公开(公告)号：CN101276641A

公开(公告)日：2008-10-01

申请号：CN200810005561.5

申请日：2008-02-15

Applicant: 株式会社日立制作所 ,  尔必达存储器股份有限公司

Inventor： 竹村理一郎 ,  关口知纪 ,  秋山悟 ,  中谷浩晃 ,  中村正行

IPC: G11C11/4076

CPC classification number: G11C7/04 ,  G11C7/1066 ,  G11C7/1072 ,  G11C7/22 ,  G11C7/222 ,  G11C11/4076 ,  G11C2207/2272

Abstract: 本发明提供一种半导体存储器件，该半导体器件为了稳定地实现以所指定的延迟、外部时钟频率进行的动作，而与制造偏差、动作电压偏差、温度变化相对应地产生适当的内部定时信号。该半导体存储器件具有第一延迟电路块和第二延迟电路块，其中，上述第一延迟块用于产生要在由外部输入指令周期确定的列周期时间进行动作的电路块的定时信号，上述第二延迟电路块用于将整体的延迟量调节为由外部时钟和延迟确定的访问时间与列周期时间的差。这些延迟电路块按照列延迟、动作频率而将各延迟电路的延迟量调节为适当的值，并且与处理、动作电压的偏差、动作温度的变化对应地调节延迟量。

公开(公告)号：CN1260810C

公开(公告)日：2006-06-21

申请号：CN00816039.2

申请日：2000-11-29

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 竹村理一郎 ,  関口知纪 ,  木村胜高 ,  梶谷一彦 ,  高桥继雄

IPC: H01L21/8242 ,  H01L27/108 ,  G11C11/401

CPC classification number: H01L27/10894 ,  G11C11/4097 ,  H01L27/10897

Abstract: 在进行读出放大器交互配置的情况下，作为从子存储器阵列(SMA)向读出放大器(SA)引出数据线的方式，把在子存储器阵列内连续的2条或者交错地把2条数据线夹在中间的2条数据线，连接到相邻的读出放大器上。说得更详细点，采用使被夹持在连接到2个相邻的读出放大器上的每一条数据线之间的数据线的条数变成为偶数(0、2、4…)的办法，就可以避免在读出放大器块与子存储器阵列的连接部分处的断线、短路，因而使布局变得容易起来。

公开(公告)号：CN1200431C

公开(公告)日：2005-05-04

申请号：CN99126508.4

申请日：1999-12-22

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 坂本达哉 ,  永岛靖 ,  竹村理一郎

IPC: G11C11/34 ,  H01L27/10

CPC classification number: G11C11/4097 ,  G11C7/06 ,  G11C7/18 ,  G11C11/4091

Abstract: 开关MOSFET插入在读出放大器与互补位线之间：在信号电压被字线从多个被选定的动态存储器单元读出到多对互补位线之后，开关MOSFET的开关控制信号从选择电平被改变到预定的中间电位，由于读出节点根据读出放大器的放大操作而被开通。由放大操作产生的放大信号，响应于列选择信号，通过列选择电路，被传输到输入/输出线，且开关控制信号响应于列选择电路的选择操作而从中间电位电平返回到选择电平。

公开(公告)号：CN102171764B

公开(公告)日：2014-08-27

申请号：CN200980139455.9

申请日：2009-10-05

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 河原尊之 ,  竹村理一郎 ,  小野和夫

IPC: G11C11/15 ,  H01L21/8246 ,  H01L27/105 ,  H01L43/08

CPC classification number: G11C11/1675 ,  G11C7/065 ,  G11C7/12 ,  G11C7/18 ,  G11C8/14 ,  G11C11/16 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1655 ,  G11C11/1659 ,  G11C11/1673 ,  G11C11/4094 ,  G11C11/4097 ,  H01L27/228

Abstract: 本发明提供一种半导体器件。在使用了自旋注入磁化反转的存储器中，沿着一条全局位线分离地配置多个写入驱动器，对一个全局位线设置一个读出放大器。在两个阵列和读出放大器中共享写入了“1”和“0”的参考单元。根据本发明，能够实现以小面积提供所需足够的写电流的阵列结构，实现符合TMR元件的温度特性的参考单元结构。

公开(公告)号：CN103260515A

公开(公告)日：2013-08-21

申请号：CN201080070627.4

申请日：2010-10-14

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 河原尊之 ,  竹村理一郎 ,  曾根原刚志 ,  长坂晃朗

IPC: A61B5/1455

CPC classification number: A61B5/14532 ,  A61B5/1455

Abstract: 为了高精度地求出血糖值，使用对于作为血液所特有的成分的血红蛋白的吸收大的第一波长来确定血管部分的部位，将使用对于葡萄糖的吸收大的第二波长来测定的吸光度的数据分离为血管部分与其以外的部分。

公开(公告)号：CN102171764A

公开(公告)日：2011-08-31

申请号：CN200980139455.9

申请日：2009-10-05

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 河原尊之 ,  竹村理一郎 ,  小野和夫

IPC: G11C11/15 ,  H01L21/8246 ,  H01L27/105 ,  H01L43/08

CPC classification number: G11C11/1675 ,  G11C7/065 ,  G11C7/12 ,  G11C7/18 ,  G11C8/14 ,  G11C11/16 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1655 ,  G11C11/1659 ,  G11C11/1673 ,  G11C11/4094 ,  G11C11/4097 ,  H01L27/228

Abstract: 本发明提供一种半导体器件。在使用了自旋注入磁化反转的存储器中，沿着一条全局位线分离地配置多个写入驱动器，对一个全局位线设置一个读出放大器。在两个阵列和读出放大器中共享写入了“1”和“0”的参考单元。根据本发明，能够实现以小面积提供所需足够的写电流的阵列结构，实现符合TMR元件的温度特性的参考单元结构。

公开(公告)号：CN101364634B

公开(公告)日：2010-07-21

申请号：CN200810128199.0

申请日：2008-07-22

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 寺尾元康 ,  屉子佳孝 ,  黑土健三 ,  小野和夫 ,  藤崎芳久 ,  高浦则克 ,  竹村理一郎

IPC: H01L45/00 ,  G11C16/02 ,  G11C11/56

CPC classification number: G11C11/5614 ,  G11C13/0011 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/0083 ,  G11C2213/11 ,  G11C2213/15 ,  G11C2213/56 ,  G11C2213/79 ,  H01L27/24 ,  H01L27/2436 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/085 ,  H01L45/141 ,  H01L45/142 ,  H01L45/143 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1675

Abstract: 本发明的课题在于提高可存储信息的半导体装置的性能。本发明由下部电极BE侧的第1层ML1和上部电极TE侧的第2层ML2形成存储器元件RM的存储层ML。第1层ML1含有20原子％以上70原子％以下由Cu，Ag，Au，Al，Zn，Cd组成的第1元素组中的至少1种，含有3原子％以上40原子％以下由V，Nb，Ta，Cr，Mo，W，Ti，Zr，Hf，Fe，Co，Ni，Pt，Pd，Rh，Ir，Ru，Os，镧系元素组成的第2元素组中的至少1种，含有20原子％以上60原子％以下由S，Se，Te组成的第3元素组中的至少1种。第2层ML2含有5原子％以上50原子％以下第1元素组中的至少1种，含有10原子％以上50原子％以下第2元素组中的至少1种，含有30原子％以上70原子％以下的氧。

公开(公告)号：CN101345289A

公开(公告)日：2009-01-14

申请号：CN200810130306.3

申请日：2008-07-04

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 寺尾元康 ,  松冈秀行 ,  入江直彦 ,  笹子佳孝 ,  竹村理一郎 ,  高浦则克

IPC: H01L45/00 ,  G11C16/02

CPC classification number: H01L45/145 ,  G11C11/5614 ,  G11C13/0011 ,  G11C2213/11 ,  G11C2213/79 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2436 ,  H01L27/2463 ,  H01L27/2481 ,  H01L45/085 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1266 ,  H01L45/142 ,  H01L45/143 ,  H01L45/144 ,  H01L45/146

Abstract: 本发明提供一种半导体器件，通过采用可高精度控制固体电解质中的离子运动的器件结构，可以提高具有存储或者开关功能的半导体器件的性能，也能够以低成本对多层化的三维结构进行高集成化。作为半导体元件，是在偏离而配置在纵方向(Z轴方向)上的电极之间形成2层以上成分不同的层，在上述电极之间施加脉冲电压来形成导电通路，使电阻值根据信息信号而发生变化的元件。并且，在上述导电通路的途中形成蓄积了提高导电率的成分的区域，由此使电阻率正确地对应信息信号。更优选在X轴方向、Y轴方向的至少一个方向上，也形成电极并施加控制电压。

公开(公告)号：CN101336490A

公开(公告)日：2008-12-31

申请号：CN200680052148.3

申请日：2006-02-09

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 寺尾元康 ,  黑土健三 ,  竹村理一郎 ,  高浦则克 ,  半泽悟

IPC: H01L49/02 ,  H01L27/10

CPC classification number: H01L27/101 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/0011 ,  G11C2213/79 ,  H01L27/0688 ,  H01L27/2436 ,  H01L27/2472 ,  H01L45/085 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1266 ,  H01L45/142 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1625 ,  H01L45/1675

Abstract: 一种半导体器件，在嵌入了塞(35)的绝缘膜(31)上按顺序形成有由第一组成物和第二组成物构成的第二组成物释放区域(45)、由硫属化合物构成的固体电解质区域(46)和上部电极(47)。由第一组成物和第二组成物构成的第二组成物释放区域(45)由圆顶状的电极部分(43)和将电极部分(43)的周围嵌入的绝缘膜(44)构成，在塞(35)上存在着至少1个电极部分(43)。电极部分(43)包括由如氧化钽那样的即使施加电场也仍然稳定的第一组成物构成的第一部分和由如铜或银那样的通过施加电场很容易向固体电解质区域(46)扩散并移动的第二组成物构成的第二部分。通过使从电极部分(43)供给的第二组成物在固体电解质区域(46)中移动来存储信息。

公开(公告)号：CN101221808A

公开(公告)日：2008-07-16

申请号：CN200810002051.2

申请日：2008-01-09

Applicant: 株式会社日立制作所 ,  尔必达存储器股份有限公司

Inventor： 秋山悟 ,  关口知纪 ,  竹村理一郎 ,  中谷浩晃 ,  宫武伸一 ,  渡边由布子

IPC: G11C11/4091 ,  G11C11/4096

CPC classification number: G11C11/4091 ,  H01L27/10897

Abstract: 本发明提供兼顾了高集成、低功耗·高速动作的半导体存储器件。所述半导体存储器件包括由多个下拉电路和一个上拉电路构成的读出放大器电路。构成多个下拉电路中的一个下拉电路的晶体管的特征在于，沟道长度、沟道宽度这些常数比构成其他下拉电路的晶体管大。此外，先驱动多个下拉电路中晶体管常数大的下拉电路，然后激活另一个下拉电路和上拉电路来进行读出。此外，数据线和先驱动的下拉电路由NMOS晶体管连接，通过激活、不激活上述NMOS晶体管，来控制上述下拉电路的激活、非激活。