公开(公告)号：CN101387805A

公开(公告)日：2009-03-18

申请号：CN200810215183.3

申请日：2008-09-10

Applicant: 株式会社日立显示器

Inventor： 大植荣司 ,  海东拓生 ,  三宅秀和 ,  宫泽敏夫 ,  高品雄一郎

IPC: G02F1/1362 ,  H01L27/12 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L27/1229 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1274 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78678

Abstract: 本发明提供一种显示装置和显示装置的制造方法，该显示装置在基板上形成有薄膜晶体管，作为上述薄膜晶体管，具有覆盖栅电极而形成于上述基板上的氮化硅膜上选择性地形成的氧化硅膜，还具有至少包含形成于上述氧化硅膜的上表面的伪单晶层或者多晶层的半导体层，在该半导体层的上表面隔着接触层而形成漏电极和源电极，上述伪单晶层或者多晶层是通过非晶硅层的结晶化而形成的，并且包含由其周侧壁面与其下层的上述氧化硅膜的周侧壁面间不具有台阶而连续的结构构成的部分。

公开(公告)号：CN101320181A

公开(公告)日：2008-12-10

申请号：CN200810098644.3

申请日：2008-06-03

Applicant: 株式会社日立显示器

Inventor： 境武志 ,  宫泽敏夫 ,  海东拓生 ,  三宅秀和

IPC: G02F1/1362 ,  H01L27/12 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L27/1214 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/458 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78678

Abstract: 本发明提供一种显示装置，能够减小使用多晶半导体的底栅型TFT元件的电阻性漏电流。本发明的半导体器件，在绝缘基板的表面依次层叠栅电极、栅绝缘膜、半导体层、源电极和漏电极，且具有TFT元件，该TFT元件由上述半导体层用多晶半导体构成的有源层、和分别介于上述有源层与上述源电极之间以及上述有源层与上述漏电极之间的接触层构成，上述源电极和上述漏电极分别具有与上述有源层的同上述栅绝缘膜的交界面相对的第一面、和与上述有源层的蚀刻端面相对的第二面，上述接触层介于上述源电极和上述漏电极的上述第一面与上述有源层之间、以及上述源电极和上述漏电极的上述第二面与上述有源层之间的全部区域。

公开(公告)号：CN101540332A

公开(公告)日：2009-09-23

申请号：CN200910126586.5

申请日：2009-03-16

Applicant: 株式会社日立显示器

Inventor： 野田刚史 ,  海东拓生 ,  三宅秀和 ,  贺茂尚广

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/786 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423 ,  H01L21/84 ,  G02F1/1368

CPC classification number: H01L27/1251 ,  H01L27/1229 ,  H01L27/1285

Abstract: 本发明提供一种显示装置及其制造方法。该显示装置具有薄膜晶体管基板，该薄膜晶体管基板是在绝缘基板的表面配置了具有非晶半导体的有源层的多个第一薄膜晶体管元件和具有多晶半导体有源层的多个第二薄膜晶体管元件，其中，上述第一薄膜晶体管元件和上述第二薄膜晶体管元件分别是在上述绝缘基板的表面上依次层叠了栅电极、栅极绝缘膜和上述有源层而成的反交错结构，而且，上述有源层之上具有经由接触层而与上述有源层连接的源电极和漏电极，上述第二薄膜晶体管元件的上述有源层的层叠了上述接触层的位置处的膜厚小于60nm。