公开(公告)号：CN1285082C

公开(公告)日：2006-11-15

申请号：CN03107284.4

申请日：2003-03-21

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 芳贺岳夫 ,  田中宏树 ,  广田俊春 ,  桑原博士

IPC: H01C7/02 ,  H01C17/02

CPC classification number: H01C17/28 ,  H01C1/012 ,  H01C1/014 ,  H01C1/022 ,  H01C1/14 ,  H01C1/1406 ,  Y10T29/49082 ,  Y10T29/49085 ,  Y10T29/49098 ,  Y10T29/49101 ,  Y10T29/49139

Abstract: 本发明提供一种面安装型正温度系数热敏电阻及其制造方法。该面安装型正温度系数热敏电阻，由在两个主面形成电极的板状正温度系数热敏电阻元件，具有所述正温度系数热敏电阻元件插入的内部空间的绝缘盒，在所述内部空间内被配置成与正温度系数热敏电阻元件的两主面分别电接通且夹住正温度系数热敏电阻元件的1对金属端子组成。所述绝缘盒具有与在所述内部空间配置的所述正温度系数热敏电阻元件的两主面平行的1对主面，所述内部空间具有在外部露出的开口部的1对开口侧面上分别形成端子插入孔的1对端面。从而，具有在插入盒体时，无插入方向性或只有较小方向性，以及容易制造且成本低的优点。

公开(公告)号：CN1447350A

公开(公告)日：2003-10-08

申请号：CN03107284.4

申请日：2003-03-21

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 芳贺岳夫 ,  田中宏树 ,  广田俊春 ,  桑原博士

IPC: H01C7/02

CPC classification number: H01C17/28 ,  H01C1/012 ,  H01C1/014 ,  H01C1/022 ,  H01C1/14 ,  H01C1/1406 ,  Y10T29/49082 ,  Y10T29/49085 ,  Y10T29/49098 ,  Y10T29/49101 ,  Y10T29/49139

Abstract: 本发明提供一种面安装型正温度系数热敏电阻及其制造方法。该面安装型正温度系数热敏电阻，由在两个主面形成电极的板状正温度系数热敏电阻元件，具有所述正温度系数热敏电阻元件插入的内部空间的绝缘盒，在所述内部空间内被配置成与正温度系数热敏电阻元件的两主面分别电接通且夹住正温度系数热敏电阻元件的1对金属端子组成。所述绝缘盒具有与在所述内部空间配置的所述正温度系数热敏电阻元件的两主面平行的1对主面，所述内部空间具有在外部露出的开口部的1对开口侧面上分别形成端子插入孔的1对端面。从而，具有在插入盒体时，无插入方向性或只有较小方向性，以及容易制造且成本低的优点。

公开(公告)号：CN1237949A

公开(公告)日：1999-12-08

申请号：CN97199782.9

申请日：1997-11-06

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 柿原佐斗志 ,  广田俊春 ,  并河康训 ,  山元敬之

IPC: C04B35/46

CPC classification number: H01C7/025 ,  C04B35/4684

Abstract: 本发明提供了通过提高耐涌流特性，可使热敏电阻元件小型化的钛酸钡系半导体瓷器组合物。钛酸钡系半导体瓷器组合物的主成分BaTiO3中一部分Ba被1～25摩尔%的Ca、1～30摩尔%的Sr和1～50摩尔%的Pb取代；对应于100摩尔%主成分，添加了0.2～1.0摩尔%半导体化试剂；作为添加剂的锰换算成Mn的添加量为0.01～0.10摩尔%，硅石换算成SiO2的添加量为0.5～5摩尔%，镁换算成Mg的添加量为0.0028～0.093摩尔%。

公开(公告)号：CN1171244C

公开(公告)日：2004-10-13

申请号：CN01122782.6

申请日：2001-07-20

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 长尾吉高 ,  并河康训 ,  广田俊春

IPC: H01B3/12 ,  C04B35/462 ,  H01C7/02 ,  H04N9/29

CPC classification number: H01C7/025

Abstract: 一种半导体陶瓷。其中包括铒，它在主要成份钛酸钡、钛酸锶、钛酸铅和钛酸钙中作半导体媒介，半导体陶瓷的平均颗粒直径大约超过约5μm，但不到约14μm。此外，在每100mol的主要成份中，半导体陶瓷包含：一种作为添加物的含有Er的化合物，其中Er超过约0.15mol但不到约0.33mol；一种含有Mn的化合物，其中Mn为约0.01mol或更多但不到约0.03mol；一种含有Si的化合物，其中Si为约1.0mol或更多但不到约5.0mol。因此，该半导体陶瓷和正温度系数热敏电阻可提供高快速击穿性，在通断应用测试中能体现很好的效果且电阻率值不规则性很小。

公开(公告)号：CN1089735C

公开(公告)日：2002-08-28

申请号：CN97199782.9

申请日：1997-11-06

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 柿原佐斗志 ,  广田俊春 ,  并河康训 ,  山元敬之

IPC: C04B35/46 ,  H01L23/15

CPC classification number: H01C7/025 ,  C04B35/4684

Abstract: 本发明提供了通过提高耐涌流特性，可使热敏电阻元件小型化的钛酸钡系半导体瓷器组合物。钛酸钡系半导体瓷器组合物的主成分BaTiO3中一部分Ba被1～25摩尔%的Ca、1～30摩尔%的Sr和1～50摩尔%的Pb取代；对应于100摩尔%主成分，添加了0.2～1.0摩尔%半导体化试剂；作为添加剂的锰换算成Mn的添加量为0.01～0.10摩尔%，硅石换算成SiO2的添加量为0.5～5摩尔%，镁换算成Mg的添加量为0.0028～0.093摩尔%；前述半导体化试剂为选自Y、La、Ce、Nb、Bi、Sb、W、Th、Ta、Dy、Gd、Nd、Sm的至少一种元素。

公开(公告)号：CN1334568A

公开(公告)日：2002-02-06

申请号：CN01122782.6

申请日：2001-07-20

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 长尾吉高 ,  并河康训 ,  广田俊春

IPC: H01B3/12 ,  C04B35/462 ,  H01C7/02 ,  H04N9/29

CPC classification number: H01C7/025

Abstract: 一种半导体陶瓷。其中包括铒,它在主要成份钛酸钡、钛酸锶、钛酸铅和钛酸钙中作半导体媒介,半导体陶瓷的平均颗粒直径大约超过约5μm,但不到约14μm。此外,在每100mol的主要成份中,半导体陶瓷包含:一种作为添加物的含有Er的化合物,其中Er超过约0.10mol但不到约0.33mol;一种含有Mn的化合物,其中Mn为约0.01mol或更多但不到约0.03mol;一种含有Si的化合物,其中Si为约1.0mol或更多但不到约5.0mol。因此,该半导体陶瓷和正温度系数热敏电阻可提供高快速击穿性,在通断应用测试中能体现很好的效果且电阻率值不规则性很小。