公开(公告)号：CN1149183A

公开(公告)日：1997-05-07

申请号：CN95105499.6

申请日：1995-05-18

Applicant: 株式会社日立制作所 ,  日立ULSI工程株式会社 ,  日立东部半导体株式会社

Inventor： 高桥正人 ,  小田桐美智子 ,  古野毅 ,  古泽和则 ,  和田正志

IPC: G11C7/00 ,  H01L27/78

CPC classification number: G11C16/3477 ,  G11C16/16 ,  G11C16/3409 ,  G11C16/3445 ,  G11C16/3468

Abstract: 一个提供有存储单元可成批擦除的不挥发存储装置，通过程序操作，释放积累在浮栅上的电子电荷，适合执行擦除操作。执行次序为读擦除单位的存储单元，并在这些不挥发存储单元上执行预写操作；用相对大能量，对所说擦除单位的不挥发存储单元高速执行批擦除操作；对全部擦除了的不挥发存储单元执行读操作，并在这些不挥发存储单元上执行写操作；用相对小的能量，对所说擦除单位的不挥发存储单元低速执行批擦除操作。

公开(公告)号：CN1221957A

公开(公告)日：1999-07-07

申请号：CN98116144.8

申请日：1994-06-01

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 田中利广 ,  加藤正高 ,  佐佐木敏夫 ,  久米均 ,  小谷博昭 ,  古泽和则

IPC: G11C16/02

CPC classification number: G11C16/10

Abstract: 一种半导体存储器件,其中存储单元的状态相对于器件中的每一个数据线来确定,以便自动控制编程的继续和暂停等。该半导体存储器件包括设置为阵列形式的半导体存储单元阵列、与多个存储单元组共接的字线和数据线,各数据线都具有读出放大器,该存储器件还包括与各读出放大器相连接的公共数据线,所述各存储单元设置在第一读出放大器和第二读出放大器之间,且设置在第一公共数据线和第二公共数据线之间。

公开(公告)号：CN1087474C

公开(公告)日：2002-07-10

申请号：CN94106214.7

申请日：1994-06-01

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 田中利广 ,  加藤正高 ,  佐佐木敏夫 ,  久米均 ,  小谷博昭 ,  古泽和则

IPC: G11C16/06

CPC classification number: G11C16/10

Abstract: 一种半导体非易失性存储器件，其中存储单元的状态相对于器件中的每一个数据线来确定，以便自动控制编程的继续和暂停等。器件包括设置为阵列形式的非易失性半导体存储单元阵列、与多个存储单元组的控制栅共接的字线W1和W2及多个存储单元的漏极共接其上的数据线，各数据线都具有预充电电路、带有读出放大器和数据锁存器功能的数据保持电路和状态探测电路。再编程相对于连接到同一字线的所有存储单元(区段)同时进行。