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公开(公告)号：CN114228435B
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202111295811.5
申请日：2021-11-03
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
IPC: B60H1/00
Abstract: 本发明公开了一种基于液氢冷能回收技术与热泵技术相耦合的氢能汽车空调系统，属于氢能汽车系统。本发明通过在车载液氢储罐与汽化器之间布置一换热器，使得液氢在进入汽化器之前，在该布置的换热器中将冷能用于冷却系统循环水，经该换热器冷却后的循环水可用于冷却乘座舱内空气，进而调节车内空气温度，降低车载冷却系统的压缩机功率。因此，上述系统可有效回收液氢的冷能，降低氢能汽车的能耗，提高行驶里程。
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公开(公告)号：CN116666224B
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202310948875.3
申请日：2023-07-31
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L21/336 , H01L21/28 , H01L29/06 , H01L29/08 , H01L29/423 , H01L29/78
Abstract: 本公开涉及沟槽型绝缘栅场效应管器件及其制造方法、电子元件。该方法包括：形成依次堆叠的预制复合衬底、预制沟道层及预制第一源接触区，预制第一源接触区具有第一掺杂类型；形成贯穿预制第一源接触区的第二源接触区；形成图案化的第一掩膜；通过第一掩膜刻蚀形成第一沟槽段，第一沟槽段贯穿预制第一源接触区及预制沟道层，并延伸入预制复合衬底，第一沟槽段与第二源接触区沿第一方向相对并被预制第一源接触区间隔；通过第一掩膜对第一沟槽段的沿第一方向相对两个侧壁面中的第一侧壁面进行第一离子注入工艺，形成第一保护区，第一保护区具有第二掺杂类型；以及去除掩膜。该方法可以较容易地制造可靠性较好的沟槽型绝缘栅场效应管器件。
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公开(公告)号：CN115418725B
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202210899393.9
申请日：2022-07-28
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
IPC: C30B33/02 , C30B29/38 , H01L21/324
Abstract: 本发明涉及退火工艺技术领域中的一种氮化硅薄膜热退火方法和装置，包括以下步骤：阶段式加热氮化硅薄膜至保温温度，进入保温过冲阶段；调整保温过冲阶段进入保温阶段，并使保温阶段的温度与保温温度相同；冷却氮化硅薄膜至调控冷却温度，进入调控冷却阶段，且调控冷却阶段的温度与调控冷却温度相同；自然冷却氮化硅薄膜至取晶温度，解决了现有功率器件在氮化硅退火工艺中开裂率高，良品率底的问题。
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公开(公告)号：CN117438314A
公开(公告)日：2024-01-23
申请号：CN202311387290.5
申请日：2023-10-23
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
IPC: H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/06
Abstract: 本发明涉及一种沟槽型MOSFET器件及其制造方法，一种沟槽型MOSFET器件的制造方法，包括：提供具有第一导电类型的半导体基体；在半导体基体的上表层内形成具有第二导电类型的阱区；在阱区的上表层内形成源区，源区包括具有第一导电类型的第一区域；在半导体基体内形成贯穿第一区域和阱区的沟槽；沟槽的槽壁包括底壁以及邻接于底壁的第一侧壁；沿第一方向向半导体基体内注入第二导电类型离子，以形成围绕于沟槽的屏蔽区；屏蔽区邻接于底壁和第一侧壁的至少一部分；在沟槽内形成绝缘栅结构；可避免采用超高能离子注入方式，进而降低沟槽型MOSFET器件的制造成本。
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公开(公告)号：CN117317027A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202311620928.5
申请日：2023-11-30
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/423
Abstract: 本公开涉及场效应管及其制造方法、集成电路器件。该用于形成场效应管的方法可包括：根据位于预制半导体结构的刻蚀掩模，形成栅极沟槽，其中，栅极沟槽延伸入预制半导体结构；形成预制掩膜层，预制掩膜层覆盖刻蚀掩模并沿栅极沟槽的内壁面延展；基于预制掩膜层形成自对准掩模，自对准掩模位于栅极沟槽的侧壁面，并遮挡栅极沟槽的底壁面的一部分；以及根据自对准掩模对栅极沟槽的底壁面进行离子注入。该方法可提供较宽的设计和工艺窗口，可以较容易地执行。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116230549B
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202310492983.4
申请日：2023-04-27
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/06
Abstract: 本公开涉及集成低势垒二极管的沟槽型绝缘栅场效应管及其制造方法。该方法包括：在预制半导体结构形成第一槽，预制半导体结构包括叠层结构和第二源接触区，第一槽与第二源接触区被第一源接触区隔开，第一槽贯穿第一源接触区和沟道层并延伸入第一扩散区；形成具有第一掺杂类型的第二扩散区，第二扩散区至少自第一槽的底面沿堆叠方向贯穿保护层并延伸入复合衬底；在预制半导体结构形成第二槽，第二槽贯穿第一源接触区及沟道层，第二槽暴露出第一扩散区；形成位于第一槽内的栅氧结构；以及形成位于第二槽内的源极延伸部，其中，源极延伸部与第一扩散区实现电性接触。该方法可以制造退化风险较低的集成低势垒二极管的沟槽型绝缘栅场效应管。
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公开(公告)号：CN116487423A
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202310268185.3
申请日：2023-03-20
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域中的一种具有过热保护结构的SiC功率器件制备方法和SiC功率器件，包括以下步骤：通过热氧化方法在SiC衬底层上生长SiO2薄膜栅介质层；在SiO2薄膜栅介质层上高温生长单斜相VO2层，且高温生长的气体氛围为氧化性气体；在单斜相VO2层上生成第一电极层，在SiC衬底层上沉积第二电极层；其中，第一电极层为低熔点金属材料，突破了传统SiC功率器件的栅氧结构在使用过程中因漏电流引发器件过热从而导致可靠性下降的瓶颈。
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公开(公告)号：CN116435243A
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN202310273053.X
申请日：2023-03-15
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
IPC: H01L21/683 , H01L21/321 , H01L21/67
Abstract: 本申请涉及图案晶圆的正面保护方法。该方法包括如下步骤：提供图案晶圆；在所述图案晶圆的正面贴覆保护层，得到待加工件；所述保护层用于直接接触所述图案晶圆的一侧配置为具有粘性及弹性形变特性，所述保护层上背离所述图案晶圆的一侧配置为光滑表面；将所述待加工件上设置有保护层的一侧放置于激光加工平台；对所述图案晶圆的背面进行激光退火处理；将所述保护层撕离，得到洁净状态的图案晶圆。采用本申请的图案晶圆的正面保护方法，在对图案晶圆的背面在进行激光退火时，图案晶圆的正面不会被磨损或破坏。
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公开(公告)号：CN116314154A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202211725043.7
申请日：2022-12-30
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
IPC: H01L25/07 , H01L21/50 , H01L21/60 , H01L21/48 , H01L23/498 , H01L23/538 , H01L23/492 , H01L23/488
Abstract: 本公开涉及一种串联拓扑结构功率模块及其制造方法。该方法包括：形成至少两个预制功率单元，其中，至少两个预制功率单元沿覆金属层绝缘板结构的延展方向排列，预制功率单元包括依次堆叠的第一焊料层、覆金属层基板结构、第一焊料部及功率芯片；形成引线，功率芯片通过引线而与覆金属层基板结构电连接；及形成多个第二焊料部，其中，第二焊料部和第一焊料部用于构成第二焊料层，电子元件焊接于覆金属层基板结构，电子元件和功率芯片用于构成电路结构，串联连接结构搭接于相邻的两个预制功率单元；以及形成第三焊料层，底板通过第三焊料层焊接于绝缘板结构。该方法可降低串联拓扑结构功率模块制作成本提升制造良率。
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公开(公告)号：CN116288253A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310150187.2
申请日：2023-02-09
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
Abstract: 上述半导体薄膜的加工方法、装置、系统和计算机设备，基于预设厚度确定参考半导体薄膜的第一加工模型；其中，所述参考半导体薄膜的衬底片为硅片；基于所述预设厚度以及目标半导体薄膜的第一预设衬底片数确定所述目标半导体薄膜的第二加工模型；其中，所述目标半导体薄膜的衬底片为碳化硅片；基于所述第一加工模型以及第二加工模型确定目标加工模型；控制化学气相沉积工艺设备基于所述目标加工模型对所述目标半导体薄膜进行加工。上述方法，基于第一加工模型和第二加工模型的关系，获取目标加工模型，以准确度高的第一加工模型为基准，获取的目标加工模型能提升以碳化硅为衬底片的半导体薄膜加工的准确度并且缩短设备调试时间，节省调试成本。
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