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公开(公告)号：CN111162354B
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202010049203.5
申请日：2020-01-16
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明为一种电控转换的太赫兹带通/带阻滤波器，包括高阻硅基底、位于高阻硅基底之上的绝缘层表面固定二维阵列。每个阵列单元包括一个冂形金属结构、2个T形金属结构、2个I形金属结构及1条引线。内相变垫片处于单元内的二I形结构相对端的下方，间相变垫片处于行间相对的T形结构横条下方。二维阵列两侧各固定一电极，分别连接直流电源的正负极，不通电时，相变垫片低电导，本滤波器工作于带阻滤波状态；通电加热时，相变垫片高电导，本滤波器工作于带通滤波状态。本发明电控实现太赫兹滤波器的带通滤波/带阻滤波状态的转换，无需繁琐的更换不同功能太赫兹滤波器，适用于不同场合，操作简单，本太赫兹滤波器的应用范围显著地被拓展。
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公开(公告)号：CN117374537A
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN202311591884.8
申请日：2023-11-27
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开一种电热控的太赫兹单峰‑双峰‑宽带的偏振转换滤波器，通过两个直流电源分别对第一偏振控制结构层和第二偏振控制结构层的金属贴片施加电压，产生电致焦耳热来触发热致相变贴片的相变，使其从绝缘态转变为金属态；同时在第一绝缘层和第二绝缘层中间加入纳米隔热层，使得第一偏振控制结构层和第二偏振控制结构层的可重构超表面单独调控，从而实现对太赫兹波的三种工作状态(单峰‑双峰‑宽带的偏振转换透射)的动态调控切换。实验表明，本发明在单峰和双峰的透射率能达到50％以上，宽带透射率能达到40％以上，适用于太赫兹偏振复用通信等领域。
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公开(公告)号：CN116722366A
公开(公告)日：2023-09-08
申请号：CN202310569225.8
申请日：2023-05-19
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开一种宽频带电控转换的太赫兹超表面或非门逻辑编码器由高阻硅层、聚酰亚胺层、共地电极和频率控制结构组成；聚酰亚胺层和高阻硅层相叠置，且聚酰亚胺层的下表面与高阻硅层的上表面相贴；频率控制结构叠置于聚酰亚胺层的上表面，共地电极叠置于高阻硅层的下表面。频率控制结构的2个电极贴片分别经由1个开关与直流稳压电源的正极连接，共地电极直接与直流稳压电源的负极连接。本发明利用对石墨烯施加电压改变其电导率的特性，实现在特定频带下透射率的调控，可实现通过输入两个数字逻辑电信号达到宽频带输出一个或非门数字逻辑太赫兹信号的效果，具有制作简单，成本低，且性能稳定的特点。
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公开(公告)号：CN111952731B
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202010854239.0
申请日：2020-08-24
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种电控转换的太赫兹单频‑三频吸收转换器，包括由下到上依次叠接的金属背板、高阻硅层和二维阵列结构，所述二维阵列结构包括一组阵列排布的阵列单元，每个阵列单元包括规格相同呈十字形水平间隔设置的第一金属结构和第二金属结构，第一金属结构与第二金属结构之间设有相变垫片及规格相同呈C字形的第三金属结构和第四金属结构，相变垫片位于第三金属结构和第四金属结构之间。这种吸收转换器可实现多频率的吸收，适用不同场合，结构简单，操作方便。
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公开(公告)号：CN113945536A
公开(公告)日：2022-01-18
申请号：CN202111137733.6
申请日：2021-09-27
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G01N21/3586
Abstract: 本发明公开了一种基于类太赫兹频率梳检测生物分子的方法，通过构造类太赫兹频率梳的方法来检测生物分子的种类和浓度，首先构造类太赫兹频率梳，随后测试类太赫兹频率梳空载时的空载光谱，再测试类太赫兹频率梳表面覆盖样品时的覆盖光谱，将所述覆盖光谱与所述空载光谱相减获得样品吸收谱，最后将所述样品吸收谱与常见生物分子的指纹谱库对比识别生物分子的种类；进一步地，对比所述空载光谱与所述覆盖光谱，得到各吸收峰的频移量，再通过计算比较获得生物分子浓度，此方法准确性高、操作简单、不需要标记物，解决了现有技术中的依赖标记检测生物分子的技术问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111952731A
公开(公告)日：2020-11-17
申请号：CN202010854239.0
申请日：2020-08-24
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种电控转换的太赫兹单频-三频吸收转换器，包括由下到上依次叠接的金属背板、高阻硅层和二维阵列结构，所述二维阵列结构包括一组阵列排布的阵列单元，每个阵列单元包括规格相同呈十字形水平间隔设置的第一金属结构和第二金属结构，第一金属结构与第二金属结构之间设有相变垫片及规格相同呈C字形的第三金属结构和第四金属结构，相变垫片位于第三金属结构和第四金属结构之间。这种吸收转换器可实现多频率的吸收，适用不同场合，结构简单，操作方便。
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公开(公告)号：CN119804381A
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202510005935.7
申请日：2025-01-02
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G01N21/3586 , B82Y15/00 , B82Y40/00 , G01N33/68 , G01N33/574 , G01N33/58 , G01N21/3577
Abstract: 本发明涉及太赫兹生物检测技术领域，具体公开了一种结合适配体和太赫兹超材料传感器检测MUC1黏蛋白的方法，包括如下步骤：测试太赫兹超材料传感器的空载光谱；制备金纳米粒子；制备适配体标记的金纳米粒子；双适配体夹心结构的制备；测试太赫兹超材料传感器覆盖测试样品时的光谱；根据光谱的频移量建立关系式并计算MUC1浓度。本发明的太赫兹超材料传感器具有高灵敏度，适配体修饰后的传感器具有高特异性的MUC1黏蛋白识别能力。因此，本发明一种结合适配体和太赫兹超材料传感器检测MUC1黏蛋白的方法，在高灵敏度与高特异性MUC1黏蛋白检测领域具有重要应用价值。
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公开(公告)号：CN119804380A
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202510005898.X
申请日：2025-01-02
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G01N21/3586 , B32B9/04 , B32B27/28 , B32B3/08
Abstract: 本发明公开了一种基底叠加聚酰亚胺的太赫兹超材料传感器，包括高阻硅基底、叠加在高阻硅基底之上的聚酰亚胺和固定于聚酰亚胺表面的二维阵列，每个阵列单元包括一个圆环金属结构和一个方形开口环金属结构。圆环金属结构的中心与阵列单元的中心重合，包围方形开口环金属结构且无连接；方形开口环金属结构的垂直平分线与圆环金属结构的重合，且处于圆环金属结构的环内，开口位于方形开口环金属结构的上臂，且位于上臂的中心。通过在高阻硅基底之上引入一层聚酰亚胺，使本发明的传感器具有更高的谐振强度、灵敏度和品质因素，而且制作工艺成熟，特别适合作为痕量生物分子的高灵敏度传感。
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公开(公告)号：CN115663428A
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN202211388757.3
申请日：2022-11-08
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01P1/20
Abstract: 本发明公开一种电控转换的太赫兹单频‑双频‑三频带通滤波器，由高阻硅层、聚酰亚胺层、共地电极和频率控制结构组成。聚酰亚胺层和高阻硅层相叠置，且聚酰亚胺层的下表面与高阻硅层的上表面相贴；频率控制结构叠置于聚酰亚胺层的上表面，共地电极叠置于高阻硅层的下表面。频率控制结构的2个电极贴片分别经由1个开关与直流稳压电源的正极连接，共地电极直接与直流稳压电源的负极连接。与现有技术相比，本发明可实现多频率的滤波，适用于不同场合，结构简单，操作方便。
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公开(公告)号：CN104316169B
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：CN201410634569.3
申请日：2014-11-12
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G01J1/04
Abstract: 本发明为一种基于氧化钒光栅的太赫兹频段可调超宽带吸波体，包括由下至上依次重叠的硅基底、金属层、氧化钒层、介质层和氧化钒光栅，各层为相同的矩形，构成长方体的吸波体单元，氧化钒光栅每一个栅条为矩形线条，平行于介质层矩形的边。栅条厚度为0.2～2微米，宽度为2～20微米；中心间距为6～40微米。吸波体单元长宽为100～500微米；金属层的材料是金、银、铜和铝中的任一种，介质层是聚合物层或者二氧化硅层，厚度为2～30微米；多个吸波体单元组成N×N紧密二维阵列，N≥10，使阵列长宽大于入射的太赫兹波束横径。本发明实现了太赫兹频段的超宽带吸收及吸收率可调，制作简单，成本低，且性能稳定。
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