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公开(公告)号：CN103329257B
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201180065526.2
申请日：2011-10-28
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L21/677 , B65G49/06 , C23C14/50
CPC classification number: B65G49/063 , B65G49/061 , B65G2249/02 , C23C14/50 , C23C14/56 , H01L21/67706 , H01L21/67709 , H01L21/67712 , H01L21/6776
Abstract: 一种被处理体的运送机构具备：运送部件，在下部具备圆柱状的滑动轴并运送被处理体；支撑部件，由具备与所述滑动轴相接并引导所述运送部件的U字状的槽部的多个辊构成，在所述被处理体的运送机构中，所述滑动轴及所述辊中一方的至少接触部由包括硅、铝、氧及氮的块体构成，所述滑动轴及所述辊中另一方的至少接触部由不锈钢构成。
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公开(公告)号：CN105671500A
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201610219410.4
申请日：2011-11-21
Applicant: 株式会社爱发科
CPC classification number: C23C14/3407 , H01J37/34 , H01J37/3435
Abstract: 本发明公开了一种阴极单元，该阴极单元(220)用于成膜装置(200)，包括：多个靶(C1、C2、C3)，设置在成膜空间(50)内，并具有背板(204)、第一母材(205)、第二母材(206)和旋转轴(207)，所述背板具有第一主面(204a)、第二主面(204b)、第一侧面(211)及第二侧面(212)，多个旋转轴(207)以相互平行地排列的方式配置在同一平面内；多个控制部(E1、E2、E3)，使所述旋转轴(207)旋转，并对所述靶(C1、C2、C3)施加用于溅射的电压；多个磁场生成部(H1、H2、H3)，设置在靠近所述背板(204)的远离所述成膜空间(50)的表面的位置，使得在所述背板(204)的靠近所述成膜空间(50)的表面生成特定的分布磁场。
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公开(公告)号：CN103459653B
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201180069851.6
申请日：2011-11-21
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: C23C14/34
CPC classification number: C23C14/3407 , H01J37/34 , H01J37/3435
Abstract: 该阴极单元（220）用于成膜装置（200），包括：多个靶（C1、C2、C3），设置在成膜空间（50）内，并具有背板（204）、第一母材（205）、第二母材（206）和旋转轴（207），所述背板具有第一主面（204a）、第二主面（204b）、第一侧面（211）及第二侧面（212），多个旋转轴（207）以相互平行地排列的方式配置在同一平面内；多个控制部（E1、E2、E3），使所述旋转轴（207）旋转，并对所述靶（C1、C2、C3）施加用于溅射的电压；多个磁场生成部（H1、H2、H3），设置在靠近所述背板（204）的远离所述成膜空间（50）的表面的位置，使得在所述背板（204）的靠近所述成膜空间（50）的表面生成特定的分布磁场。
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公开(公告)号：CN103283011B
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：CN201180062688.0
申请日：2011-10-25
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L21/677 , B65G49/06
CPC classification number: H01L21/67706 , B65G49/061 , B65G49/063 , B65G2249/02 , H01L21/67709 , H01L21/67718
Abstract: 一种成膜装置，具备：L/UL室；H室，与L/UL室连通；SP室，与H室连通，并且被分割为独立的第一空间和第二空间；成膜单元，分别配置在第一空间及第二空间中；真空排气装置，独立设置在L/UL室、H室、第一空间及第二空间中，并用于分别真空排气这些的内部；四条线路，由贯通L/UL室及H室，并配置在第一空间及第二空间中的各去路和回路构成；运送装置，将被处理体沿着去路或回路运送；以及移动机构，在第一空间及第二空间的内部，将运送装置从去路向回路移动。
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公开(公告)号：CN103314129B
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201180065037.7
申请日：2011-11-18
Applicant: 株式会社爱发科
CPC classification number: C23C14/3407 , H01J37/34 , H01J37/3417 , H01J37/3429 , H01J37/3435
Abstract: 该阴极（120）用于成膜装置（100），包括：靶（C）、控制部（E）以及磁场生成部（H），所述靶（C）被设置在所述成膜空间（50）内，且具有：具有第一主面（104a、214a）、第二主面（104b、214b）、第一侧面（111）和第二侧面（112）的背板（104、214），第一母材（105），第二母材（106），以及从所述第一侧面（111）向所述第二侧面（112）贯通所述背板（104、214）的旋转轴（107）；所述控制部（E）使所述旋转轴（107）旋转，经由所述旋转轴（107）对所述靶（C）供给用于溅射的电力；所述磁场生成部（H）被设置在与从所述成膜空间（50）远离的所述背板（104、214）的面靠近的位置，以在所述第一母材（105）或所述第二母材（106）生成漏磁通。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103882402A
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN201410146888.X
申请日：2008-11-26
Applicant: 株式会社爱发科
CPC classification number: C23C14/568 , H01L21/67276 , H01L21/67745
Abstract: 本发明提供一种真空处理装置（1），其串联连接多个对于被处理基板（S）进行规定处理的处理室，其中，在所述真空处理装置中设有遍及真空处理装置的多个处理室间设置的第一基板输送路（15）、和相对于第一基板输送路（15）并排设置且输送基板并同时进行各处理室内的规定处理的第二基板输送路（16），并且，在多个处理室中至少两个处理室设置有用于在第一基板输送路及第二基板输送路间使基板移动的输送路变更构件（17）。
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公开(公告)号：CN107419227A
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：CN201710291819.1
申请日：2011-10-19
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: C23C14/35
CPC classification number: C23C14/3407 , C23C14/35 , H01J37/34 , H01J37/3417 , H01J37/3429 , H01J37/3435
Abstract: 本发明涉及一种成膜装置，包括支撑台和靶，该靶(C)包括：背板(104、214)，具有第一主面(104a、214a)和位于所述第一主面(104a、214a)相反侧的第二主面(104b、214b)；第一母材(105)，被配置在所述第一主面(104a、214a)；和第二母材(106)，被配置在所述第二主面(104b、214b)。
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公开(公告)号：CN103314129A
公开(公告)日：2013-09-18
申请号：CN201180065037.7
申请日：2011-11-18
Applicant: 株式会社爱发科
CPC classification number: C23C14/3407 , H01J37/34 , H01J37/3417 , H01J37/3429 , H01J37/3435
Abstract: 该阴极（120）用于成膜装置（100），包括：靶（C）、控制部（E）以及磁场生成部（H），所述靶（C）被设置在所述成膜空间（50）内，且具有：具有第一主面（104a、214a）、第二主面（104b、214b）、第一侧面（111）和第二侧面（112）的背板（104、214），第一母材（105），第二母材（106），以及从所述第一侧面（111）向所述第二侧面（112）贯通所述背板（104、214）的旋转轴（107）；所述控制部（E）使所述旋转轴（107）旋转，经由所述旋转轴（107）对所述靶（C）供给用于溅射的电力；所述磁场生成部（H）被设置在与从所述成膜空间（50）远离的所述背板（104、214）的面靠近的位置，以在所述第一母材（105）或所述第二母材（106）生成漏磁通。
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公开(公告)号：CN103282542A
公开(公告)日：2013-09-04
申请号：CN201180063892.4
申请日：2011-10-19
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: C23C14/34
CPC classification number: C23C14/3407 , C23C14/35 , H01J37/34 , H01J37/3417 , H01J37/3429 , H01J37/3435
Abstract: 该靶（C）包括：背板（104、214），具有第一主面（104a、214a）和位于所述第一主面（104a、214a）相反侧的第二主面（104b、214b）；第一母材（105），被配置在所述第一主面（104a、214a）；和第二母材（106），被配置在所述第二主面（104b、214b）。
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公开(公告)号：CN101855384A
公开(公告)日：2010-10-06
申请号：CN200880115649.0
申请日：2008-11-26
Applicant: 株式会社爱发科
CPC classification number: C23C14/568 , H01L21/67276 , H01L21/67745
Abstract: 本发明提供一种真空处理装置(1)，其串联连接多个对于被处理基板(S)进行规定处理的处理室，其中，在所述真空处理装置中设有遍及真空处理装置的多个处理室间设置的第一基板输送路(15)、和相对于第一基板输送路(15)并排设置且输送基板并同时进行各处理室内的规定处理的第二基板输送路(16)，并且，在多个处理室中至少两个处理室设置有用于在第一基板输送路及第二基板输送路间使基板移动的输送路变更构件(17)。
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