公开(公告)号：CN106908708A

公开(公告)日：2017-06-30

申请号：CN201710130645.0

申请日：2017-03-07

Applicant: 江南大学

Inventor： 赵琳娜 ,  闫大为 ,  顾晓峰 ,  陈雷雷

IPC: G01R31/26

CPC classification number: G01R31/2601 ,  G01R31/2642

Abstract: 本发明公开了一种基于电致发光热点统计的氮化镓基发光二极管可靠性分析方法。该方法首先通过步进应力测试或反向扫描电流‑电压曲线，分析氮化镓基发光二极管的反向漏电流随时间的退化过程，选取反向漏电流随时间呈明显的上升趋势的电压作为采集元器件电致发光热点时的固定偏压；而后通过微光显微系统，每隔一段时间采集一张电致发光热点的图像；最后通过统计发光二极管元器件退化过程中累积电致发光热点个数，绘制热点产生时间的韦伯分布曲线，来分析发光二极管元器件的可靠性和寿命。本发明采用的是一种简单可操作的方法，实现了对氮化镓基发光二极管元器件的可靠性分析，较现有方法相比具有快速、低成本等优势。

公开(公告)号：CN102723953B

公开(公告)日：2016-03-23

申请号：CN201210209281.2

申请日：2012-06-22

Applicant: 江南大学

Inventor： 顾晓峰 ,  沈琪 ,  王伟印 ,  赵琳娜

IPC: H03M3/00

Abstract: 一种可变类型的Sigma-Delta调制器，包括双向开关、开关电容积分器、有源RC积分器、量化器和反馈数模转换器，具有连续时间型和离散时间型两种类型的Sigma-Delta调制器工作模式。其中双向开关由用户根据实际需要进行选择，在高频领域可令双向开关选择连续时间型Sigma-Delta调制器完成调制器功能，避免由于离散时间型Sigma-Delta调制器中运算放大器带宽无法满足要求而导致调制器系统性能的下降；在低频领域可令双向开关选择离散时间型Sigma-Delta调制器完成调制器功能，避免由于连续时间型Sigma-Delta调制器中RC时间常数偏差噪声导致调制器系统性能的下降。

公开(公告)号：CN114883413A

公开(公告)日：2022-08-09

申请号：CN202210549563.0

申请日：2022-05-17

Applicant: 江南大学

Inventor： 赵琳娜 ,  顾晓峰 ,  谈威

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L29/16 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明公开了一种在元胞内集成续流二极管的沟槽SiC MOSFET，属于半导体技术领域。该结构中的续流二极管由N型源极多晶硅和SiC的P型屏蔽区形成的异质结二极管，与沟道二极管两部分构成，正向导通时，续流二极管提前开启于体内的寄生体二极管，使得体二极管导通被抑制，避免了因为体二极管的退化而引起的可靠性问题；同时，该结构将沟槽底部P型屏蔽区接地，避免了传统结构中浮动P型屏蔽区电极引起的器件可靠性问题，提高了器件长期使用中可靠性，同时优化了栅极氧化物底部的电场分布。且基于P型屏蔽区的浓度设计，在满足续流二极管开启电压要求的同时，对MOSFET沟槽氧化物以及底部续流二极管起到保护作用。

公开(公告)号：CN111599865A

公开(公告)日：2020-08-28

申请号：CN202010471662.2

申请日：2020-05-29

Applicant: 江南大学

Inventor： 闫大为 ,  顾晓峰 ,  赵琳娜

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/20 ,  H01L21/336 ,  H01L21/265

Abstract: 本发明公开了一种GaN基P沟道MOSFET及其制备方法，属于电子材料技术领域。本发明利用氟正离子注入氮化镓(GaN)后形成的二维空穴气(2DHG)能够在GaN表面层以下形成导电沟道的原理，将氟离子注入GaN制备出了一种GaN基P沟道MOSFET。本发明制备出的GaN基P沟道MOSFET与传统P沟道MOSFET相比，性能优越；同时，本发明采用的制备方法与传统P沟道MOSFET需要在N型衬底上利用扩散或离子注入掺杂出P型的源漏区并通过施加在栅电极的电压使栅氧化层下的半导体反型出P沟道的制备方法相比，制备工艺简单、易操作且重复性好，有效避免了P型掺杂。

公开(公告)号：CN109459622A

公开(公告)日：2019-03-12

申请号：CN201811243641.4

申请日：2018-10-24

Applicant: 江南大学

Inventor： 虞致国 ,  宋鑫宇 ,  赵琳娜 ,  顾晓峰

IPC: G01R29/26

CPC classification number: G01R29/26

Abstract: 本发明提供一种低功耗CMOS静噪检测器，包括：电平转换器、比较器模块和输出检测器模块。所述电平转换器包括基准电流源电路、电流镜电路和电平转换电路。所述电平转换器连接所述比较器模块；所述比较器模块连接所述输出检测器模块。所述电平转换器用于将差分输入信号转换为更容易进行比较的单端电压信号；所述比较器模块用于比较电压信号；根据两个差分比较器的结果，所述输出检测器模块的输出指示输入是否为有效数据。本发明减小了电路面积，显著降低了静噪检测器的功耗。

公开(公告)号：CN105630058A

公开(公告)日：2016-06-01

申请号：CN201610167446.2

申请日：2016-03-23

Applicant: 江南大学

Inventor： 顾晓峰 ,  梁思思 ,  虞致国 ,  赵琳娜

IPC: G05F1/563

CPC classification number: G05F1/563

Abstract: 本发明公开了一种改进型片上线性稳压器，包括：误差放大器，前级电压采样电路，尾部反馈电路以及输出电路。所述误差放大器用于稳定前级反馈环路，使得采样节点电压稳定在一个恒定值；所述前级电压采样电路连接所述误差放大器和尾部反馈电路，用于被误差放大器采样电压和提供后级输出电路所镜像的结构；所述尾部反馈电路连接所述前级电压采样电路和输出电路，用于将输出端口电压与前级相联系以提高该线性稳压器的负载调整率；所述输出电路用于镜像前级结构，构成共源级输出，增强该线性稳压器的负载瞬态响应。

公开(公告)号：CN103795411A

公开(公告)日：2014-05-14

申请号：CN201410067444.7

申请日：2014-02-24

Applicant: 江南大学

Inventor： 虞致国 ,  何芹 ,  顾晓峰 ,  赵琳娜

IPC: H03M1/10

Abstract: 本发明公开了一种基于五项最大旁瓣衰减窗三谱线插值测试SFDR的方法。SFDR测试程序完成初始化设置，通过ADC测试系统得到采样数据；构造五项最大旁瓣衰减窗，对采样数据进行加窗FFT运算；对基波和各次谐波在FFT谱线中搜索幅值最大的谱线及其左右两根谱线，得到左右两根谱线幅值之差与最大谱线幅值的比值；采用多项式逼近的方式得到基波和各次谐波的插值系数；最后通过插值运算得到基波和各次谐波的修正幅值，并将其代入ADC？SFDR计算公式，得到测试结果。本发明首次提出基于五项最大旁瓣衰减窗三谱线插值测试ADC？SFDR的方法。本方案的优点是能有效抑制频谱泄漏和栅栏效应，快速、准确地测试ADC？SFDR。

公开(公告)号：CN103441762A

公开(公告)日：2013-12-11

申请号：CN201310406728.X

申请日：2013-09-09

Applicant: 江南大学

Inventor： 虞致国 ,  何芹 ,  顾晓峰 ,  赵琳娜

IPC: H03M1/10

Abstract: 本发明公开了一种基于Blackman窗三谱线插值测试ADC动态参数的方法。该方法基于ADC测试系统采集的数字信号进行测试，包括以下步骤：初始化设置样本大小、采样频率；对样本加Blackman窗进行FFT运算；对基波和各次谐波在FFT谱线中搜索幅值最大的谱线及其左右两根谱线，计算左右两根谱线幅值之差与最大谱线幅值的比值；采用多项式拟合的方法得到按基波和各次谐波的插值系数计算公式并计算基波和各次谐波的插值系数；采用多项式拟合的方法得到幅值修正公式，计算基波和各次谐波的修正幅值并代入ADC主要动态参数计算公式，得到测试结果。本发明首次提出基于Blackman窗三谱线插值测试ADC动态参数的方法，能有效抑制频谱泄露带来的测试误差，快速、准确地测试ADC产品动态参数。

公开(公告)号：CN116936638A

公开(公告)日：2023-10-24

申请号：CN202310843891.6

申请日：2023-07-11

Applicant: 江南大学

Inventor： 赵琳娜 ,  顾晓峰 ,  鹿存莉 ,  季颖

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336 ,  H01L27/07

Abstract: 本发明公开了一种具有内嵌沟道二极管的平面分离栅SiC MOSFET，属于半导体技术领域。该SiC MOSFET结构为分离栅极结构，在平面器件结构的基础上，内嵌了源极多晶硅结构，并与源极金属直接接触。通过在传统平面结构的基础上内嵌的源极多晶硅，使得器件的JFET区域变短，器件导通电阻增大。故为了降低器件的导通电阻，在栅极下方的JFET区域的浓度调大，宽度调大。正向导通时，相比于传统器件的两个导电沟道，本结构具有四个导电沟道。续流二极管的反向导通电压小于体二极管的反向导通电压，避免了体二极管的开启，降低了系统损耗。同时，避免了传统器件存在的双极退化效应，提高了器件的可靠性。

公开(公告)号：CN110047748B

公开(公告)日：2022-03-04

申请号：CN201910323485.0

申请日：2019-04-22

Applicant: 江南大学

Inventor： 陈雷雷 ,  闫大为 ,  赵琳娜 ,  顾晓峰

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/67 ,  H01L21/28 ,  H01L21/335 ,  H01L29/423

Abstract: 本发明公开了一种低损伤AlGaNGaNHEMT栅槽刻蚀方法，属于半导体制造技术领域。所述方法刻蚀过程中控制等离子体中离子运动方向与衬底方向水平，且控制等离子体浓度在108‑1010cm‑3，提高了刻蚀的均匀度，降低刻蚀面的粗糙度，还保证了等离子体对样品表面的轰击减少到最小，达到降低表面损伤的目的，同时，刻蚀速率可降至2‑3nm/min，实现刻蚀过程中刻蚀精度的精确控制。