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公开(公告)号：CN115295407B
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN202211196346.4
申请日：2022-09-29
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心 , 浙江大学 , 嘉兴斯达半导体股份有限公司
IPC: H01L21/28 , H01L21/02 , H01L21/04 , H01L29/423
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域中的一种SiC功率器件的栅氧结构制备方法和栅氧结构，包括以下步骤：在含氮氧化气体环境下，高温氧化SiC衬底层，并制备出钝化SiO2薄膜层；在无氮氧化气体环境下，退火处理钝化SiO2薄膜层，部分钝化SiO2薄膜层生成致密化SiO2薄膜层；在致密化SiO2薄膜层沉积第一电极层，在SiC衬底层上沉积第二电极层，具有沟道迁移率高和长期栅压作用可靠性高的优点，突破了因氮原子钝化Si、C原子容易引起可靠性下降的瓶颈。
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公开(公告)号：CN115295407A
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN202211196346.4
申请日：2022-09-29
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心 , 浙江大学 , 嘉兴斯达半导体股份有限公司
IPC: H01L21/28 , H01L21/02 , H01L21/04 , H01L29/423
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域中的一种SiC功率器件的栅氧结构制备方法和栅氧结构，包括以下步骤：在含氮氧化气体环境下，高温氧化SiC衬底层，并制备出钝化SiO2薄膜层；在无氮氧化气体环境下，退火处理钝化SiO2薄膜层，部分钝化SiO2薄膜层生成致密化SiO2薄膜层；在致密化SiO2薄膜层沉积第一电极层，在SiC衬底层上沉积第二电极层，具有沟道迁移率高和长期栅压作用可靠性高的优点，突破了因氮原子钝化Si、C原子容易引起可靠性下降的瓶颈。
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公开(公告)号：CN118335784B
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202410307432.0
申请日：2024-03-18
Applicant: 浙江大学 , 斯达半导体股份有限公司
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域中的一种超级结IGBT半元胞结构、器件及制备方法，包括发射极结构、栅极结构和集电极结构，发射极结构与栅极结构并排接触设置，且并排接触设置的发射极结构和栅极结构，与集电极结构之间设置有漂移区结构，漂移区结构与栅极结构部分接触设置，漂移区结构与发射极结构之间设置有载流子储存层，且栅极结构与载流子储存层部分接触设置，栅极结构、漂移区结构以及载流子储存层之间设置有空穴通道区，解决了现有IGBT器件无法实现提高电导调制效应的同时，降低器件关断损耗的问题。
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公开(公告)号：CN119153535A
公开(公告)日：2024-12-17
申请号：CN202411651338.3
申请日：2024-11-19
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
Abstract: 一种非对称超级结MOSFET结构及其制造方法，属于半导体技术领域，一种超级结MOSFET结构，包括衬底及元胞结构；所述元胞结构包括：第一柱区，包括N型漂移区；第二柱区，设置在第一柱区中，包括柱区结构和设置在柱区结构上的栅极结构；第三柱区，包括侧壁P柱区，侧壁P柱区为离子注入式P柱区，侧壁P柱区与相邻的N型漂移区电荷平衡；第三柱区设置在第二柱区与第一柱区之间，第三柱区设置在第二柱区的一侧。本申请通过深沟槽离子注入的侧壁P柱区，使得侧壁P柱区与对应的N型漂移区的电荷平衡控制更为精准；同时，由于超级结的PN结位置远离刻蚀界面，降低了缺陷界面处的电场，提升了产品的可靠性，也避免了多次外延，有助于节约超级结MOSFET的制造成本。
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公开(公告)号：CN114228435B
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202111295811.5
申请日：2021-11-03
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
IPC: B60H1/00
Abstract: 本发明公开了一种基于液氢冷能回收技术与热泵技术相耦合的氢能汽车空调系统，属于氢能汽车系统。本发明通过在车载液氢储罐与汽化器之间布置一换热器，使得液氢在进入汽化器之前，在该布置的换热器中将冷能用于冷却系统循环水，经该换热器冷却后的循环水可用于冷却乘座舱内空气，进而调节车内空气温度，降低车载冷却系统的压缩机功率。因此，上述系统可有效回收液氢的冷能，降低氢能汽车的能耗，提高行驶里程。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117438314A
公开(公告)日：2024-01-23
申请号：CN202311387290.5
申请日：2023-10-23
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
IPC: H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/06
Abstract: 本发明涉及一种沟槽型MOSFET器件及其制造方法，一种沟槽型MOSFET器件的制造方法，包括：提供具有第一导电类型的半导体基体；在半导体基体的上表层内形成具有第二导电类型的阱区；在阱区的上表层内形成源区，源区包括具有第一导电类型的第一区域；在半导体基体内形成贯穿第一区域和阱区的沟槽；沟槽的槽壁包括底壁以及邻接于底壁的第一侧壁；沿第一方向向半导体基体内注入第二导电类型离子，以形成围绕于沟槽的屏蔽区；屏蔽区邻接于底壁和第一侧壁的至少一部分；在沟槽内形成绝缘栅结构；可避免采用超高能离子注入方式，进而降低沟槽型MOSFET器件的制造成本。
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公开(公告)号：CN117317027A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202311620928.5
申请日：2023-11-30
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/423
Abstract: 本公开涉及场效应管及其制造方法、集成电路器件。该用于形成场效应管的方法可包括：根据位于预制半导体结构的刻蚀掩模，形成栅极沟槽，其中，栅极沟槽延伸入预制半导体结构；形成预制掩膜层，预制掩膜层覆盖刻蚀掩模并沿栅极沟槽的内壁面延展；基于预制掩膜层形成自对准掩模，自对准掩模位于栅极沟槽的侧壁面，并遮挡栅极沟槽的底壁面的一部分；以及根据自对准掩模对栅极沟槽的底壁面进行离子注入。该方法可提供较宽的设计和工艺窗口，可以较容易地执行。
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公开(公告)号：CN116487423A
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202310268185.3
申请日：2023-03-20
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域中的一种具有过热保护结构的SiC功率器件制备方法和SiC功率器件，包括以下步骤：通过热氧化方法在SiC衬底层上生长SiO2薄膜栅介质层；在SiO2薄膜栅介质层上高温生长单斜相VO2层，且高温生长的气体氛围为氧化性气体；在单斜相VO2层上生成第一电极层，在SiC衬底层上沉积第二电极层；其中，第一电极层为低熔点金属材料，突破了传统SiC功率器件的栅氧结构在使用过程中因漏电流引发器件过热从而导致可靠性下降的瓶颈。
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公开(公告)号：CN116314154A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202211725043.7
申请日：2022-12-30
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
IPC: H01L25/07 , H01L21/50 , H01L21/60 , H01L21/48 , H01L23/498 , H01L23/538 , H01L23/492 , H01L23/488
Abstract: 本公开涉及一种串联拓扑结构功率模块及其制造方法。该方法包括：形成至少两个预制功率单元，其中，至少两个预制功率单元沿覆金属层绝缘板结构的延展方向排列，预制功率单元包括依次堆叠的第一焊料层、覆金属层基板结构、第一焊料部及功率芯片；形成引线，功率芯片通过引线而与覆金属层基板结构电连接；及形成多个第二焊料部，其中，第二焊料部和第一焊料部用于构成第二焊料层，电子元件焊接于覆金属层基板结构，电子元件和功率芯片用于构成电路结构，串联连接结构搭接于相邻的两个预制功率单元；以及形成第三焊料层，底板通过第三焊料层焊接于绝缘板结构。该方法可降低串联拓扑结构功率模块制作成本提升制造良率。
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公开(公告)号：CN115985964A
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202211472090.5
申请日：2022-11-23
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
Abstract: 本公开涉及旁路超结绝缘栅场效应管及其制造方法、电子元件。该方法包括：在预制半导体结构形成沟槽并得到半导体结构，其中，沟槽自源极侧延伸入半导体结构；形成沿沟槽的内壁面延展的绝缘层；形成介电层，其中，绝缘层位于介电层与半导体结构之间；以及形成延伸电极，其中，介电层位于延伸电极与绝缘层之间。该方法可以形成具有较好阻断能力和长期可靠性的旁路超结绝缘栅场效应管。
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