公开(公告)号：CN115295407B

公开(公告)日：2023-07-07

申请号：CN202211196346.4

申请日：2022-09-29

Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心 ,  浙江大学 ,  嘉兴斯达半导体股份有限公司

Inventor： 盛况 ,  王珩宇 ,  任娜 ,  邵泽伟 ,  沈华 ,  刘志红

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/02 ,  H01L21/04 ,  H01L29/423

Abstract: 本发明涉及半导体技术领域中的一种SiC功率器件的栅氧结构制备方法和栅氧结构，包括以下步骤：在含氮氧化气体环境下，高温氧化SiC衬底层，并制备出钝化SiO2薄膜层；在无氮氧化气体环境下，退火处理钝化SiO2薄膜层，部分钝化SiO2薄膜层生成致密化SiO2薄膜层；在致密化SiO2薄膜层沉积第一电极层，在SiC衬底层上沉积第二电极层，具有沟道迁移率高和长期栅压作用可靠性高的优点，突破了因氮原子钝化Si、C原子容易引起可靠性下降的瓶颈。

公开(公告)号：CN115295407A

公开(公告)日：2022-11-04

申请号：CN202211196346.4

申请日：2022-09-29

Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心 ,  浙江大学 ,  嘉兴斯达半导体股份有限公司

Inventor： 盛况 ,  王珩宇 ,  任娜 ,  邵泽伟 ,  沈华 ,  刘志红

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/02 ,  H01L21/04 ,  H01L29/423

Abstract: 本发明涉及半导体技术领域中的一种SiC功率器件的栅氧结构制备方法和栅氧结构，包括以下步骤：在含氮氧化气体环境下，高温氧化SiC衬底层，并制备出钝化SiO2薄膜层；在无氮氧化气体环境下，退火处理钝化SiO2薄膜层，部分钝化SiO2薄膜层生成致密化SiO2薄膜层；在致密化SiO2薄膜层沉积第一电极层，在SiC衬底层上沉积第二电极层，具有沟道迁移率高和长期栅压作用可靠性高的优点，突破了因氮原子钝化Si、C原子容易引起可靠性下降的瓶颈。

公开(公告)号：CN116487423A

公开(公告)日：2023-07-25

申请号：CN202310268185.3

申请日：2023-03-20

Applicant: 浙江大学

Inventor： 王珩宇 ,  邵泽伟 ,  盛况 ,  任娜

IPC: H01L29/66 ,  H01L29/78 ,  H01L23/62

Abstract: 本发明涉及半导体技术领域中的一种具有过热保护结构的SiC功率器件制备方法和SiC功率器件，包括以下步骤：通过热氧化方法在SiC衬底层上生长SiO2薄膜栅介质层；在SiO2薄膜栅介质层上高温生长单斜相VO2层，且高温生长的气体氛围为氧化性气体；在单斜相VO2层上生成第一电极层，在SiC衬底层上沉积第二电极层；其中，第一电极层为低熔点金属材料，突破了传统SiC功率器件的栅氧结构在使用过程中因漏电流引发器件过热从而导致可靠性下降的瓶颈。

公开(公告)号：CN114300533A

公开(公告)日：2022-04-08

申请号：CN202111614241.1

申请日：2021-12-27

Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心

Inventor： 盛况 ,  邵泽伟 ,  王珩宇 ,  任娜

IPC: H01L29/51 ,  C23C14/08 ,  C23C16/40 ,  C23C16/455 ,  C23C16/56 ,  C23C28/04 ,  H01L21/28

Abstract: 本申请涉及半导体技术领域中的一种栅氧结构和制备方法，包括SiC衬底层、氧化层、Al2O3层和高介电材料层，栅氧结构和制备方法氧化层设置在栅氧结构和制备方法SiC衬底层上，栅氧结构和制备方法Al2O3层设置在氧化层上，栅氧结构和制备方法Al2O3层远离氧化层的一侧设置有高介电材料层，具有沟道迁移率高、栅极能量损耗小的优点，突破了传统栅氧结构的栅极容易漏电流的瓶颈。

公开(公告)号：CN114300350A

公开(公告)日：2022-04-08

申请号：CN202111614210.6

申请日：2021-12-27

Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心

Inventor： 盛况 ,  邵泽伟 ,  王珩宇 ,  任娜

IPC: H01L21/28 ,  C23C14/18 ,  C23C14/35 ,  C23C16/40 ,  C23C16/50 ,  C23C16/56 ,  C23C28/00 ,  C23C28/04 ,  H01L29/51

Abstract: 本申请涉及半导体技术领域中的一种SiC功率器件的制备方法和SiC功率器件，包括以下步骤：使用清洗气体一对SiC衬底层的晶面缺陷进行清洗；通过PECVD方法在SiC衬底层上生长氧化物固溶体薄膜，且氧化物固溶体薄膜的厚度为20～50nm；在氮气环境下对氧化物固溶体薄膜进行精细分层，得到分相层，其中，精细分层的温度为500～900℃；使用清洗气体二对分相层的悬挂键钝化和悬挂键缺陷进行清洗；采用磁控溅射法在分相层上沉积第一电极层，在SiC衬底层上沉积第二电极层，具有沟道迁移率高、静态功耗低、可靠性高的优点，突破了因隧穿电流过大，造成栅极处较大能量损耗的瓶颈。

公开(公告)号：CN116206955A

公开(公告)日：2023-06-02

申请号：CN202211729741.4

申请日：2022-12-30

Applicant: 浙江大学

Inventor： 盛况 ,  王珩宇 ,  邵泽伟 ,  任娜

IPC: H01L21/04 ,  H01L29/51

Abstract: 本发明涉及碳化硅技术领域，公开了一种栅氧结构的制备方法以及相应的栅氧结构、器件，通过提供碳化硅衬底，在所述碳化硅衬底表面形成多个间隔排列的二氧化硅薄膜，得到二氧化硅薄膜层；对多个二氧化硅薄膜进行退火钝化；再在所述二氧化硅薄膜层表面形成高介电材料薄膜层；本发明通过在碳化硅衬底表面形成多个间隔排列的二氧化硅薄膜，再进一步对其进行退火处理，提升了二氧化硅薄膜和碳化硅衬底之间的界面与退火含氮气体的接触面积，有效提升了界面处悬挂键的钝化比例，从而抑制界面态缺陷的产生；另外本发明在二氧化硅薄膜层上生长了高介电材料薄膜层，增加了碳化硅衬底层的界面价带差距和导带差距，从而抑制漏电流，降低了能量损耗。