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公开(公告)号：CN103201232B
公开(公告)日：2014-12-03
申请号：CN201180054499.9
申请日：2011-11-11
Applicant: 株式会社钢臂功科研
IPC: C23C14/34 , C04B35/453 , C04B35/00 , C04B35/457
CPC classification number: H01B1/08 , C04B35/453 , C04B35/457 , C04B35/6261 , C04B35/62695 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C04B2235/3293 , C04B2235/6567 , C04B2235/6585 , C04B2235/77 , C04B2235/80 , C23C14/086 , C23C14/3414
Abstract: 本发明的氧化物烧结体是将氧化锌、氧化锡和氧化铟的各粉末混合并烧结而得到的氧化物烧结体，在对氧化物烧结体进行X射线衍射时，以Zn2SnO4相为主相，具有在ZnSnO3中固溶有In和/或In2O3的In/In2O3-ZnSnO3固溶体，且未检测到ZnxInyOz相(x、y、z为任意的正整数)。根据本发明，能够提供一种适合用于制造显示装置用氧化物半导体膜的氧化物烧结体，所述氧化物烧结体兼具高导电性和高相对密度，能够使具有高载流子迁移率的氧化物半导体膜成膜。
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公开(公告)号：CN102362002B
公开(公告)日：2013-12-25
申请号：CN201080011383.2
申请日：2010-04-14
Applicant: 株式会社钢臂功科研
CPC classification number: C23C14/3414 , B22F2998/10 , C22C1/0425 , C22C9/00 , B22F9/082 , C23C14/34 , B22F3/15
Abstract: 本发明提供一种Cu-Ga合金溅射靶，可形成膜的成分组成的均匀性(膜均匀性)优异的Cu-Ga溅射膜且可降低溅射中的穿孔产生，同时，强度高且可抑制溅射中的裂纹。本发明是一种包含含有Ga的Cu基合金的溅射靶，其平均结晶粒径为10μm以下，且孔隙率为0.1％以下。
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公开(公告)号：CN101691657B
公开(公告)日：2012-07-25
申请号：CN200910132939.2
申请日：2009-03-31
CPC classification number: C23C14/3414 , C22C21/00 , C22F1/04
Abstract: 本发明提供一种能减少溅射靶在使用初始阶段产生的飞溅，由此防止配线膜等中产生的缺陷，提高FPD的成品率和动作性能的Al-(Ni，Co)-(Cu，Ge)-(La，Gd，Nd)系合金溅射靶及其制造方法。本发明涉及构成分别含有选自A组(Ni，Co)中的至少一种、选自B组(Cu，Ge)中的至少一种和选自C组(La，Gd，Nd)中的至少一种的Al-(Ni，Co)-(Cu，Ge)-(La，Gd，Nd)系合金溅射靶，并且其维氏硬度(HV)为35以上的Al-基合金溅射靶。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102362002A
公开(公告)日：2012-02-22
申请号：CN201080011383.2
申请日：2010-04-14
Applicant: 株式会社钢臂功科研
CPC classification number: C23C14/3414 , B22F2998/10 , C22C1/0425 , C22C9/00 , B22F9/082 , C23C14/34 , B22F3/15
Abstract: 本发明提供一种Cu-Ga合金溅射靶，可形成膜的成分组成的均匀性(膜均匀性)优异的Cu-Ga溅射膜且可降低溅射中的穿孔产生，同时，强度高且可抑制溅射中的裂纹。本发明是一种包含含有Ga的Cu基合金的溅射靶，其平均结晶粒径为10μm以下，且孔隙率为0.1％以下。
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公开(公告)号：CN102057074A
公开(公告)日：2011-05-11
申请号：CN200980121618.0
申请日：2009-06-08
CPC classification number: C22C1/0416 , B22F2998/10 , C23C14/3414 , B22F9/082 , B22F1/0003
Abstract: 本发明提供一种能够以高成品率制造含有稀土类元素、和熔点比Al高的高熔点元素的Al基合金溅射靶材的方法。本发明涉及Al基合金溅射靶材的制造方法，包括如下工序：准备由雾化法制造的含有稀土类元素的Al基合金的第一粉末的工序、将第一粉末和含有一种以上的熔点比Al高的高熔点元素X的第二粉末进行混合的工序、和使第一粉末和第二粉末的混合粉末致密化的工序，在所述混合工序中，第一粉末的最大粒径(a)为10～200μm，所述第二粉末的最大粒径(b)为10～150μm，所述第一粉末的最大粒径(a)和所述第二粉末的最大粒径(b)的比(a)/(b)为0.5～5。
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公开(公告)号：CN101220458B
公开(公告)日：2010-09-22
申请号：CN200710193219.8
申请日：2007-11-20
CPC classification number: C23C14/3414 , C22C21/00 , Y10T428/12229
Abstract: 本发明涉及一种Al-基合金溅射靶，其包含0.05至10原子％的量的Ni，其中当根据电子反向散射衍射花样法观察Al-基合金溅射靶的溅射表面的法线方向上的结晶取向 、 、 和 时，所述Al-基合金溅射靶满足：(1)P值对溅射表面的总面积的比率为70％以上，其中P值表示 ±15°、 ±15°、 ±15°和 ±15°的面积分数的总和；(2) ±15°的面积分数对P值的比率为30％以上；和(3) ±15°的面积分数对P值的比率为10％以下。
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公开(公告)号：CN101353779A
公开(公告)日：2009-01-28
申请号：CN200810134033.X
申请日：2008-07-22
CPC classification number: C23C14/3414 , B22F2998/10 , C22C1/0491 , C22C21/00 , C22F1/04 , B22F9/082 , B22F3/115 , B22F3/15 , B22F3/17 , B22F3/18
Abstract: 本发明涉及一种含有Ni、La和Si的Al－Ni－La－Si体系Al－基合金溅射靶，其中当使用扫描电子显微镜以2000倍的放大倍数观察在垂直于所述溅射靶的平面的横截面中从(1/4)t至(3/4)t(t：厚度)的截面时，(1)按面积分数计，平均粒径为0.3μm至3μm的Al－Ni体系金属间化合物的总面积相对于全部Al－Ni体系金属间化合物的总面积为70％以上，所述Al－Ni体系金属间化合物主要由Al和Ni组成；并且(2)按面积分数计，平均粒径为0.2μm至2μm的Al－Ni－La－Si体系金属间化合物的总面积相对于全部Al－Ni－La－Si体系金属间化合物的总面积为70％以上，所述Al－Ni－La－Si体系金属间化合物主要由Al、Ni、La和Si组成。
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公开(公告)号：CN101220458A
公开(公告)日：2008-07-16
申请号：CN200710193219.8
申请日：2007-11-20
CPC classification number: C23C14/3414 , C22C21/00 , Y10T428/12229
Abstract: 本发明涉及一种Al－基合金溅射靶，其包含0.05至10原子％的量的Ni，其中当根据电子反向散射衍射花样法观察Al－基合金溅射靶的溅射表面的法线方向上的结晶取向 、 、 和 时，所述Al－基合金溅射靶满足：(1)P值对溅射表面的总面积的比率为70％以上，其中P值表示 ±15°、 ±15°、 ±15°和 ±15°的面积分数的总和；(2) ±15°的面积分数对P值的比率为30％以上；和(3) ±15°的面积分数对P值的比率为10％以下。
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