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公开(公告)号：CN118184400A
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202410185092.9
申请日：2024-02-19
Applicant: 杭州乾晶半导体有限公司
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种石墨部件复合涂层的制备方法、石墨部件、石墨坩埚。包括TaN涂层和TaC涂层，将TaN涂层设置于石墨基材和TaC涂层之间，起到过渡的作用，能够有效的减少石墨基材和TaC涂层之间由于热膨胀系数相差大导致的较大的热应力，维持石墨部件表面涂层的稳定性，提高了涂层与石墨基材的结合强度。并且，利用具有复合涂层的石墨坩埚生长N型碳化硅晶体的过程中，TaN涂层中的N元素被环境中的碳元素置换出来，生成的氮气从等径环的内侧壁向晶体边缘释放，有助于提高N型碳化硅晶体生长环境中的氮均匀性，从而减少了晶体边缘的多晶、多型、缺陷、裂纹的形成，也降低了生成的晶体边缘的粗糙度和晶体产生的中间突边缘低的形貌。
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公开(公告)号：CN115464484B
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202211260155.X
申请日：2022-10-14
Applicant: 杭州乾晶半导体有限公司
Abstract: 本发明涉及碳化硅晶片加工技术领域，公开了一种碳化硅晶片双面加工方法以及相应的装置，通过将两片碳化硅晶片的两个相同极性面进行贴合，对暴露在外侧的另外两个相同极性面按照相同切削速率同时进行加工，加工完成后再次将两片碳化硅晶片的两个加工完成的相同极性面进行贴合，对另外两个相同极性面按照相同切削速率同时进行加工，最终得到加工完成的两片碳化硅晶片；有效的解决了作为SIC衬底的碳化硅晶片进行双面研磨或者双面抛光时由于硅面与碳面特性不同产生的移除速率差异问题，避免为了保证单面的最低移除量造成另一面的过度厚度去除，不仅大大缩短了加工时间，同时也因为缩短加工时间有效的降低了生产物料成本。
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公开(公告)号：CN117127255A
公开(公告)日：2023-11-28
申请号：CN202311122964.9
申请日：2023-09-01
Applicant: 杭州乾晶半导体有限公司
Abstract: 本发明涉及半导体领域，特别涉及一种SiC单晶的制备装置及制备方法，该制备装置包括：石墨坩埚，所述石墨坩埚内壁涂覆有防止石墨被腐蚀的涂料层；所述石墨坩埚内部从底部往顶部开口方向依次设置有第一SiC粉料层、第一间隔层、含活性炭的第二SiC粉料层、第二间隔层、碳吸附层和第三间隔层，所述第一间隔层、第二间隔层、第三间隔层具有孔隙；石墨坩埚的顶部设置有SiC籽晶。本发明在石墨坩埚内壁涂覆TaC涂料层以减少碳颗粒对晶体生长影响的基础上，进一步通过在第一SiC粉料层上设置含活性炭的第二SiC粉料层，以掺入活性炭作为补充碳源，稳定了气相组分中的Si/C值，减少晶体缺陷。
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公开(公告)号：CN114678259B
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202210598864.2
申请日：2022-05-30
Applicant: 杭州乾晶半导体有限公司
Abstract: 本发明涉及碳化硅加工技术领域，公开了一种抛光后的碳化硅晶片的清洗方法以及相应的清洗剂，通过使用具有酸性环境的双氧水‑柠檬酸水溶液对基于Al2O3‑KMnO4体系抛光后的碳化硅晶片进行清洗，再经过后续清洗工艺，得到抛光清洗后的碳化硅晶片的技术方案绿色环保，对人体无害，制备简单的小分子有机酸，相比SPM溶液和表面活性剂，对环境和人体危害小；能高效去除Al2O3‑KMnO4碳化硅抛光体系作用于晶片后的金属氧化物残留，又可有效去除有机物残留和颗粒污染等。
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公开(公告)号：CN114678259A
公开(公告)日：2022-06-28
申请号：CN202210598864.2
申请日：2022-05-30
Applicant: 杭州乾晶半导体有限公司
Abstract: 本发明涉及碳化硅加工技术领域，公开了一种抛光后的碳化硅晶片的清洗方法以及相应的清洗剂，通过使用具有酸性环境的双氧水‑柠檬酸水溶液对基于Al2O3‑KMnO4体系抛光后的碳化硅晶片进行清洗，再经过后续清洗工艺，得到抛光清洗后的碳化硅晶片的技术方案绿色环保，对人体无害，制备简单的小分子有机酸，相比SPM溶液和表面活性剂，对环境和人体危害小；能高效去除Al2O3‑KMnO4碳化硅抛光体系作用于晶片后的金属氧化物残留，又可有效去除有机物残留和颗粒污染等。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117069516B
公开(公告)日：2024-08-13
申请号：CN202311049786.1
申请日：2023-08-18
Applicant: 杭州乾晶半导体有限公司
IPC: C04B41/87 , C04B35/66 , C04B35/56 , C04B35/622 , C01B32/956
Abstract: 本发明涉及半导体领域，特别涉及一种TaC涂层的制备方法及石墨结构部件、碳化硅晶体生长装置，包括：利用第一含钽物质粉末、含硅物质粉末及碳粉通过第一烧结形成复合相合成物，将第二含钽物质粉末、有机连接剂、有机溶剂与复合相合成物颗粒混合形成悬浮液涂覆于石墨基材表面，固化后进行第二烧结后获得致密的TaC涂层。通过固相反应制备的熔点高于第二烧结温度的复合相合成物在第二烧结过程中分散在生成的TaC涂层的表面及内部，将TaC涂层分割成小粒径的结构，提升TaC涂层的致密性与石墨基材的结合强度；熔化了的第二含钽物质粉末进入Ta与C反应过程中产生的孔洞中并与孔洞中的C反应，进一步的提升了TaC涂层的堆积密度和结合强度更强。
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公开(公告)号：CN118064967B
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202410494355.4
申请日：2024-04-24
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心 , 杭州乾晶半导体有限公司
Abstract: 本发明涉及半导体材料技术领域，特别涉及一种提拉式半导体晶体生长装置及生长方法。包括：一种提拉式半导体晶体生长装置，利用坩埚传动装置使得第一坩埚内的籽晶和第二坩埚内的原料之间的轴向距离增大，从而提高生长腔的轴向温度梯度，同时，配合第一加热器、第二加热器对第一坩埚、第二坩埚内的温度进行调控，从而实现对生长腔内的轴向温度和半导体晶体生长面的径向温度的调控；与此同时，热屏蔽环的配合，隔绝第二加热器对第一坩埚的热辐射，减少进入第一坩埚的热通量，减小半导体晶体生长面的径向温度梯度，进而提升半导体晶体的厚度和晶体生长质量。
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公开(公告)号：CN118127639A
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202410242006.3
申请日：2024-03-04
Applicant: 杭州乾晶半导体有限公司
IPC: C30B33/02 , B23K26/362
Abstract: 本发明公开了一种优化碳化硅晶圆片面型的方法，本发明首先对各工序段线切片、减薄片或者研磨片进行面型检测，面型检测设备为晶圆平坦度测试仪，根据拟合的面型图分析面型恶化区域，面型极端的区域会通过颜色显示出来。在特殊石墨工装的支持下，晶片在电阻炉中完成高温退火，实现面型优化。
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公开(公告)号：CN117966259A
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202410313421.3
申请日：2024-03-19
Applicant: 杭州乾晶半导体有限公司
Abstract: 本发明提供了一种碳化硅单晶生长装置及制备方法，通过设置坩埚结构包括开口相对设置的下坩埚和上坩埚，所述上坩埚和所述下坩埚通过侧壁滑动连接；一方面，使得可以充分利用上坩埚和下坩埚之间的生长空间，进一步提高长晶厚度，而且上坩埚与下坩埚之间的组合也更有利于生长空间的稳定性；另一方面，上坩埚和下坩埚通过侧壁滑移连接，可以通过动态拉伸保持碳化硅单晶生长界面和碳化硅粉料界面的距离来控制轴向温度梯度的动态平衡，保持在生长过程中的生长界面的稳定，降低位错等缺陷。
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公开(公告)号：CN117867648A
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202410011927.9
申请日：2024-01-03
Applicant: 杭州乾晶半导体有限公司
Abstract: 本发明涉及碳化硅晶体制备领域，特别涉及一种碳化硅晶体扩径生长装置及碳化硅晶体扩径生长方法。包括具有多孔石墨扩径环的石墨扩径装置，多孔石墨扩径环作为气道，用于在碳化硅晶体扩径生长的过程中释放掉积聚的生长气氛，多孔石墨扩径环既保证了排气的通畅性，又解决了碳化硅籽晶边缘生长的多晶阻碍碳化硅晶体扩径的问题，并且，沿石墨扩径装置的轴向且远离碳化硅籽晶的方向上，多孔石墨扩径环的孔隙率逐渐降低，从而控制石墨坩埚内的生长气氛，保证前期生长气氛过量时可以及时排出，生长后期生长气氛不足时减少排出量，从而提升碳化硅晶体的生长速率。同时，在扩径装置周围设置有石墨硬毡作为保温材料，保持碳化硅晶体生长的合理的温度梯度。
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