一种等摩尔比尖晶石型高熵氧化物形成能的筛选方法

    公开(公告)号:CN119230031A

    公开(公告)日:2024-12-31

    申请号:CN202411478065.7

    申请日:2024-10-22

    Abstract: 本发明公开了一种等摩尔比尖晶石型高熵氧化物形成能的筛选方法,包括如下步骤:1)获取基底晶体信息;2)获取基底晶体的空间坐标;3)制作全组合的POSCAR文件;4)制作对应POTCAR;5)高通量第一性原理计算;6)计算单原子平均形成能;7)单原子平均形成能数表;8)外推六元尖晶石形成能;9)聚类分析。这种方法能估计六元高熵尖晶石的形成能,而且能免计算六元大晶胞的第一性原理巨大的计算代价,能快速筛选出,哪些元素占据A位点、B位点有利于尖晶石型高熵氧化物稳定地存在;筛选出哪些元素组合可以稳定地存在。

    一种疏水性席夫碱钴@β环糊精-石墨烯多孔碳复合材料的制备及应用

    公开(公告)号:CN110931271B

    公开(公告)日:2021-04-13

    申请号:CN201911346431.2

    申请日:2019-12-24

    Abstract: 本发明涉及一种疏水性席夫碱钴@β环糊精‑石墨烯多孔碳复合材料的制备及应用。该方法采用均相反应釜、醇热法合成了疏水性5‑氯水杨醛缩二氰二胺席夫碱钴金属配合物,然后与疏水性β环糊精形成包合物,并与氧化石墨烯稳定交联,最后经过过滤、洗涤、干燥以及高温煅烧等处理制得。该材料具有以下优点:5‑氯水杨醛缩二氰二胺席夫碱钴金属配合物具有疏水性结构,为内部疏水外部亲水结构的β环糊精成功包埋提供了反应基础条件;采用溶剂热法和碳化法,工艺简单,环境友好;水/醇介质体系增强了材料的分散性。作为超级电容器电极材料的应用,在0‑0.4V范围内充放电,在放电电流密度为1A/g时,比电容可以达到500‑1000F/g,且具有优异的电化学特性和化学稳定性。

Patent Agency Ranking