公开(公告)号：CN102459127A

公开(公告)日：2012-05-16

申请号：CN201080024406.3

申请日：2010-06-03

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 川濑洋一 ,  奥田俊介 ,  平田雄一 ,  并河康训

IPC: C04B35/46 ,  H01B3/12 ,  H01C7/02

CPC classification number: H01C7/025 ,  C04B35/4682 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3296 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/6565

Abstract: 本发明提供布温度传感器用途的PCT热敏电阻中能够使用的、具有包括线性特性在内、作为PTC热敏电阻有利的特性的钛酸钡系半导体瓷器组合物以及钛酸钡系半导体瓷器元件。所述钛酸钡系半导体瓷器组合物，其特征在于，由通式(Ba(1-v-w)MevSrw)TixO3+ySiO2(其中，Me为选自Er、Sm、Ce、La中的至少一种)表示，并且v、w、x、y分别在0.001≤v≤0.005、0.42≤w≤0.49、0.99≤x≤1.03、0.002≤y≤0.030的范围内。

公开(公告)号：CN1171244C

公开(公告)日：2004-10-13

申请号：CN01122782.6

申请日：2001-07-20

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 长尾吉高 ,  并河康训 ,  广田俊春

IPC: H01B3/12 ,  C04B35/462 ,  H01C7/02 ,  H04N9/29

CPC classification number: H01C7/025

Abstract: 一种半导体陶瓷。其中包括铒，它在主要成份钛酸钡、钛酸锶、钛酸铅和钛酸钙中作半导体媒介，半导体陶瓷的平均颗粒直径大约超过约5μm，但不到约14μm。此外，在每100mol的主要成份中，半导体陶瓷包含：一种作为添加物的含有Er的化合物，其中Er超过约0.15mol但不到约0.33mol；一种含有Mn的化合物，其中Mn为约0.01mol或更多但不到约0.03mol；一种含有Si的化合物，其中Si为约1.0mol或更多但不到约5.0mol。因此，该半导体陶瓷和正温度系数热敏电阻可提供高快速击穿性，在通断应用测试中能体现很好的效果且电阻率值不规则性很小。

公开(公告)号：CN1127096C

公开(公告)日：2003-11-05

申请号：CN98120480.5

申请日：1998-10-26

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 并河康训 ,  芳贺岳夫

IPC: H01C7/02

CPC classification number: H01C7/18 ,  H01C1/1406 ,  H01C7/02

Abstract: 一种盘形主体的PTC热敏电阻在相互分开面对着的主表面上的电极，使得在两电极间加电压后的初期，主体侧表面在沿主表面法线方向的电极之间有不对称的温度分布。发热峰值区不在沿厚度方向的电极间中间位置，这样提高了热敏电阻的抗脉冲强度。它可以通过采用不同尺寸的电极或使主体的特定电阻分布不均匀使发热峰值区离开主体两个主表面间的中心区域作到这一点。

公开(公告)号：CN1089735C

公开(公告)日：2002-08-28

申请号：CN97199782.9

申请日：1997-11-06

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 柿原佐斗志 ,  广田俊春 ,  并河康训 ,  山元敬之

IPC: C04B35/46 ,  H01L23/15

CPC classification number: H01C7/025 ,  C04B35/4684

Abstract: 本发明提供了通过提高耐涌流特性，可使热敏电阻元件小型化的钛酸钡系半导体瓷器组合物。钛酸钡系半导体瓷器组合物的主成分BaTiO3中一部分Ba被1～25摩尔%的Ca、1～30摩尔%的Sr和1～50摩尔%的Pb取代；对应于100摩尔%主成分，添加了0.2～1.0摩尔%半导体化试剂；作为添加剂的锰换算成Mn的添加量为0.01～0.10摩尔%，硅石换算成SiO2的添加量为0.5～5摩尔%，镁换算成Mg的添加量为0.0028～0.093摩尔%；前述半导体化试剂为选自Y、La、Ce、Nb、Bi、Sb、W、Th、Ta、Dy、Gd、Nd、Sm的至少一种元素。

公开(公告)号：CN1334568A

公开(公告)日：2002-02-06

申请号：CN01122782.6

申请日：2001-07-20

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 长尾吉高 ,  并河康训 ,  广田俊春

IPC: H01B3/12 ,  C04B35/462 ,  H01C7/02 ,  H04N9/29

CPC classification number: H01C7/025

Abstract: 一种半导体陶瓷。其中包括铒,它在主要成份钛酸钡、钛酸锶、钛酸铅和钛酸钙中作半导体媒介,半导体陶瓷的平均颗粒直径大约超过约5μm,但不到约14μm。此外,在每100mol的主要成份中,半导体陶瓷包含:一种作为添加物的含有Er的化合物,其中Er超过约0.10mol但不到约0.33mol;一种含有Mn的化合物,其中Mn为约0.01mol或更多但不到约0.03mol;一种含有Si的化合物,其中Si为约1.0mol或更多但不到约5.0mol。因此,该半导体陶瓷和正温度系数热敏电阻可提供高快速击穿性,在通断应用测试中能体现很好的效果且电阻率值不规则性很小。