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公开(公告)号：CN119956483A
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202411998069.8
申请日：2024-12-31
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
Abstract: 本发明涉及一种生长在半导体衬底上的氮化铝膜及其制备方法和应用，该方法包括：清洗半导体衬底；氮化铝叠层制备，包括：采用ALD沉积工艺，在半导体衬底上生长第一AlN层；采用PVD沉积工艺，在第一AlN层表面上生长第二AlN层，得到一组氮化铝叠层；所述PVD沉积工艺的靶材为AlN靶材，温度范围在20℃‑300℃以内，PVD反应腔室的气压在0.1Pa‑2.0Pa以内，反应过程中的氮气和氩气的流量比例在1:1以上；至少执行一次所述氮化铝叠层的制备过程，得到至少一组氮化铝叠层；对氮化铝叠层进行退火，得到氮化铝膜，退火温度小于1300℃。本发明制备的氮化铝膜的质量、性能和生长速度都有所提升。
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公开(公告)号：CN114775046B
公开(公告)日：2022-11-29
申请号：CN202210710329.1
申请日：2022-06-22
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
Abstract: 本发明涉及碳化硅晶体生长技术领域，公开了一种碳化硅外延层生长方法，通过通入具有第一预定碳源流量的碳源和第一预定硅源流量的硅源，在碳化硅衬底片表面生成第一缓冲层，使得通过对碳硅流量比以及具体通入的碳源流量的调整，促使从碳化硅衬底片延伸出来的贯穿型位错在第一缓冲层的生长过程中转变为层错和基平面位错，并进行横向移动，移出所述晶体的第一缓冲层，从而减少从所述第一缓冲层进入外延层的位错数量，降低外延层中的位错密度，提高了器件性能。
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公开(公告)号：CN114775046A
公开(公告)日：2022-07-22
申请号：CN202210710329.1
申请日：2022-06-22
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
Abstract: 本发明涉及碳化硅晶体生长技术领域，公开了一种碳化硅外延层生长方法，通过通入具有第一预定碳源流量的碳源和第一预定硅源流量的硅源，在碳化硅衬底片表面生成第一缓冲层，使得通过对碳硅流量比以及具体通入的碳源流量的调整，促使从碳化硅衬底片延伸出来的贯穿型位错在第一缓冲层的生长过程中转变为层错和基平面位错，并进行横向移动，移出所述晶体的第一缓冲层，从而减少从所述第一缓冲层进入外延层的位错数量，降低外延层中的位错密度，提高了器件性能。
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公开(公告)号：CN118338770B
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202410748864.5
申请日：2024-06-12
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
Abstract: 本发明涉及一种碳化硅光电神经突触器件及其制备方法与应用，该碳化硅光电神经突触器件包括依次层叠设置的顶电极、碳化硅半导体材料层以及底电极，其中，碳化硅半导体材料层中包括有能够捕获和释放载流子的缺陷能级，顶电极不完全覆盖碳化硅半导体材料层。该碳化硅光电神经突触器件在室温至高达600K的温度下均能够表现出优异的突触可塑性。
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公开(公告)号：CN118338770A
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202410748864.5
申请日：2024-06-12
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
Abstract: 本发明涉及一种碳化硅光电神经突触器件及其制备方法与应用，该碳化硅光电神经突触器件包括依次层叠设置的顶电极、碳化硅半导体材料层以及底电极，其中，碳化硅半导体材料层中包括有能够捕获和释放载流子的缺陷能级，顶电极不完全覆盖碳化硅半导体材料层。该碳化硅光电神经突触器件在室温至高达600K的温度下均能够表现出优异的突触可塑性。
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