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公开(公告)号：CN110579612A
公开(公告)日：2019-12-17
申请号：CN201910990081.7
申请日：2019-10-17
Applicant: 桂林理工大学
IPC: G01N33/68 , G01N21/552 , G01N27/26
Abstract: 本发明公开了一种嵌入式Au纳米薄膜电极表面等离子体共振免疫分析的方法。其方法步骤：采用柠檬酸钠还原法制备的胶体金，并利用自组装的方式将胶体金修饰在ITO电极上，通过简单的退火处理改变该传感器的局与表面等离子共振灵敏度，实现对鼠抗人IgG的灵敏检测。本发明方法制备过程简单，成本低廉。
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公开(公告)号：CN110176389A
公开(公告)日：2019-08-27
申请号：CN201910431722.5
申请日：2019-05-23
Applicant: 桂林理工大学
IPC: H01L21/02 , H01L31/0336 , B82Y10/00 , B82Y15/00 , B82Y30/00
Abstract: 本发明公开了一种制备金-硫化银-磷酸铅异质结纳米薄膜的方法。其方法步骤：先利用循环伏安法将PbS沉积在电极表面，然后将电极置于Ag2S的生长液中，于于60℃恒温水浴锅中反应24h后，电极表面即可同时生长出Ag2S-Pb3(PO4)2异质结纳米薄膜。随后将Ag2S-Pb3(PO4)2异质结纳米薄膜置于置于HAuCl4的溶液中，于60℃恒温水浴锅中反应6h，电极表面即可生成Au-Ag2S-Pb3(PO4)2异质结纳米薄膜。本发明方法成本制备过程简单，且制得的Au-Ag2S-Pb3(PO4)2异质结纳米薄膜附着力强，薄膜中金具有纳米尺寸，具有一定的生物分析应用价值。
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公开(公告)号：CN109507270A
公开(公告)日：2019-03-22
申请号：CN201811304861.3
申请日：2018-11-05
Applicant: 桂林理工大学
Abstract: 本发明公开了一种基于铜离子增敏的腺嘌呤和鸟嘌呤电化学检测方法。利用铜丝和铅笔制备铅笔芯电极，对其进行电极氧化预处理。在铜离子存在的情况下，以处理过的铅笔芯电极作为工作电极，Ag/AgCl电极为参比电极，铂丝电极为辅助电极，利用差分脉冲伏安法在pH4.5醋酸缓冲溶液中对腺嘌呤和鸟嘌呤进行检测。在不同的富集时间，pH值以及铜离子浓度等条件下研究了鸟嘌呤和腺嘌呤的电化学信号，鸟嘌呤和腺嘌呤的峰电流在5~40mg/L的浓度范围内线性关系良好，其相关系数分别为0.9920和0.9928，检出下限为5mg/L。本发明简单、检测速度快、成本低廉，且能够实现对腺嘌呤和鸟嘌呤高灵敏度检测。
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公开(公告)号：CN109164153A
公开(公告)日：2019-01-08
申请号：CN201811263875.5
申请日：2018-10-28
Applicant: 桂林理工大学
Abstract: 本发明公开了一种罗丹明6G-钯薄膜修饰ITO电极的制备方法及其应用。利用循环伏安法，以ITO电极作为工作电极，铂电极为辅助电极，Ag/AgCl为参比电极，制备了罗丹明6G-钯薄膜修饰ITO电极，罗丹明6G-钯薄膜修饰ITO电极的聚合条件为扫描电位范围在-1.2~1.6 V；扫描速率为0.05 V/s；扫描段数为20段。实验发现，在0.1 mol/L NaOH溶液中，扫1.3描5×速1率0-控3 m制ol在/L0.的1m范V围/s内，醛呈的良峰好电的流线与性其关浓系度，线在性1方.0×程1为0-Y4~=1.92103+6.44912 X，线性相关系数为r=0.996，检出限为6.7×10-5mol/L，相对标准偏差为3.5%。本发明方法中，修饰电极制备过程简单，成本低，在测定甲醛方面有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN105372306B
公开(公告)日：2018-04-10
申请号：CN201510880001.4
申请日：2015-12-06
Applicant: 桂林理工大学
IPC: G01N27/30
Abstract: 本发明公开了一种罗丹明6G‑磷钨酸杂化纳米微粒修饰玻碳电极的方法。分别取5~10 mL罗丹明6G乙醇溶液和磷钨酸水溶液于烧杯中混合搅拌、晃动，然后取20~30μL混合液直接滴在玻碳电极上，等自然晾干后形成罗丹明6G‑磷钨酸杂化纳米微粒修饰玻碳电极。该方法简便、快速，无需离心分离等步骤，制得的罗丹明6G‑磷钨酸杂化纳米微粒具有良好的吸附性能和成膜性，是一种良好的玻碳电极修饰材料，可应用到多巴胺的电化学检测中。
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公开(公告)号：CN106501344A
公开(公告)日：2017-03-15
申请号：CN201610940878.2
申请日：2016-10-26
Applicant: 桂林理工大学
Abstract: 本发明公开了一种制备Ag2Se-Pb3(PO4)2异质结纳米薄膜的方法。利用电沉积的方法将PbSe沉积在电极表面，形成一种载体薄膜，把电极浸入Ag2Se生长溶液中，再在恒温水浴锅中生长24h，最后取出电极，电极上就生长出Ag2Se-Pb3(PO4)2异质结纳米薄膜。本发明方法制备过程简单，且所制得的Ag2Se-Pb3(PO4)2异质结纳米薄膜附着力强，效率高，成本低，易于大规模推广生产。
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公开(公告)号：CN106335873A
公开(公告)日：2017-01-18
申请号：CN201610940877.8
申请日：2016-10-26
Applicant: 桂林理工大学
CPC classification number: B82B3/0038 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种制备Pb3(PO4)2纳米线薄膜的方法。利用电沉积的方法将PbS沉积在电极表面，形成一种载体薄膜，把电极浸入PBS缓冲溶液中，再在恒温水浴锅中生长48~72小时，最后取出电极，电极上就自发地生长上Pb3(PO4)2纳米线薄膜。本发明方法制备过程简单，且所制得的Pb3(PO4)2纳米线薄膜的附着力强，形貌规整，长径比大，直径均一，效率高，成本低，易于大规模生产，在电极材料、传感器和增塑剂等领域有着潜在的应用价值。
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公开(公告)号：CN103884753B
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201310705672.8
申请日：2013-12-19
Applicant: 桂林理工大学
Abstract: 本发明公开了一种罗丹明6G/8-羟基喹啉薄膜修饰电极的制备方法及应用，在pH7.0罗丹明6G浓度为5.0×10-3mol/L的溶液中利用循环伏安法将Rh6G聚合到ITO电极上，待罗丹明6G薄膜完全干后，再利用循环伏安，将8-羟基喹啉修饰到电极上，这样就制备出了表面均匀、稳定性好的罗丹明6G/8-羟基喹啉薄膜修饰电极。该修饰电极制备方法简单，稳定性好，灵敏度高，可重复使用，在过氧化氢检测方面具有一定的应用前景。
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公开(公告)号：CN110711610B
公开(公告)日：2021-10-29
申请号：CN201910990082.1
申请日：2019-10-17
Applicant: 桂林理工大学
Abstract: 本发明公开了一种超疏水/超亲水混合图案微阵列树枝状金芯片的制备方法。其方法步骤：先将ITO表面进行巯基硅烷化处理，以增加其对Au纳米微粒的粘附性，然后利用恒电压沉积技术将具有树枝晶形貌的纳米金沉积在ITO电极上。之后通过在120℃的恒温干燥箱中反应3h，将树枝状金ITO表面的润湿态由亲水态转变为超疏水态。最后通过激光刻蚀技术，在超疏水表面刻蚀出8个具有超亲水边缘的微阵列圆孔，以得到超疏水/超亲水混合图案微阵列树枝状金芯片。本发明方法制备过程简单，成本低廉，制备的芯片具有富集微液滴的能力，且得到的树枝状金表面洁净、无污染，在生物分析、表面拉曼增强领域有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN112940458A
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN202110161976.7
申请日：2021-02-05
Applicant: 桂林理工大学 , 广东优巨先进新材料股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种低介电液晶复合材料及其制备方法和应用，所述低介电液晶复合材料，按重量份数计，包括组分：液晶聚合物40~70份；聚四氟乙烯25~50份；相容剂2~9份。本发明通过选用特定结构的液晶聚合物，添加特定量聚四氟乙烯，可以显著降低材料的介电常数，同时提高材料的流动性，改善材料的加工性能，制备得到介电常数低于2.5的液晶复合材料，能够满足目前电子电气领域的发展对低介电材料的需求，特别适用于精密电子电器设备。
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