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公开(公告)号：CN1251020C
公开(公告)日：2006-04-12
申请号：CN02149933.0
申请日：1995-06-28
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: G03F1/00 , G03F9/00 , H01L21/027
CPC classification number: G03F1/32 , G03F1/26 , G03F1/36 , G03F7/70283 , G03F7/70433
Abstract: 本发明涉及一种光掩模，该光掩模可防止用投影曝光装置进行掩模图形复制时因所用掩模的析像不良所引起的成品率的降低，或防止产生不需要的投影像，且该光掩模在由半透明膜和相移器构成的半透明区域中设有由透明区域构成的主图形，通过各个区域的光的相位差实质上为180°。在此光掩模的主图形的周围配置透射光的相位差与主图形同相且透明的辅助图形。其中心线与主图形中心的距离D满足D＝bλ/NAm的关系。b的取值范围为1.35＜b≤1.9。
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公开(公告)号：CN1109924C
公开(公告)日：2003-05-28
申请号：CN95107777.5
申请日：1995-06-28
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: G03F1/08
CPC classification number: G03F1/32 , G03F1/26 , G03F1/36 , G03F7/70283 , G03F7/70433
Abstract: 本发明涉及一种光掩模，该光掩模可防止用投影曝光装置进行掩模图形复制时因所用掩模的析像不良所引起的成品率的降低，或防止产生不需要的投影像，且该光掩模在由半透明膜和相移器构成的半透明区域中设有由透明区域构成的主图形，通过各个区域的光的相位差实质上为180°。在此光掩模的主图形的周围配置透射光的相位差与主图形同相且透明的辅助图形。其中心线与主图形中心的距离D满足D＝bλ/NAm的关系。b的取值范围为1.35＜b≤1.9。
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公开(公告)号：CN103106904A
公开(公告)日：2013-05-15
申请号：CN201210379728.0
申请日：2012-09-28
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: G11B5/3146 , G11B5/607 , G11B2005/0024
Abstract: 本发明提供一种磁存储装置。该磁存储装置包括：磁记录介质；微波辅助记录磁头，其至少具有产生用于在该磁记录介质上进行写入的记录磁场的记录磁极和产生高频磁场的高频磁场振荡元件；再现磁头，其从磁记录介质读取信息；以及处理所述记录磁头写入的信号、所述再现磁头读取的信号的信号处理机构，及控制该高频磁场振荡器与该磁记录介质的空隙的机构，在该磁存储装置中，其特征在于，在记录时以外不会使所述高频磁场振荡元件动作。根据本发明，能够解决在基于以往的微波辅助记录方法的磁存储装置中，若根据外部环境在信息再现时或查找时使高频磁场振荡元件处于动作状态，则产生信息消失或重写的课题。
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公开(公告)号：CN101130426A
公开(公告)日：2008-02-27
申请号：CN200710112586.0
申请日：2007-06-22
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: B81B7/007 , H01L2224/48091 , H01L2924/16235 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明提供角速度传感器、加速度传感器、综合传感器等的MEMS元件的密封和电极取出方法。在由底座支承部(10)所围的元件形成区域(DA)内形成有固定部(11)，在该固定部(11)上连接有梁(12)。而且，在梁(12)上连接有可动部(13)。此外，在元件形成区域(DA)内设有检测可动部(13)的位移的检测部(14)。在可动部(13)和检测部(14)上连接有布线部(15)，该布线部(15)从被气密密封的元件形成区域(DA)延伸到外侧的外部区域。布线部(15)贯穿底座支承部(10)连接在端子(17)上。在布线部(15)和底座支承部(10)之间形成有孔(16)，在该孔(16)内形成有绝缘膜(18)。由被埋入到该孔(16)的绝缘膜(18)使布线部(15)和底座支承部(10)绝缘。
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公开(公告)号：CN1191610C
公开(公告)日：2005-03-02
申请号：CN00817481.4
申请日：2000-02-25
Applicant: 株式会社日立制作所
Inventor： 福田宏
IPC: H01L21/027 , G03F1/08 , H01L21/82
CPC classification number: H01L27/0207 , G03F1/30 , G03F7/2022 , G03F7/70466
Abstract: 提供一种半导体集成电路器件、其制造方法和掩模的制作方法在形成纵横线状电路图形时，进行相位配置使得邻接开口图形间的相位反转，抽出同相位图形邻接的A型相位冲突，和逆相位图形邻接的B型相位冲突，生成解决它们的图形，采用在同一衬底上使具有冲突消除用图形的相位掩模和与之互补地形成设计图形的互补相位掩模进行多次曝光的办法，通过顶多2块移相掩模的多次曝光，使得用现有的投影曝光法一直被认为困难的具有微细节距的庞大且随机的电路图形成为可能，此外，可以在短时间内设计这样的电路图形，可以以低成本制造半导体集成电路器件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1423168A
公开(公告)日：2003-06-11
申请号：CN02149933.0
申请日：1995-06-28
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: G03F1/00 , G03F9/00 , H01L21/027
CPC classification number: G03F1/32 , G03F1/26 , G03F1/36 , G03F7/70283 , G03F7/70433
Abstract: 本发明涉及一种光掩模,该光掩模可防止用投影曝光装置进行掩模图形复制时因所用掩模的析像不良所引起的成品率的降低,或防止产生不需要的投影像,且该光掩模在由半透明膜和相移器构成的半透明区域中设有由透明区域构成的主图形,通过各个区域的光的相位差实质上为180°。在此光掩模的主图形的周围配置透射光的相位差与主图形同相且透明的辅助图形。其中心线与主图形中心的距离D满足D＝bλ/NAm的关系。b的取值范围为1.35＜b≤1.9。
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公开(公告)号：CN104646260B
公开(公告)日：2018-08-28
申请号：CN201410795280.X
申请日：2006-08-02
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: B06B1/02
CPC classification number: B06B1/0292
Abstract: 本发明提供一种超声波探头，其具有多个超声波换能器，超声波换能器(100)隔着空隙(4)而配置有基板(1)和隔膜(5)而形成，基板(1)在其内部或表面具有第一电极，隔膜(5)在其内部或表面具有第二电极。而且，在隔膜(5)或第二电极的表面或内部具备至少一个梁(7)。
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公开(公告)号：CN103295591B
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201310052512.8
申请日：2013-02-06
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: G11B13/04 , G11B5/1278 , G11B5/23 , G11B5/3146 , G11B2005/0024
Abstract: 本发明提供一种磁头、头驱动控制装置、磁存储装置、控制方法。通过对垂直磁记录介质的微波辅助磁记录而实现窄磁道化。作为微波辅助记录磁头的记录磁极部，使用形成有使主要的记录磁场成分集中在记录间隙部(25)的磁芯的记录磁极部，并在其记录间隙内配置高频磁场振荡元件(40)。
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公开(公告)号：CN103106904B
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201210379728.0
申请日：2012-09-28
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: G11B5/3146 , G11B5/607 , G11B2005/0024
Abstract: 本发明提供一种磁存储装置。该磁存储装置包括：磁记录介质；微波辅助记录磁头，其至少具有产生用于在该磁记录介质上进行写入的记录磁场的记录磁极和产生高频磁场的高频磁场振荡元件；再现磁头，其从磁记录介质读取信息；以及处理所述记录磁头写入的信号、所述再现磁头读取的信号的信号处理机构，及控制该高频磁场振荡器与该磁记录介质的空隙的机构，在该磁存储装置中，其特征在于，在记录时以外不会使所述高频磁场振荡元件动作。根据本发明，能够解决在基于以往的微波辅助记录方法的磁存储装置中，若根据外部环境在信息再现时或查找时使高频磁场振荡元件处于动作状态，则产生信息消失或重写的课题。
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公开(公告)号：CN102097584B
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN201010522973.3
申请日：2010-10-26
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: H01L43/08 , B82Y25/00 , G01R33/093 , G01R33/095 , G11B5/3993 , H01L43/12
Abstract: 磁阻器件包括：晶片(4，64)；细长的半导体沟道(11)，在第一方向(14)延伸；以及至少两根导线(26)，提供与沟道的一组触点(27)。器件可以包括与沟道接触的可选的半导体分流器(8)。可选的分流器、沟道和触点组在垂直于第一方向和衬底的表面的第二方向(15)上相对于衬底堆叠。器件具有沿着沟道行进的侧面(30)。器件响应于通常垂直于侧面的磁场(31)。
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