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公开(公告)号：CN103948329B
公开(公告)日：2016-04-27
申请号：CN201410210887.7
申请日：2014-05-19
Applicant: 江南大学
IPC: A47J39/02
Abstract: 本发明涉及一种便携式加热保温控湿套件，其包括保温腔体、加热腔体、控湿腔体、传感模块、中央控制单元、调节模块、信号处理电路和显示电路；所述传感模块置于所述保温腔体内部，包括用于检测所述保温腔体内部空气的温度传感器和湿度传感器；所述加热腔体内设有加热器；所述控湿腔体内设有干燥剂放置槽、排水口和半导体制冷片；所述加热腔体与所述控湿腔体之间通过换气扇加速气体交换；所述传感模块、所述加热腔体、所述控湿腔体的物理信号由所述中央控制单元、所述信息处理电路和所述调节模块进行控制、调节；所述显示电路具有数字显示等功能。本发明结构简单紧凑，使用方便，适应性好，节能环保，干净卫生，安全可靠。
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公开(公告)号：CN105489603A
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201610008442.X
申请日：2016-01-06
Applicant: 江南大学
IPC: H01L27/02
CPC classification number: H01L27/0266 , H01L27/027
Abstract: 一种PMOS触发LDMOS-SCR结构的高维持电压ESD保护器件，可用于片上IC高压ESD保护电路。主要由P衬底、N阱、P阱、第一P+注入区、第二P+注入区、N+注入区、第三P+注入区、第四P+注入区、金属阳极、金属阴极、多晶硅栅、薄栅氧化层和若干场氧隔离区构成。该LDMOS-SCR结构的ESD保护器件在高压ESD脉冲作用下，一方面由第三P+注入区、第二多晶硅栅及其覆盖的薄栅氧化层、N阱、第四P+注入区构成的PMOS泄放路径，提高器件的维持电压、降低器件的触发电压；另一方面由所述第四P+注入区、所述N阱、所述P阱、所述第二P+注入区构成一条PNPN结构的ESD电流泄放路径，以提高器件的二次失效电流、增强器件的ESD鲁棒性。
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公开(公告)号：CN104485329B
公开(公告)日：2017-06-23
申请号：CN201410521877.5
申请日：2014-09-28
Applicant: 江南大学
Abstract: 一种具有高维持电压的IGBT结构的ESD保护器件，可用于片上IC高压ESD保护电路。主要由P衬底、高压N阱、N阱、P阱、第一P+注入区、第二P+注入区、N+注入区、第三P+注入区、第四P+注入区、金属阳极、金属阴极、多晶硅栅、薄栅氧化层和若干场氧隔离区构成。该IGBT结构的ESD保护器件在高压ESD脉冲作用下，一方面由第三P+注入区、N阱、高压N阱、P阱、N+注入区形成具有PNPN结构的电流泄放路径，提高器件的失效电流、增强器件的ESD鲁棒性；另一方面由第三P+注入区、N阱、第四P+注入区、第一P+注入区、P阱以及第二P+注入区形成寄生PNP三极管和寄生电阻串联的另一条电流泄放路径，以提高器件的维持电压，增强器件的抗闩锁能力。
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公开(公告)号：CN104409457B
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：CN201410766937.X
申请日：2014-12-11
Applicant: 江南大学
Abstract: 一种LDMOS-SCR类叉指结构的高压ESD保护器件，可用于片上高压IC的ESD保护电路。主要由P型衬底、N型埋层、N阱、P阱、若干个P+注入区、若干个N+注入区、多晶硅双栅和若干场氧隔离区构成。该ESD保护器件可在高压ESD脉冲作用下，形成两条由LDMOS-SCR结构并联构成的ESD电流泄放路径。该电流泄放路径均以寄生的NPN管和P阱电阻为公共支路，以降低器件的电子发射率，提高维持电压和ESD鲁棒性。另一方面，通过在器件内部设计一个寄生的NPN晶体管控制一个浮空LDMOS结构，既可以降低LDMOS-SCR器件的电子发射率，提高维持电压；又能增强浮空LDMOS结构的N型导电沟道的电流泄放能力，提高器件的ESD鲁棒性。
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公开(公告)号：CN103730462B
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201410024428.X
申请日：2014-01-20
Applicant: 江南大学
IPC: H01L27/02 , H01L29/06 , H01L29/423
Abstract: 一种具有高维持电流强鲁棒性的LDMOS-SCR结构的ESD自保护器件，可用于片上IC高压ESD自保护电路。主要由P衬底、P阱、N阱、第一P+注入区、第一N+注入区、第二P+注入区、第三P+注入区、第二N+注入区、第一场氧隔离区、薄栅氧化层、第二场氧隔离区、第三场氧隔离区、第四场氧隔离区和多晶硅栅构成。本发明设计的LDMOS-SCR结构的ESD保护器件在高压ESD脉冲作用下，可分别形成寄生LDMOS-SCR结构和两个二极管与LDMOS导电沟道相连的ESD电流泄放路径，快速泄放ESD电流，提高器件触发回滞后的维持电流和失效电流、增强器件的ESD鲁棒性，适用于高压电路的ESD自保护。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104485329A
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：CN201410521877.5
申请日：2014-09-28
Applicant: 江南大学
Abstract: 一种具有高维持电压的IGBT结构的ESD保护器件，可用于片上IC高压ESD保护电路。主要由P衬底、高压N阱、N阱、P阱、第一P+注入区、第二P+注入区、N+注入区、第三P+注入区、第四P+注入区、金属阳极、金属阴极、多晶硅栅、薄栅氧化层和若干场氧隔离区构成。该IGBT结构的ESD保护器件在高压ESD脉冲作用下，一方面由第三P+注入区、N阱、高压N阱、P阱、N+注入区形成具有PNPN结构的电流泄放路径，提高器件的失效电流、增强器件的ESD鲁棒性；另一方面由第三P+注入区、N阱、第四P+注入区、第一P+注入区、P阱以及第二P+注入区形成寄生PNP三极管和寄生电阻串联的另一条电流泄放路径，以提高器件的维持电压，增强器件的抗闩锁能力。
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公开(公告)号：CN103948329A
公开(公告)日：2014-07-30
申请号：CN201410210887.7
申请日：2014-05-19
Applicant: 江南大学
IPC: A47J39/02
Abstract: 本发明涉及一种便携式加热保温控湿套件，其包括保温腔体、加热腔体、控湿腔体、传感模块、中央控制单元、调节模块、信号处理电路和显示电路；所述传感模块置于所述保温腔体内部，包括用于检测所述保温腔体内部空气的温度传感器和湿度传感器；所述加热腔体内设有加热器；所述控湿腔体内设有干燥剂放置槽、排水口和半导体制冷片；所述加热腔体与所述控湿腔体之间通过换气扇加速气体交换；所述传感模块、所述加热腔体、所述控湿腔体的物理信号由所述中央控制单元、所述信息处理电路和所述调节模块进行控制、调节；所述显示电路具有数字显示等功能。本发明结构简单紧凑，使用方便，适应性好，节能环保，干净卫生，安全可靠。
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公开(公告)号：CN104241277A
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN201410521878.X
申请日：2014-09-28
Applicant: 江南大学
Abstract: 一种具有高维持电压内嵌GDPMOS的SCR器件，可用于高压片上IC的ESD保护电路。主要由P衬底、N阱、P阱、第一N+注入区、第一P+注入区、第二P+注入区、第二N+注入区、第三N+注入区、第三P+注入区、金属阳极、金属阴极、多晶硅栅、薄栅氧化层和若干场氧隔离区构成。该具有高维持电压内嵌GDPMOS的SCR器件在高压ESD脉冲作用下，一方面由第一P+注入区、N阱、第二N+注入区、P阱、第三N+注入区形成寄生SCR电流泄放路径，提高器件的失效电流、增强器件的ESD鲁棒性；另一方面利用第一P+注入区、多晶硅栅、薄栅氧化层与第二P+注入区形成的PMOS管，通过栅极接高电位形成GDPMOS管，以抑制SCR器件发生强回滞，提高器件的维持电压，增强器件的抗闩锁能力。
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公开(公告)号：CN103715233A
公开(公告)日：2014-04-09
申请号：CN201410011734.X
申请日：2014-01-10
Applicant: 江南大学
Abstract: 一种具有高维持电压的LDMOS结构的ESD保护器件，可用于片上IC高压ESD保护电路。主要由P衬底、高压N阱、N阱、P阱、P下沉掺杂、P+注入区、第一N+注入区、第二N+注入区、金属阳极、金属阴极、多晶硅栅、薄栅氧化层和若干场氧隔离区构成。该LDMOS结构的ESD保护器件在高压ESD脉冲作用下，一方面由P下沉掺杂、N阱、高压N阱、P阱、第一N+注入区形成寄生SCR电流泄放路径，提高器件的失效电流、增强器件的ESD鲁棒性；另一方面利用第二N+注入区与P下沉掺杂之间形成的反偏PN结，提高器件的维持电压，增强器件的抗闩锁能力。
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公开(公告)号：CN204167320U
公开(公告)日：2015-02-18
申请号：CN201420575238.2
申请日：2014-09-28
Applicant: 江南大学
Abstract: 一种具有高维持电压的IGBT结构的ESD保护器件，可用于片上IC高压ESD保护电路。主要由P衬底、高压N阱、N阱、P阱、第一P+注入区、第二P+注入区、N+注入区、第三P+注入区、第四P+注入区、金属阳极、金属阴极、多晶硅栅、薄栅氧化层和若干场氧隔离区构成。该IGBT结构的ESD保护器件在高压ESD脉冲作用下，一方面由第三P+注入区、N阱、高压N阱、P阱、N+注入区形成具有PNPN结构的电流泄放路径，提高器件的失效电流、增强器件的ESD鲁棒性；另一方面由第三P+注入区、N阱、第四P+注入区、第一P+注入区、P阱以及第二P+注入区形成寄生PNP三极管和寄生电阻串联的另一条电流泄放路径，以提高器件的维持电压，增强器件的抗闩锁能力。
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