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公开(公告)号：CN105499596B
公开(公告)日：2017-12-12
申请号：CN201510880317.3
申请日：2015-12-06
Applicant: 桂林理工大学
Abstract: 本发明公开了一种在电沉积CdSe薄膜上自发生长Au纳米微粒的方法。利用二价镉盐和二氧化硒（SeO2）混合溶液，先利用电沉积的方法将CdSe沉积在电极表面，形成一种载体薄膜，把电极浸入Au纳米颗粒生长液中，再在恒温水浴锅中生长1~3h，最后取出电极，电极上就自发地生长上Au纳米微粒。本发明方法制备步骤简单，所沉积的复合膜附着力强，效率高，成本低廉，非常适宜大规模生产。
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公开(公告)号：CN105499596A
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201510880317.3
申请日：2015-12-06
Applicant: 桂林理工大学
Abstract: 本发明公开了一种在电沉积CdSe薄膜上自发生长Au纳米微粒的方法。利用二价镉盐和二氧化硒（SeO2）混合溶液，先利用电沉积的方法将CdSe沉积在电极表面，形成一种载体薄膜，把电极浸入Au纳米颗粒生长液中，再在恒温水浴锅中生长1~3h，最后取出电极，电极上就自发地生长上Au纳米微粒。本发明方法制备步骤简单，所沉积的复合膜附着力强，效率高，成本低廉，非常适宜大规模生产。
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公开(公告)号：CN103884753B
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201310705672.8
申请日：2013-12-19
Applicant: 桂林理工大学
Abstract: 本发明公开了一种罗丹明6G/8-羟基喹啉薄膜修饰电极的制备方法及应用，在pH7.0罗丹明6G浓度为5.0×10-3mol/L的溶液中利用循环伏安法将Rh6G聚合到ITO电极上，待罗丹明6G薄膜完全干后，再利用循环伏安，将8-羟基喹啉修饰到电极上，这样就制备出了表面均匀、稳定性好的罗丹明6G/8-羟基喹啉薄膜修饰电极。该修饰电极制备方法简单，稳定性好，灵敏度高，可重复使用，在过氧化氢检测方面具有一定的应用前景。
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公开(公告)号：CN103884753A
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN201310705672.8
申请日：2013-12-19
Applicant: 桂林理工大学
Abstract: 本发明公开了一种罗丹明6G/8-羟基喹啉薄膜修饰电极的制备方法及应用，在pH7.0罗丹明6G浓度为5.0×10-3mol/L的溶液中利用循环伏安法将Rh6G聚合到ITO电极上，待罗丹明6G薄膜完全干后，再利用循环伏安，将8-羟基喹啉修饰到电极上，这样就制备出了表面均匀、稳定性好的罗丹明6G/8-羟基喹啉薄膜修饰电极。该修饰电极制备方法简单，稳定性好，灵敏度高，可重复使用，在过氧化氢检测方面具有一定的应用前景。
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