公开(公告)号：CN116666224B

公开(公告)日：2024-06-07

申请号：CN202310948875.3

申请日：2023-07-31

Applicant: 浙江大学

Inventor： 任娜 ,  盛况 ,  林超彪 ,  徐弘毅

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L29/06 ,  H01L29/08 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78

Abstract: 本公开涉及沟槽型绝缘栅场效应管器件及其制造方法、电子元件。该方法包括：形成依次堆叠的预制复合衬底、预制沟道层及预制第一源接触区，预制第一源接触区具有第一掺杂类型；形成贯穿预制第一源接触区的第二源接触区；形成图案化的第一掩膜；通过第一掩膜刻蚀形成第一沟槽段，第一沟槽段贯穿预制第一源接触区及预制沟道层，并延伸入预制复合衬底，第一沟槽段与第二源接触区沿第一方向相对并被预制第一源接触区间隔；通过第一掩膜对第一沟槽段的沿第一方向相对两个侧壁面中的第一侧壁面进行第一离子注入工艺，形成第一保护区，第一保护区具有第二掺杂类型；以及去除掩膜。该方法可以较容易地制造可靠性较好的沟槽型绝缘栅场效应管器件。

公开(公告)号：CN113972260A

公开(公告)日：2022-01-25

申请号：CN202111044550.X

申请日：2021-09-07

Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心

Inventor： 盛况 ,  任娜 ,  林超彪

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明提供一种高可靠性的沟槽栅型碳化硅MOSFET器件，包括：N+型衬底、N‑型漂移区、第一P区、P+接触区、N+接触区、位于第一P区和N+接触区之间的N型等效电阻区、栅介质层、槽栅、隔离介质层、源电极、漏电极。本发明提出的SiC MOSFET器件通过增加一个N型等效电阻区，起到串联电阻的作用，当器件发生短路时，降低了器件的饱和电流，提高了其短路能力。

公开(公告)号：CN116666224A

公开(公告)日：2023-08-29

申请号：CN202310948875.3

申请日：2023-07-31

Applicant: 浙江大学

Inventor： 任娜 ,  盛况 ,  林超彪 ,  徐弘毅

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L29/06 ,  H01L29/08 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78

Abstract: 本公开涉及沟槽型绝缘栅场效应管器件及其制造方法、电子元件。该方法包括：形成依次堆叠的预制复合衬底、预制沟道层及预制第一源接触区，预制第一源接触区具有第一掺杂类型；形成贯穿预制第一源接触区的第二源接触区；形成图案化的第一掩膜；通过第一掩膜刻蚀形成第一沟槽段，第一沟槽段贯穿预制第一源接触区及预制沟道层，并延伸入预制复合衬底，第一沟槽段与第二源接触区沿第一方向相对并被预制第一源接触区间隔；通过第一掩膜对第一沟槽段的沿第一方向相对两个侧壁面中的第一侧壁面进行第一离子注入工艺，形成第一保护区，第一保护区具有第二掺杂类型；以及去除掩膜。该方法可以较容易地制造可靠性较好的沟槽型绝缘栅场效应管器件。