公开(公告)号：CN1572753A

公开(公告)日：2005-02-02

申请号：CN200410048873.6

申请日：2004-06-04

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 川本光俊 ,  谷晋辅

IPC: C04B35/622

Abstract: 本发明提供一种陶瓷组合物的制造方法，该方法利用水热反应，同时能将所得的陶瓷组合物中所残留的碱量降低，使合成充分，并且能使所得的晶体粒子变小。进行如下工序：使陶瓷组合物的构成元素的离子氢氧化物化得到氢氧化物浆液的第1工序；洗净氢氧化物浆液中的氢氧化物，调整上述氢氧化物浆液的pH在9以下但不在6以下制得洗净物的第2工序；在第2工序所得的上述洗净物中，添加碱金属氢氧化物溶液，进行水热反应制得反应物的第3工序；对第3工序制得的反应物进行搅拌洗净的第4工序；在第4工序后，在反应物中添加水性溶剂调整浆液，使pH超过5且未满7，再进行水热反应的第5工序，其后，干燥反应物。

公开(公告)号：CN102473675B

公开(公告)日：2015-08-26

申请号：CN201080031298.2

申请日：2010-07-22

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 谷晋辅 ,  中矶俊幸

IPC: H01L21/82

CPC classification number: H01L23/5252 ,  H01L25/167 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种基于动作电压的施加而发生短路时，不会产生开路不良的反熔丝元件。本发明的反熔丝元件(10)具有：绝缘层(22)；形成于绝缘层(22)的上下表面的一对电极层(21)、(23)；和以与电极层(23)的同绝缘层(22)形成静电电容的部分接触的方式形成的引出电极(42)。并且，被构成为产生构造变化部(29)，该构造变化部(29)具有：在施加了绝缘层(22)的绝缘破坏电压以上的电压时，一对电极层(21)、(23)相互熔融以将绝缘层(22)卷入的形态而短路的短路部(27)；和通过绝缘层(22)被卷入而使一对电极层(21)、(23)和绝缘层(22)消失的消失部(28)。并且，引出电极(42)具有两个以上与电极层(23)接触的部分。

公开(公告)号：CN102473674B

公开(公告)日：2015-08-12

申请号：CN201080028169.8

申请日：2010-07-08

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 竹岛裕 ,  中矶俊幸 ,  谷晋辅

IPC: H01L21/82 ,  H01L21/822 ,  H01L27/04 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L23/5252 ,  H01L23/62 ,  H01L25/167 ,  H01L27/0248 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种难以产生因静电放电导致的绝缘破坏的反熔丝元件。本发明的反熔丝元件(10)的特征在于，具备电容部(20)，该电容部(20)具有绝缘层(22)和在所述绝缘层的上下面形成的至少一对电极层(21)、(23)，电容部(20)具有对静电放电的保护功能。在本发明中，电容部具有对静电放电的保护功能，因此能够提供难以产生例如因部件安装时的静电放电导致的绝缘破坏的反熔丝元件。

公开(公告)号：CN102473675A

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN201080031298.2

申请日：2010-07-22

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 谷晋辅 ,  中矶俊幸

IPC: H01L21/82

CPC classification number: H01L23/5252 ,  H01L25/167 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种基于动作电压的施加而发生短路时，不会产生开路不良的反熔丝元件。本发明的反熔丝元件(10)具有：绝缘层(22)；形成于绝缘层(22)的上下表面的一对电极层(21)、(23)；和以与电极层(23)的同绝缘层(22)形成静电电容的部分接触的方式形成的引出电极(42)。并且，被构成为产生构造变化部(29)，该构造变化部(29)具有：在施加了绝缘层(22)的绝缘破坏电压以上的电压时，一对电极层(21)、(23)相互熔融以将绝缘层(22)卷入的形态而短路的短路部(27)；和通过绝缘层(22)被卷入而使一对电极层(21)、(23)和绝缘层(22)消失的消失部(28)。并且，引出电极(42)具有两个以上与电极层(23)接触的部分。

公开(公告)号：CN1268582C

公开(公告)日：2006-08-09

申请号：CN200410048873.6

申请日：2004-06-04

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 川本光俊 ,  谷晋辅

IPC: C04B35/622

Abstract: 本发明提供一种陶瓷组合物的制造方法，该方法利用水热反应，同时能将所得的陶瓷组合物中所残留的碱量降低，使合成充分，并且能使所得的晶体粒子变小。进行如下工序：使陶瓷组合物的构成元素的离子氢氧化物化得到氢氧化物浆液的第1工序；洗净氢氧化物浆液中的氢氧化物，调整上述氢氧化物浆液的pH在9以下但不在6以下制得洗净物的第2工序；在第2工序所得的上述洗净物中，添加碱金属氢氧化物溶液，进行水热反应制得反应物的第3工序；对第3工序制得的反应物进行搅拌洗净的第4工序；在第4工序后，在反应物中添加水性溶剂调整浆液，使pH超过5且未满7，再进行水热反应的第5工序，其后，干燥反应物。

公开(公告)号：CN118355269A

公开(公告)日：2024-07-16

申请号：CN202280079574.5

申请日：2022-11-18

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 宫川成人 ,  品川步 ,  中野友美 ,  牛场翔太 ,  谷晋辅

IPC: G01N27/28 ,  G01N27/30 ,  G01N27/327 ,  G01N27/414

Abstract: 电极基板具备绝缘基板(110)和参比电极(120)。参比电极(120)形成在绝缘基板(110)上。参比电极(120)包括银层(121)、第1氯化银层(122)、和第2氯化银层(123)。银层(121)形成在绝缘基板(110)上。第1氯化银层(122)从银层(121)上一直形成到绝缘基板(110)上，覆盖银层(121)。第2氯化银层(123)从第1氯化银层(122)上一直形成到绝缘基板(110)上，覆盖第1氯化银层(122)。在任意的纵剖面中，第1氯化银层(122)的面积空隙率比第2氯化银层(123)的面积空隙率大。

公开(公告)号：CN116584173A

公开(公告)日：2023-08-11

申请号：CN202180080419.0

申请日：2021-12-22

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 佐藤弘树 ,  宫川成人 ,  牛场翔太 ,  品川步 ,  中野友美 ,  德田优果 ,  西尾圆香 ,  谷晋辅

IPC: H10K10/46 ,  H10K10/88 ,  B82Y30/00

Abstract: 构造体(1)具备：基材(11)；材料层(12)，配置在基材(11)的表面，包含二维材料或碳纳米管；以及粒子(13)，夹在基材(11)与材料层(12)之间进行配置。

公开(公告)号：CN108700613B

公开(公告)日：2021-02-09

申请号：CN201780011530.8

申请日：2017-01-10

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 谷晋辅

IPC: G01P15/09 ,  G01P15/00 ,  G01P15/08 ,  H01L41/047 ,  H01L41/113 ,  H01L41/187

Abstract: 压电器件(101)具备：铁电体层(1)，具有第1面(41)以及第2面(42)；第1电极(21)，覆盖第1面(41)的一部分且由烧结金属形成；第2电极(22)，从第1电极(21)分离并且覆盖第1面(41)的未被第1电极(21)覆盖的区域中的一部分，且由烧结金属形成；第3电极(23)，覆盖第2面(42)的一部分使得包含第2面(42)中的与第1电极(21)对置的区域，且由烧结金属形成；以及第4电极(24)，从第3电极(23)分离并且覆盖第2面(42)的未被第3电极(23)覆盖的区域中的一部分，第4电极(24)相对于第2电极(22)的至少一部分隔着铁电体层(1)而对置。

公开(公告)号：CN108352439A

公开(公告)日：2018-07-31

申请号：CN201680062849.9

申请日：2016-10-12

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 谷晋辅

IPC: H01L41/053 ,  H01L41/083 ,  H01L41/23 ,  H02N2/00

CPC classification number: H01L41/083 ,  H01L41/0477 ,  H01L41/053 ,  H01L41/1873 ,  H01L41/23 ,  H01L41/331 ,  H01L41/332 ,  H02N2/00

Abstract: 本发明具有烧结体(4)，所述烧结体(4)在优选厚度为90μm以下的形成得极薄的压电陶瓷基体(1)的两主面形成有第一导体部(2)以及第二导体部(3)，并且第一导体部(2)包含具有给定图案的多个导电膜(2a、2b)。在形成了导电膜(2a、2b)的压电陶瓷基体(1)的主面上形成有绝缘膜(5)，使得导电膜(2a、2b)的一部分露出。绝缘膜(5)的延展性与导电膜(2a、2b)相等或大于导电膜(2a、2b)。由此，即使被施加外力，也能够抑制裂缝、层间剥离等结构缺陷的产生，在不导致功能下降的情况下实现具有良好的机械强度且加工性良好的压电器件及其制造方法。

公开(公告)号：CN103098199B

公开(公告)日：2014-12-10

申请号：CN201180043631.6

申请日：2011-09-06

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 中矶俊幸 ,  竹岛裕 ,  石浦丰 ,  入江祐二 ,  谷晋辅 ,  高木纯

IPC: H01L21/822 ,  H01L21/82 ,  H01L27/04

CPC classification number: H01G4/33 ,  H01L23/5223 ,  H01L23/5252 ,  H01L23/528 ,  H01L23/53257 ,  H01L23/53261 ,  H01L27/016 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种耐湿性高的电介质薄膜元件。电介质薄膜元件(10)具备：具有电介质层(22)和形成于电介质层(22)的上下表面的一对电极层(21、23)的电容部(20)；以覆盖电容部(20)的方式形成的保护层(30)；被引出至保护层(30)的上表面的一对配线层(41、42)；表面金属层；以与配线层(41、42)电连接的方式形成的外部电极(47、48)。并且，表面金属层具有第一表面金属层(43、44)和第二表面金属层(45、46)，第一表面金属层(43、44)通过镀敷法以覆盖配线层(41、42)的沿着开口部(33、34)的内表面的部分的方式形成，第二表面金属层(45、46)通过真空薄膜法形成，第一表面金属层(43、44)的端部与第二表面金属层(45、46)的端部相接。