公开(公告)号：CN1599047A

公开(公告)日：2005-03-23

申请号：CN200410058682.8

申请日：2004-07-28

Applicant: 株式会社瑞萨科技 ,  瑞萨东日本半导体公司

Inventor： 牧浩 ,  谷由贵夫

IPC: H01L21/52 ,  H01L21/58

CPC classification number: H01L24/83 ,  H01L21/561 ,  H01L23/3128 ,  H01L24/29 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/75 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/4824 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/4826 ,  H01L2224/73215 ,  H01L2224/83101 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/92147 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2224/85 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/01031 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/05599

Abstract: 在装配半导体集成电路器件中，要改善生产率。提供了一种矩阵衬底，且半导体芯片被放置在第一加热平台上，然后，矩阵衬底被放置在第一加热平台上的半导体芯片上，随后，在用第一加热平台直接加热芯片的情况下，用热压键合方法暂时将半导体芯片与矩阵衬底彼此键合，然后，暂时键合的矩阵衬底被放置在邻近第一加热平台的第二加热平台上，然后，在被第二加热平台直接加热的情况下，在第二加热平台上将半导体芯片热压键合到矩阵衬底。