高频电路装置以及收发装置

    公开(公告)号:CN1441512A

    公开(公告)日:2003-09-10

    申请号:CN03107513.4

    申请日:2003-02-26

    CPC classification number: H01P3/023 H01P7/005

    Abstract: 本发明提供一种抑制无用波的传输并且可以实现小型化的高频电路装置和收发装置。在电介质衬底1的两个面上设置平面导体2的同时,在表面1A上形成缝隙线。在电介质衬底1的表面1A上设置将缝隙线夹在其中并由多段频带抑制滤波器6组成的无用波传输抑制电路5。频带抑制滤波器6由2条导体线路7A、7B、和由以螺旋状设置在导体线路7A的途中部位的旋涡状线路8A、8B组成的谐振器8来构成。由此,能够以谐振器8的谐振频率为中心来抑制频带无用波的传输。

    场效应晶体管器件
    14.
    发明授权

    公开(公告)号:CN1271724C

    公开(公告)日:2006-08-23

    申请号:CN03107001.9

    申请日:2003-02-26

    CPC classification number: H01L29/42316 H01L29/41725

    Abstract: 一种场效应晶体管器件,包括在半导体基片上的有源区域以及设置在有源区域表面上以便确定FET部分的栅极电极、源极电极和漏极电极。确定用于连接栅极的线的电极、确定用于连接源极的线的电极、以及确定用于连接漏极的线的电极设置在半导体基片上。诸电极确定了在输入端用于向FET部分提供信号的槽线和在输出端输出FET部分的信号的槽线。栅极电极具有沿着与通过输入端槽线的信号的传导方向近似垂直的方向延伸的形状。

    介质谐振装置
    19.
    发明授权

    公开(公告)号:CN1146074C

    公开(公告)日:2004-04-14

    申请号:CN99103148.2

    申请日:1999-02-24

    CPC classification number: H01P1/20318

    Abstract: 揭示了一种介质谐振装置,尤其涉及用于微波或毫米波范围的介质谐振装置。在该介质谐振装置中,电极分别形成于介质片的两主表面上,其中每个电极具有形成于与在其它电极中形成的开口的位置对应位置处的开口。由各开口限定的部分用作介质谐振器。耦合线直接形成于电极开口中。传输线形成于电路板上。耦合线和相应的传输线通过键合线彼此连接。该结构可以使利用该介质谐振器的谐振电路的外Q最小。如果利用该谐振电路制造振荡器,可以得到大调频宽度及大输出。

    天线装置和雷达模块
    20.
    发明授权

    公开(公告)号:CN1139148C

    公开(公告)日:2004-02-18

    申请号:CN98106493.0

    申请日:1998-04-10

    CPC classification number: H01Q13/28 H01Q13/10 H01Q13/24 H01Q19/06 H01Q19/062

    Abstract: 一种天线装置,包括平面介质传输线(PDTL)和第一个介质谐振器(1),它们彼此耦合。所述平面介质传输线包括介质板(23),所述介质板设有在其第一主表面上形成的两个电极(21a、21b),所述两个电极(21a、21b)隔开固定的距离(W1),从而在所述两个电极(21a、21b)之间形成第一缝隙(24),所述介质板(23)还设有在其第二主表面上形成的另外两个电极(22a和22b),所述另外两个电极(22a和22b)隔开与上述距离相等的距离,从而在所述另外两个电极(22a和22b)之间形成第二缝隙(25),所述第二缝隙(25)的位置对应于所述介质板(23)另一侧上所述第一缝隙(24)的位置,第一缝隙(24)和第二缝隙(25)之间的所述介质板(23)区域用作通过其传输平面波的平面介质传输线(PDTL)的传播区(23c);其中,所述第一个介质谐振器(1)位于所述平面介质传输线(PDTL)的末端或中间,从而所述平面介质传输线(PDTL)与所述第一个介质谐振器(1)耦合且所述第一个介质谐振器(1)用作主辐射体;以及第二个介质谐振器(5),所述第二个介质谐振器由所述介质板(23)的一部分形成,所述两个电极(21a、21b)和所述另两个电极(22a、22b)不在所述部分中形成,所述第二个介质谐振器(5)位于所述平面介质传输线(PDTL)的末端或其中间。本发明还提供了一种雷达模块,它包括:依据本发明任何方面的天线装置。

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