公开(公告)号：CN114761607A

公开(公告)日：2022-07-15

申请号：CN202080084596.1

申请日：2020-12-07

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 越智元隆 ,  西山功兵 ,  寺前裕美 ,  湖山贵之

IPC: C23C14/08 ,  H01L29/786

Abstract: 本发明获得一种薄膜晶体管，其场效应迁移率与应力耐受性优异，并且相对于在对氧化物半导体层进行加工时所使用的湿式蚀刻液而具有优异的湿式蚀刻加工性，且相对于在对源极/漏极电极进行图案化时所使用的湿式蚀刻液而氧化物半导体层具有优异的耐湿式蚀刻性。氧化物半导体薄膜包含In、Ga、Zn及Sn、以及O，且相对于In、Ga、Zn及Sn的原子数比的合计，各金属元素的原子数比满足0.070≦In/(In+Ga+Zn+Sn)≦0.200、0.250≦Ga/(In+Ga+Zn+Sn)≦0.600、0.180≦Zn/(In+Ga+Zn+Sn)≦0.550、0.030≦Sn/(In+Ga+Zn+Sn)≦0.150，并且满足0.10≦Sn/Zn≦0.25及(Sn×In)/Ga≧0.009。

公开(公告)号：CN112018168A

公开(公告)日：2020-12-01

申请号：CN202010458017.7

申请日：2020-05-26

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 西山功兵 ,  越智元隆 ,  寺前裕美 ,  川原田乔生

IPC: H01L29/24 ,  H01L29/786 ,  C23C14/34 ,  C23C14/08

Abstract: 本发明的目的在于提供一种制造成本相对低、形成了薄膜晶体管时的载流子迁移率及光应力耐性高的氧化物半导体薄膜、薄膜晶体管及溅镀靶材。本发明为一种氧化物半导体薄膜，其包含金属元素，其中所述金属元素包含In、Zn、Fe及不可避免的杂质，相对于In、Zn及Fe的合计原子数，In的原子数为58atm％以上且80atm％以下，Zn的原子数为19atm％以上且41atm％以下，Fe的原子数为0.6atm％以上且3atm％以下。

公开(公告)号：CN108886059A

公开(公告)日：2018-11-23

申请号：CN201780021237.X

申请日：2017-04-03

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 后藤裕史 ,  越智元隆 ,  北山巧 ,  钉宫敏洋

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/786

Abstract: 一种在基板上按顺序至少具有氧化物半导体层、栅绝缘膜、栅电极、源‑漏电极和保护膜，此外还含有保护层的薄膜晶体管，其中，所述氧化物半导体层由以特定的原子数比含有In、Ga、Sn和O的氧化物构成，所述保护层含有SiNx，并且迁移率为35cm2/Vs以上。

公开(公告)号：CN108780817A

公开(公告)日：2018-11-09

申请号：CN201780013390.8

申请日：2017-02-02

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 越智元隆 ,  西山功兵 ,  后藤裕史 ,  钉宫敏洋

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

Abstract: 一种薄膜晶体管，是在基板上至少具有栅电极、栅绝缘膜、氧化物半导体层、源-漏电极、和至少一层保护膜的薄膜晶体管，其中，构成所述氧化物半导体层的金属元素含有In、Ga、Zn、和Sn，所述氧化物半导体层的各金属元素对于全部金属元素的合计(In+Ga+Zn+Sn)的比例为，In：20～45原子％，Ga：5～20原子％，Zn：30～60原子％，和Sn：9～25原子％。

公开(公告)号：CN106489209A

公开(公告)日：2017-03-08

申请号：CN201580035556.7

申请日：2015-08-06

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 越智元隆 ,  高梨泰幸 ,  三木绫 ,  后藤裕史 ,  钉宫敏洋

IPC: H01L29/786 ,  C23C14/08 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/336 ,  H01L21/363

Abstract: 一种薄膜晶体管，其在基板上依次具有栅极电极、栅极绝缘膜、氧化物半导体薄膜、用于保护氧化物半导体薄膜的蚀刻阻挡层、源-漏电极、和保护膜，氧化物半导体薄膜由氧化物构成，所述氧化物由作为金属元素的In、Ga及Sn与O构成，所述氧化物半导体薄膜具有非晶结构，且上述蚀刻阻挡层和上述保护膜的两者或一者包含SiNx。该薄膜晶体管具有约40cm2/Vs以上的极高的迁移率。

公开(公告)号：CN105917450A

公开(公告)日：2016-08-31

申请号：CN201580004436.0

申请日：2015-01-15

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 后藤裕史 ,  三木绫 ,  越智元隆

IPC: H01L21/336 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/30 ,  H01L21/28 ,  H01L29/786 ,  H01L51/50

CPC classification number: H01L27/1225 ,  G02F1/1368 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/786 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明提供一种具有极高的迁移率、且应力耐受性也优异、并且湿蚀刻特性等也良好的薄膜晶体管。本发明的薄膜晶体管在基板上依次具有栅电极、栅极绝缘膜、氧化物半导体层、源?漏电极和保护源?漏电极的保护膜，氧化物半导体层具有In、Ga、Zn、Sn和O的第一氧化物半导体层与In、Ga、Sn和O的第二氧化物半导体层的层叠结构，第二氧化物半导体层在栅极绝缘膜上形成，第一氧化物半导体层在第二氧化物半导体层与保护膜之间形成，且构成第一氧化物半导体层和第二氧化物半导体层的各金属元素的含量相对于全部金属元素的含量的原子比均控制为规定的比率。

公开(公告)号：CN102165846A

公开(公告)日：2011-08-24

申请号：CN200980137599.0

申请日：2009-11-09

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 田内裕基 ,  越智元隆 ,  佐藤俊树

IPC: H05B33/26 ,  G09F9/30 ,  H01L27/32 ,  H01L51/50 ,  H05B33/10

CPC classification number: H01L51/5218 ,  H01B1/02 ,  H01L27/3244 ,  H01L2251/5315 ,  H05B33/26 ,  Y10T428/12896 ,  Y10T428/31678

Abstract: 本发明的目的在于，不会在构成有机EL层的有机材料中形成针孔，能够避免黑点等有机EL显示器特有的劣化现象。本发明的用于有机EL显示器的反射阳极电极在基板(1)上形成，包括含有0.01～1.5原子％Nd的Ag基合金膜(6)和与该Ag基合金膜(6)上直接接触的氧化物导电膜(7)。

公开(公告)号：CN101911157A

公开(公告)日：2010-12-08

申请号：CN200880122612.0

申请日：2008-12-25

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 越智元隆 ,  后藤裕史

IPC: G09F9/30 ,  G02B5/08 ,  G02F1/1335 ,  G02F1/1343

CPC classification number: H01L51/5203 ,  G02B5/0833 ,  G02F1/133553 ,  G02F1/133555 ,  H01L27/3244

Abstract: 本发明提供一种反射电极，其为构成反射电极的金属层不隔着阻障层而与构成透明电极的氧化物导电膜直接连接的反射电极，该反射电极即使实施例如约100℃～300℃以下的低热处理，也具有高反射率和低连接电阻、且不发生丘等缺陷而耐热性优异。本发明涉及形成于基板上的显示设备用的反射电极，所述反射电极具有含有0.1～2原子％的Ni和/或Co、以及0.1～2原子％的La等X的第一Al-(Ni/Co)-X合金层；含有Al和O(氧)的第二Al氧化物层。所述Al氧化物层与透明像素电极直接连接，所述Al氧化物层中的O原子数与Al原子数的比[O]/[Al]为0.30以下，所述Al氧化物层的最薄部分的厚度为10nm以下，所述反射电极在所述第二Al氧化物层与所述透明像素电极直接连接的区域中，形成于所述透明像素电极与所述基板之间。

公开(公告)号：CN101335203B

公开(公告)日：2010-09-15

申请号：CN200810108560.3

申请日：2008-05-27

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 后藤裕史 ,  越智元隆 ,  武富雄一 ,  川上信之

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/768 ,  H01L21/84 ,  H01L23/532 ,  H01L29/43 ,  H01L27/12 ,  G02F1/1362 ,  G02F1/1343 ,  H01B13/00 ,  H01B5/14

CPC classification number: G02F1/136286 ,  B32B2457/20 ,  C22C21/00 ,  G02F2001/136295

Abstract: 本发明提供一种层叠构造及其制造方法，其不增加氧化物透明导电膜和Al合金膜之间的接触电阻且直接连接氧化物透明导电膜和Al合金、布线电阻小，在显影液等电解质液中不易发生电池作用腐蚀。其中制造层叠构造的方法具备有：在基板上形成所述氧化物透明导电膜的第一工序、在该氧化物透明导电膜上形成含有离子化倾向比铝小的合金成分的Al合金膜的第二工序、在由铝和所述合金成分构成的金属间化合物的析出温度以上，对所述Al合金膜进行加热的第三工序。

公开(公告)号：CN101691657A

公开(公告)日：2010-04-07

申请号：CN200910132939.2

申请日：2009-03-31

Applicant: 株式会社钢臂功科研 ,  株式会社神户制钢所

Inventor： 高木胜寿 ,  岩崎祐纪 ,  得平雅也 ,  后藤裕史 ,  三木绫 ,  奥野博行 ,  越智元隆 ,  岸智弥

IPC: C23C14/34 ,  C23C14/14 ,  C22C21/00 ,  C22C21/12 ,  C22C1/02 ,  C22F1/04 ,  C22F1/057

CPC classification number: C23C14/3414 ,  C22C21/00 ,  C22F1/04

Abstract: 本发明提供一种能减少溅射靶在使用初始阶段产生的飞溅，由此防止配线膜等中产生的缺陷，提高FPD的成品率和动作性能的Al-(Ni，Co)-(Cu，Ge)-(La，Gd，Nd)系合金溅射靶及其制造方法。本发明涉及构成分别含有选自A组(Ni，Co)中的至少一种、选自B组(Cu，Ge)中的至少一种和选自C组(La，Gd，Nd)中的至少一种的Al-(Ni，Co)-(Cu，Ge)-(La，Gd，Nd)系合金溅射靶，并且其维氏硬度(HV)为35以上的Al-基合金溅射靶。