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公开(公告)号：CN112534719B
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN201980051515.5
申请日：2019-03-12
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H03H9/24
Abstract: 本发明涉及谐振装置。谐振装置(1)具备：下盖(20)；上盖(30)，与下盖(20)接合；以及谐振子(10)，具有在形成于下盖(20)与上盖(30)之间的振动空间弯曲振动的振动臂(121A～D)，在振动臂(121A～D)的前端部(122A～D)附着粒子(9)。在将粒子(9)的中位径设为D50，将粒子(9)的比重设为A，将谐振子(10)的谐振频率设为X时，满足#imgabs0#
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公开(公告)号：CN114762250A
公开(公告)日：2022-07-15
申请号：CN202080082448.6
申请日：2020-07-20
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H03H9/24
Abstract: 本发明涉及谐振器以及具备该谐振器的谐振装置。谐振器(10)具备：振动部(120)，具有以彼此相反的相位振动的两个部分(121A、121B)；保持部(140)，形成为将振动部(120)的至少一部分包围；以及保持单元(110)，对两个部分(121A、121B)的边界进行支承，并且将振动部(120)与保持部(140)连接，在振动部(120)的表面中的、保持单元(110)的与振动部(120)连接的连接部分(111B、112B)和沿着两个部分(121A、121B)的边界与连接部分(111B、112B)对置的端部之间的区域设置有频率调整膜(E3)。
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公开(公告)号：CN105874709B
公开(公告)日：2018-11-16
申请号：CN201580003676.9
申请日：2015-01-15
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: H03H9/02244 , H03H3/0077 , H03H3/02 , H03H3/04 , H03H9/0504 , H03H9/17 , H03H9/171 , H03H2003/027 , H03H2003/0442 , H03H2009/02173 , H03H2009/155
Abstract: 本发明提供压电振子以及压电振动装置。能够高效地进行压电振子中的共振频率的调整。压电振子具备：第一电极以及第二电极；压电膜，其形成于第一电极与第二电极之间，并且具有与第一电极对置的第一面；以及第一调整膜以及第二调整膜，它们经由第一电极与压电膜的第一面对置地形成，第一调整膜在第一面中的至少第一区域与压电膜重叠，第二调整膜在第一面中的至少与第一区域不同的第二区域与压电膜重叠，通过第一区域以及第二区域覆盖第一面的大致全域，第二区域是在该压电振子的振动时位移比第一区域大的区域，第二调整膜由蚀刻所导致的质量减少的速度比第一调整膜快的材料形成。
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公开(公告)号：CN105379115B
公开(公告)日：2017-10-13
申请号：CN201480026919.6
申请日：2014-05-01
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: H03H9/21
Abstract: 本发明提供一种不导致k2Q的降低地增大静电电容，并可降低谐振电阻的振动装置。振动装置(1)的在Y方向上延伸的2N根(N是2以上的整数)音叉臂(3)～(6)在X方向上并排，在设置有2N根音叉臂(3)～(6)的区域中，相对于通过X方向中心且在Y方向上延伸的虚拟线A，一侧的N根音叉臂(3)、(4)的弯曲振动的相位与另一侧的N根音叉臂(6)、(5)的弯曲振动的相位对称。
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公开(公告)号：CN105210294A
公开(公告)日：2015-12-30
申请号：CN201480026840.3
申请日：2014-05-01
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: H01L41/09 , H01L41/047 , H01L41/083 , H03H9/02448 , H03H9/0595 , H03H9/2452 , H03H2009/155
Abstract: 本发明提供可充分减小频率温度系数TCF的绝对值的振动装置。振动装置(1)是在俯视时，具有具备长边和短边的矩形板状的形状，并利用在上述短边方向伸缩振动模式的振动装置，包含由简并半导体构成的Si层(2)、氧化硅层(3)、压电体层(5)、以及对压电体层(5)施加电压的第一、第二电极(6、7)，在将Si层的厚度的总和设为T1、将氧化硅层(3)的厚度的总和设为T2、将未设置有氧化硅层(3)的情况下的振动装置的TCF设为x(ppm/K)时，T2/(T1+T2)处于(-0.0003x2-0.0256x+0.0008)±0.05的范围内。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111989863B
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN201880092468.4
申请日：2018-11-26
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H03H9/24
Abstract: 谐振装置(1)具备谐振器(10)、上盖(30)和下盖(20)，谐振器具有具备基部(130)和多个振动臂(135)的振动部(120)、保持部(140)以及保持臂(111、112)，下盖(20)具有在相邻的2个振动臂(135B、135C)之间突起的突起部(50)，突起部(50)具有绝缘膜(235)，振动臂(135)具有锤部(G)，锤部(G)具有形成在绝缘膜(235)上的导电膜(236)，在多个振动臂(135)延伸的方向上，与相邻的2个振动臂(135B、135C)中的任意一个的锤部(G)与保持部(140)之间的第一距离(L1)相比，锤部(G)与突起部(50)之间的第二距离(L2)较大。
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公开(公告)号：CN112534719A
公开(公告)日：2021-03-19
申请号：CN201980051515.5
申请日：2019-03-12
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H03H9/24
Abstract: 本发明涉及谐振装置。谐振装置(1)具备：下盖(20)；上盖(30)，与下盖(20)接合；以及谐振子(10)，具有在形成于下盖(20)与上盖(30)之间的振动空间弯曲振动的振动臂(121A～D)，在振动臂(121A～D)的前端部(122A～D)附着粒子(9)。在将粒子(9)的中位径设为D50，将粒子(9)的比重设为A，将谐振子(10)的谐振频率设为X时，满足
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公开(公告)号：CN109155615A
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201780028887.7
申请日：2017-03-16
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 抑制谐振子上的绝缘体层或者绝缘体层上的导电层带电的电荷给谐振频率带来的影响。具备：第一电极以及第二电极；压电膜，被设置在第一电极与第二电极之间，并具有与第一电极对置的上表面，当电压施加于第一电极和第二电极之间时以规定的振动模式振动；保护膜，由绝缘体构成，并隔着第一电极与压电膜的上表面对置地设置；以及导电膜，由导电体构成，并隔着保护膜与压电膜的上述上表面对置地设置，导电膜与第一电极以及第二电极中的任意一方电连接。
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公开(公告)号：CN105210295B
公开(公告)日：2017-10-03
申请号：CN201480026898.8
申请日：2014-05-01
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: H03H9/21 , H01L41/0478
Abstract: 本发明提供可进一步减小频率温度系数TCF的绝对值的振动装置。振动装置(1)是在基部(2)上，在X方向并排有向Y方向延伸的多个音叉臂(3～5)，音叉臂(3～5)具有在作为简并半导体的Si层(11)上层叠有氧化硅层(12)，在氧化硅层(12)上设置有激发部(13)的构造，在将Si层(11)的厚度的总和设为T1、将氧化硅层(12)的厚度的总和设为T2、将在Si层(11)上未设置有氧化硅层(12)的情况下的频率温度系数TCF设为x时，厚度比T2/(T1+T2)成为(‑0.0002x2‑0.0136x+0.0014)±0.05的范围内。
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公开(公告)号：CN105210295A
公开(公告)日：2015-12-30
申请号：CN201480026898.8
申请日：2014-05-01
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: H03H9/21 , H01L41/0478
Abstract: 本发明提供可进一步减小频率温度系数TCF的绝对值的振动装置。振动装置(1)是在基部(2)上，在X方向并排有向Y方向延伸的多个音叉臂(3～5)，音叉臂(3～5)具有在作为简并半导体的Si层(11)上层叠有氧化硅层(12)，在氧化硅层(12)上设置有激发部(13)的构造，在将Si层(11)的厚度的总和设为T1、将氧化硅层(12)的厚度的总和设为T2、将在Si层(11)上未设置有氧化硅层(12)的情况下的频率温度系数TCF设为x时，厚度比T2/(T1+T2)成为(-0.0002x2-0.0136x+0.0014)±0.05的范围内。
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