一种基于反应烧结制备碳化硅或碳化硼陶瓷板的方法

    公开(公告)号:CN114853479B

    公开(公告)日:2023-04-25

    申请号:CN202210554063.6

    申请日:2022-05-19

    Abstract: 本发明涉及一种基于反应烧结制备碳化硅或碳化硼陶瓷板的方法,其中用于反应烧结制备碳化硅或碳化硼陶瓷板的涂料组合物,其包括难熔金属碳化物超细粉末、分散剂、粘结剂和水,按质量百分比计,所述难熔金属碳化物超细粉末占45~50%,所述分散剂占1~4%,所述粘结剂占3~6%,所述水占40~50%;所述难熔金属碳化物超细粉末包括WC、TaC、ZrC、HfC、NbC、SiC中的一种或多种,平均粒度1~5微米。本发明用涂料组合物制备碳化硅或碳化硼陶瓷板,降低了残留硅与陶瓷基体的结合力,大大降低反应烧结过后碳化硅或碳化硼陶瓷板表面残留硅的清理难度,显著降低了劳动强度,提高碳化硅或碳化硼陶瓷表观质量和合格品率。

    一种碳化硅纤维增强碳化硼陶瓷材料的制备方法

    公开(公告)号:CN108911773A

    公开(公告)日:2018-11-30

    申请号:CN201810638313.8

    申请日:2018-06-20

    Abstract: 本发明提供一种碳化硅纤维增强碳化硼陶瓷材料的制备方法,该方法包括如下步骤:步骤1)级配;步骤2)超声分散包覆;步骤3)纤维分散;步骤4)混合:将上述的B4C复合浆料与分散好的SiC纤维混合,并加入PVA溶液,机械搅拌;步骤5)造粒;步骤6)压制成型;步骤7)烧结,本发明采用反应烧结相较于现有的传统烧结工艺的优势有如下几个方面:(1)烧结温度大大降低,只需在1450℃以上即可,相比于无压、热压烧结的温度低500℃左右,能够有效的抑制材料在高温易出现的晶粒长大等的诸多不良问题的产生。

Patent Agency Ranking