数(213)通过傅立叶变换(B6)，变换为包含振幅分布(221)以及相位分布(222)的波数空间的函数(223)。在第三步骤中，使函数(223)的相位分布(222)与两个以上的相位调制区域中的一个相位调制区域中的函数(223)的相位分布(222)一致，将函数(223)的振幅分布(221)替换为目标振幅分布(204)，将函数(223)通过傅立叶逆变换(B2)，变换为包含振幅分布(231)以及相位分布(232)的实空间的函数(233)。之后，一边将第二步骤的函数(213)替换为函数(233)一边重复第二步骤以及第三步骤。将由最后的第三步骤进行傅立叶逆变换的函数(233)的相位分布(232)设为各相位调制区域的相位分布。
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公开(公告)号：CN112262508B
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN201980038651.0
申请日：2019-06-04
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H01S5/18
Abstract: 本发明一个实施方式涉及的发光装置降低S‑iPM激光器的输出中包含的0次光。该发光装置具备发光部和相位调制层，相位调制层具有基本层和分别包含多个异折射率要素的多个异折射率区域。以设定于相位调制层上的假想的正方晶格的晶格点为中心的各单位构成区域中，从对应的晶格点至异折射率要素的各重心的距离大于晶格间隔的0.30倍且为0.50倍以下。此外，从对应的晶格点至异折射率要素整体的重心的距离大于0且为晶格间隔的0.30倍以下。
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公开(公告)号：CN116547564A
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202180073741.0
申请日：2021-09-03
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: G01T1/161
Abstract: 本发明的光检测器(4)，具备：半导体光检测元件(6)，其具有二维配置的多个光检测部(10)及读出配线；多个金属透镜(8)，它们配置于半导体光检测元件(6)的表面(6a)上。多个光检测部(10)分别具有：雪崩光电二极管(APD)，其包含第一半导体区域(12)、及与第一半导体区域(12)构成PN结的第二半导体区域(13)；淬灭电阻，其包含与第二半导体区域(13)电连接的一端、及与读出配线电连接的另一端。多个金属透镜(8)分别被二维配置成与多个光检测部(10)分别重叠，以聚光点(S)位于第一半导体区域(12)内的位置即距第一半导体区域(12)和第二半导体区域(13)的边界(15)规定距离(D)的位置的方式，将光(L)进行聚光。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110574247B
公开(公告)日：2022-09-23
申请号：CN201880026749.X
申请日：2018-05-25
Applicant: 浜松光子学株式会社
Abstract: 本实施方式涉及半导体发光元件，其具有用于抑制因从相位调制层输出的光的一部分被电极遮挡而导致的光学像的质量降低。该半导体发光元件包括具有基层和多个异折射率区域的相位调制层，相位调制层包括沿层叠方向至少一部分与电极重叠的第一区域和除第一区域外的第二区域。以多个异折射率区域之中仅第二区域内的1个或其以上的异折射率区域对光学像的形成有贡献的方式进行配置。
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公开(公告)号：CN112105965A
公开(公告)日：2020-12-18
申请号：CN201980030429.6
申请日：2019-04-11
Applicant: 浜松光子学株式会社
Abstract: 本发明涉及具备用以实现期望的光学特性的构造的超颖表面构造体等。该超颖表面构造体具备：基材，其具有相互相对的第一面及第二面；及多条天线，其作为多个微细构造而沿第一面排列。基材具有基部及相邻部。多条天线各自具有第一折射率、及构成第一面的一部分的天线端面。相邻部的一部分位于多条上述天线之间，且相邻部具有与第一折射率不同的第二折射率、且具有构成第一面的其余部分的相邻部端面。多个天线端面及相邻部端面构成作为第一面的平坦面。
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公开(公告)号：CN113631994B
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202080025809.3
申请日：2020-03-27
Applicant: 浜松光子学株式会社
Abstract: 本实施方式涉及具备能够解决各种技术问题的新的器件结构的可变相位器件。该可变相位器件具备排列成一维或二维并且各自进行发光或光调制的M(M为2以上的整数)个像素。M个像素的排列周期低于入射光的波长并且沿着规定方向为恒定。M个像素各自包含分别具有将射出光的相位设为可变的结构的N(N为2以上的整数)个子像素。在M个像素的各个中，从N个子像素输出的N条部分光束在远场被合成为具有单一相位的光。
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公开(公告)号：CN112119548B
公开(公告)日：2023-11-28
申请号：CN201980032040.5
申请日：2019-05-14
Applicant: 浜松光子学株式会社
Abstract: 本实施方式关于一种包含在构成一维排列或二维排列的多个像素分别调制相位的反射型超颖表面的发光器件。该发光器件具备面发光激光元件、导光层、超颖表面。超颖表面具有：透光层，其包含电介质层；一金属膜，其设置于透光层的一面上；及另一金属膜，其设置于透光层的另一面上。相当于多个像素的多个单位区域的各个中，透光层的一部分包含未被金属膜覆盖而露出的部分。各单位区域的宽度及透光层的厚度小于输入至超颖表面的激光的波长。超颖表面在各单位区域分别调制激光的相位。经调制后的激光自第1光输出面输出。
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公开(公告)号：CN116964748A
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202180095497.8
申请日：2021-12-09
Applicant: 浜松光子学株式会社
Inventor： 上野山聪
IPC: H01L27/146
Abstract: 光检测器具备：光检测元件，其具有表面，且包括沿着表面配置的多个受光区域；以及多个超透镜部，其以对应于多个受光区域的方式配置于表面上，在多个受光区域和多个超透镜部中对应的一个受光区域和一个超透镜部中，一个超透镜部包括沿着表面配置的多个超透镜。
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