由微晶硅层为入射层的复合薄膜太阳电池及其制备方法

    公开(公告)号:CN102103930B

    公开(公告)日:2012-07-11

    申请号:CN201010527939.5

    申请日:2010-11-02

    CPC classification number: Y02E10/542 Y02E10/549

    Abstract: 本发明由微晶硅层为入射层的复合薄膜太阳电池及其制备方法,涉及专门适用于将光能转换为电能的半导体器件。由透明导电层、微晶硅空穴传输层、染料敏化纳米晶多孔膜和导电基底构成,染料敏化纳米晶多孔膜被涂覆在导电基底上,微晶硅空穴传输层沉积在染料敏化纳米晶多孔膜上形成固态染料敏化纳米晶微晶硅复合薄膜,透明导电层沉积在微晶硅空穴传输层上,由此组成由微晶硅层为入射层的复合薄膜太阳电池。由于将染料敏化纳米晶材料和微晶硅复合薄膜材料直接制备在导电基底上,克服了现有技术中染料敏化太阳电池对透明导电玻璃的依赖和微晶硅薄膜太阳电池存在低制备速率导致制备成本高,以及现有染料敏化太阳电池存在液态稳定性差的缺点。

    由微晶硅层为入射层的复合薄膜太阳电池及其制备方法

    公开(公告)号:CN102103930A

    公开(公告)日:2011-06-22

    申请号:CN201010527939.5

    申请日:2010-11-02

    CPC classification number: Y02E10/542 Y02E10/549

    Abstract: 本发明由微晶硅层为入射层的复合薄膜太阳电池及其制备方法,涉及专门适用于将光能转换为电能的半导体器件。由透明导电层、微晶硅空穴传输层、染料敏化纳米晶多孔膜和导电基底构成,染料敏化纳米晶多孔膜被涂覆在导电基底上,微晶硅空穴传输层沉积在染料敏化纳米晶多孔膜上形成固态染料敏化纳米晶微晶硅复合薄膜,透明导电层沉积在微晶硅空穴传输层上,由此组成由微晶硅层为入射层的复合薄膜太阳电池。由于将染料敏化纳米晶材料和微晶硅复合薄膜材料直接制备在导电基底上,克服了现有技术中染料敏化太阳电池对透明导电玻璃的依赖和微晶硅薄膜太阳电池存在低制备速率导致制备成本高,以及现有染料敏化太阳电池存在液态稳定性差的缺点。

    基于双视图多尺度卷积神经网络的表面肌电信号识别方法

    公开(公告)号:CN112732092A

    公开(公告)日:2021-04-30

    申请号:CN202110088663.3

    申请日:2021-01-22

    Abstract: 本发明公开了一种基于双视图多尺度卷积神经网络的表面肌电信号识别方法。将表面肌电信号转换为一维表面肌电图像;利用希尔伯特曲线进行时间域和电极域的填充,变为二维表面肌电子图像;构建并训练卷积神经网络,经过输入部分的卷积特征提取后,将输出送到卷积神经网络流中;在第一层经过下采样确定每个卷积神经网络流的尺度;经过常规卷积或跨步卷积后的融合卷积特征经过视图聚合模块中的特征级融合将两个卷积神经网络流位于同一层的输出卷积特征进行拼接并输入到层融合,再将特征级融合后的卷积特征进行拼接,最终输出识别结果。本发明使一维图像转换为二维图像,使神经网络能够提取低层和高层深度特征,提高手势识别精度。

    全固态钙钛矿微晶硅复合太阳电池及其制备方法

    公开(公告)号:CN104362253B

    公开(公告)日:2017-03-22

    申请号:CN201410568822.X

    申请日:2014-10-23

    CPC classification number: Y02E10/549

    Abstract: 本发明全固态钙钛矿微晶硅复合太阳电池及其制备方法,涉及专门适用于将光能转换为电能的半导体器件,由透明导电基底、氧化物半导体薄膜层、钙钛矿光吸收层、微晶硅空穴传输层和背电极构成;在涂覆了氧化物半导体薄膜的透明导电基底上制备钙钛矿光吸收层,微晶硅空穴传输层沉积在钙钛矿光吸收层上形成全固态钙钛矿微晶硅复合薄膜;将钙钛矿光吸收层材料和P型微晶硅材料相互匹配复合,所制得的全固态钙钛矿微晶硅复合薄膜太阳电池同时克服了现有钙钛矿太阳电池因使用有机空穴传输材料而存在的稳定性差和价格昂贵的缺点,以及微晶硅薄膜太阳电池存在低制备速率导致制备成本高及光电转换效率低的缺点。

    基于氧化锌薄膜的丙酮蒸汽气敏传感元件的制备方法

    公开(公告)号:CN102828156A

    公开(公告)日:2012-12-19

    申请号:CN201210308812.3

    申请日:2012-08-28

    Abstract: 本发明公开了一种基于氧化锌薄膜型的丙酮蒸汽气敏传感元件的制备方法。本发明在超高真空多功能射频磁控溅射设备上,按照下述步骤进行:溅射前将系统抽为真空,系统的气压达到3x10-3Pa;打开氧气和氩气的气路阀门,向系统中通入这两种气体,给陶瓷管载片加热,温度达到250℃;Zn靶和载片间电压为300-400V,溅射电流为0.1-0.3A,预溅射8-12分钟,溅射20分钟,让系统的温度冷却至室温,然后向真空室充入氮气,达到105Pa时打开真空室取出样品即成。本发明采用溅射法制备气敏元件,所制备出的气敏元件仅对丙酮蒸气有敏感特性,可在众多的混合有机蒸气中,检测出丙酮蒸气的存在与否及其浓度。

    固态染料敏化纳米晶微晶硅复合薄膜太阳电池及其制备方法

    公开(公告)号:CN101872685B

    公开(公告)日:2012-06-27

    申请号:CN201010173784.X

    申请日:2010-05-17

    CPC classification number: Y02E10/542 Y02E10/549 Y02P70/521

    Abstract: 本发明固态染料敏化纳米晶微晶硅复合薄膜太阳电池及其制备方法,涉及专门适用于将光能转换为电能的半导体器件,由透明导电基底、染料敏化纳米晶多孔膜、微晶硅空穴传输层和背电极构成;所述染料敏化纳米晶多孔膜被涂覆在透明导电基底上,微晶硅空穴传输层沉积在染料敏化纳米晶多孔膜上形成固态染料敏化纳米晶微晶硅复合薄膜,由铝或铜构成的膜被镀在固态染料敏化纳米晶微晶硅复合薄膜上形成背电极。本发明将染料敏化纳米晶材料和微晶硅复合薄膜材料相互匹配复合,所制得的固态染料敏化纳米晶微晶硅复合薄膜太阳电池同时克服了现有染料敏化太阳电池存在液态稳定性差和微晶硅薄膜太阳电池存在低制备速率导致制备成本高的缺点。

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