-
公开(公告)号：CN118812587A
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202310427399.0
申请日：2023-04-20
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种四环芳烃膦酸衍生物、制备方法及其在钙钛矿基太阳能电池中的应用，属于光电子材料与器件技术领域，以具有刚性共轭平面的四环芳烃基元为母核，以烷基膦酸为锚定基团，通过四环芳烃类单体进行3‑4步反应合成得到，具有空穴迁移率高、热稳定性好、合成步骤简单、合成条件温和等优点，能够作为高效稳定的自组装空穴选择材料应用于钙钛矿基太阳能电池。将所述的四环芳烃膦酸衍生物作为自组装空穴选择材料制备钙钛矿基太阳能电池，可获得>21％的光电转化效率，相比于传统材料2PACZ，所述的四环芳烃膦酸衍生物促进了电荷传输，降低了器件整体的串联电阻，提升了钙钛矿基器件的光电转化效率。
-
公开(公告)号：CN114518070B
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202210156964.X
申请日：2022-02-21
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
IPC: G01B11/00
Abstract: 本发明涉及显微镜技术领域，公开了一种与扫描探针显微镜联用系统的快速定位方法、系统，包括：获取样品在高倍显微镜下拍摄得到的第一样品图像；对第一样品图像进行校准并计算第一样品图像的四个顶点坐标；获取样品在扫描探针显微镜下拍摄得到的第二样品图像；对第二样品图像进行校准并计算第二样品图像的四个顶点坐标，其中，样品在第一样品图像和第二样品图像中所呈现的摆放位置相同，第一样品图像的四个顶点坐标和所述第二样品图像的四个顶点坐标；对第一样品图像进行代码解析，计算目标区域的位置坐标，在第二样品图像中根据所述位置坐标找到对应的扫描区域。本发明可以在扫描探针显微镜下快速定位到需要扫描的目标区域。
-
公开(公告)号：CN118338770B
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202410748864.5
申请日：2024-06-12
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
Abstract: 本发明涉及一种碳化硅光电神经突触器件及其制备方法与应用，该碳化硅光电神经突触器件包括依次层叠设置的顶电极、碳化硅半导体材料层以及底电极，其中，碳化硅半导体材料层中包括有能够捕获和释放载流子的缺陷能级，顶电极不完全覆盖碳化硅半导体材料层。该碳化硅光电神经突触器件在室温至高达600K的温度下均能够表现出优异的突触可塑性。
-
公开(公告)号：CN118448488A
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202410569518.0
申请日：2024-05-09
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L31/0336 , H01L31/109 , H01L31/0352 , H01L31/18 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种基于掺锡的锗量子点/六方硅纳米线的宽波段响应自驱动型光电探测器及其制备方法和应用。光电探测器包括：衬底；位于衬底上的掺锡的锗量子点/六方硅纳米线结构；电极，包括正电极和负电极，与掺锡的锗量子点/六方硅纳米线结构形成欧姆接触或肖特基结接触。制备方法包括：在衬底上生长和/或转移六方硅纳米线结构；在六方硅纳米线结构表面沉积和/或旋涂掺锡的锗量子点，并进行退火处理；制作电极。
-
公开(公告)号：CN118338770A
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202410748864.5
申请日：2024-06-12
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
Abstract: 本发明涉及一种碳化硅光电神经突触器件及其制备方法与应用，该碳化硅光电神经突触器件包括依次层叠设置的顶电极、碳化硅半导体材料层以及底电极，其中，碳化硅半导体材料层中包括有能够捕获和释放载流子的缺陷能级，顶电极不完全覆盖碳化硅半导体材料层。该碳化硅光电神经突触器件在室温至高达600K的温度下均能够表现出优异的突触可塑性。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118064967B
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202410494355.4
申请日：2024-04-24
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心 , 杭州乾晶半导体有限公司
Abstract: 本发明涉及半导体材料技术领域，特别涉及一种提拉式半导体晶体生长装置及生长方法。包括：一种提拉式半导体晶体生长装置，利用坩埚传动装置使得第一坩埚内的籽晶和第二坩埚内的原料之间的轴向距离增大，从而提高生长腔的轴向温度梯度，同时，配合第一加热器、第二加热器对第一坩埚、第二坩埚内的温度进行调控，从而实现对生长腔内的轴向温度和半导体晶体生长面的径向温度的调控；与此同时，热屏蔽环的配合，隔绝第二加热器对第一坩埚的热辐射，减少进入第一坩埚的热通量，减小半导体晶体生长面的径向温度梯度，进而提升半导体晶体的厚度和晶体生长质量。
-
公开(公告)号：CN118204080A
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202410188427.2
申请日：2024-02-20
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种负载铜的二维硅催化剂及其制备方法与应用，制备方法包括：惰性气氛下，将二维硅材料与铜盐的混合物在250～300℃退火4～6h，得到固体粉末；对固体粉末进行洗涤，除去未与二维硅材料键合的铜盐；惰性气氛下，将洗涤所得产物在500～600℃退火4～6h，得到所述的负载铜的二维硅催化剂。将本发明得到的负载铜的二维硅催化剂与聚乙烯塑料、氯铝酸盐离子液体/三氯甲烷溶剂和氯代叔烷烃混合搅拌，采用光照射反应体系，可驱动聚乙烯塑料解聚，得到烃类化合物。本发明的方法可以实现聚乙烯塑料的完全转化，得到高产率、高价值的烃类化合物，对于塑料废物的绿色、增值回收利用提供了新思路。
-
公开(公告)号：CN117861859A
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202311806147.5
申请日：2023-12-26
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
Abstract: 本发明公开了一种石英砂反浮选组合药剂及其应用，属于石英砂加工技术领域，该石英砂反浮选组合药剂按照重量份数计，包括如下组份：十二酰胺1‑1.5份，异羟肟酸2‑3份，非离子表面活性剂1‑1.5份；异羟肟酸可与伴生矿物表面杂质金属离子螯合，附着于矿粒表面并使其疏水，此外，十二酰胺与异羟肟酸发生静电吸附，导致十二酰胺穿插吸附，并结合异羟肟酸未配对的矿粒螯合位点，提高伴生矿物捕获效率，达到高效反浮选石英砂的目的；本发明还公开了一种利用所述的石英砂反浮选组合药剂进行石英砂反浮选的方法；本发明提供的石英砂反浮选组合药剂以及石英砂反浮选方法具有操作安全系数高、环境友好、浮选效果好的优点。
-
公开(公告)号：CN117727848A
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202311681326.0
申请日：2023-12-08
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种基于绝缘加速层效应提供热电子的电致发光器件及其制备方法。电致发光器件包括依次层叠的金属背电极、衬底、氧化硅加速层、多层稀土掺杂氟氧化锡薄膜和氧化物透明电极，其中相邻稀土掺杂氟氧化锡薄膜之间设置氧化铝中间加速层。制备方法：在衬底一侧制作氧化硅加速层，在氧化硅加速层上制作第一层稀土掺杂氟氧化锡薄膜，在第一层稀土掺杂氟氧化锡薄膜上依次交替制作氧化铝中间加速层和第n层稀土掺杂氟氧化锡薄膜，n≥2，直至多层稀土掺杂氟氧化锡薄膜制作完成，最后在衬底另一侧制作金属背电极，并在多层稀土掺杂氟氧化锡薄膜表面制作氧化物透明电极。
-
公开(公告)号：CN117684248A
公开(公告)日：2024-03-12
申请号：CN202311556581.2
申请日：2023-11-21
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，公开一种透气柔性容器促进钙钛矿单晶生长的方法、X射线探测器，该方法包括步骤：将钙钛矿前驱液转移至柔性容器，用聚二甲基硅氧烷液封所述柔性硅胶容器顶部出口；静置所述柔性容器，在所述柔性硅胶容器底部加快气流传输速度，促进钙钛矿单晶在容器内自驱动成核生长；所述柔性容器为柔性材质，侧壁采用胶带密封。本发明利用柔性容器能够选择性控制有机溶剂扩散，阻挡钙钛矿原料透过，促进柔性容器内部形核驱动力自发增大，实现钙钛矿单晶室温自驱动生长；避免了硬性容器和升温降温导致机械应力和热应力的引入，明显提高单晶生长速率与结晶质量，可用于制备开关比更优异的探测器件。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
784
records
(took 0.033 seconds)
