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公开(公告)号：CN1516236A
公开(公告)日：2004-07-28
申请号：CN03105193.6
申请日：2001-08-15
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01L21/027 , H01L21/82 , H01L21/50
CPC classification number: G03F7/70425 , G03F1/00 , G03F1/56 , H01L2224/05001 , H01L2224/05008 , H01L2224/05022 , H01L2224/05024 , H01L2224/05569 , H01L2224/05572 , H01L2224/16225 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/92125 , H01L2924/15311 , Y10S438/944 , Y10S438/946 , H01L2924/00
Abstract: 一种制造半导体集成电路器件的方法，它包含对写入了图形的光掩模进行照明，并经由曝光光学系统反复执行投影曝光，从而将所述图形印制到半导体衬底上，顺序形成预定的图形的步骤，当每个光掩模所需的曝光处理数目大于预定数目时，使用以金属膜作为不透明元件的光掩模，而当每个光掩模所需的曝光处理数目小于预定数目时，使用以含有机感光树脂膜的有机材料作为不透明元件的光掩模。由此，改善了半导体集成电路器件的产率。
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公开(公告)号：CN1386300A
公开(公告)日：2002-12-18
申请号：CN01802217.0
申请日：2001-08-15
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01L21/027 , G03F7/20 , G03F1/08 , H01L27/10 , H01L21/3205
CPC classification number: G03F7/70425 , G03F1/00 , G03F1/56 , H01L2224/05001 , H01L2224/05008 , H01L2224/05022 , H01L2224/05024 , H01L2224/05569 , H01L2224/05572 , H01L2224/16225 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/92125 , H01L2924/15311 , Y10S438/944 , Y10S438/946 , H01L2924/00
Abstract: 改善了半导体集成电路器件的产率。根据光掩模被使用多少次,恰当地使用具有由金属组成的不透明图形的光掩模以及具有由抗蚀剂膜组成的不透明图形的光掩模,从而执行曝光处理。
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公开(公告)号：CN1350321A
公开(公告)日：2002-05-22
申请号：CN01143332.9
申请日：2001-09-30
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01L21/027 , H01L21/30 , H01L21/82 , G03F7/00
CPC classification number: G03F1/56 , G03F7/70433 , G03F7/70616
Abstract: 提供一种半导体集成电路器件的制造方法,其中包括依据半导体集成电路器件的制造步骤,在曝光处理时,适当采用具有由金属制成的光阻挡图形的光掩模以及具有由抗蚀剂膜制成的光阻挡图形的另一光掩模。根据本发明,可以提高半导体集成电路器件的生产率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100334687C
公开(公告)日：2007-08-29
申请号：CN01812451.8
申请日：2001-06-28
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01L21/027 , G03F1/08
CPC classification number: G03F1/56 , G03F1/70 , G03F7/0035 , G03F7/70433 , G03F7/707 , H01L21/0274 , Y10S438/942 , Y10S438/945 , Y10S438/948 , Y10S438/95
Abstract: 为了缩短半导体集成电路器件的开发和制造周期，在用曝光工艺将集成电路图形转移到晶片上时，采用了一种光掩模PM1，除了由金属组成的遮光图形之外，它还部分地配备有由抗蚀剂膜组成的遮光图形3a。
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公开(公告)号：CN1945438A
公开(公告)日：2007-04-11
申请号：CN200610096000.1
申请日：2001-08-15
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: G03F7/70425 , G03F1/00 , G03F1/56 , H01L2224/05001 , H01L2224/05008 , H01L2224/05022 , H01L2224/05024 , H01L2224/05569 , H01L2224/05572 , H01L2224/16225 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/92125 , H01L2924/15311 , Y10S438/944 , Y10S438/946 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种半导体集成电路器件的制造方法，到半导体衬底上的晶体管结构的制造为止是相同的工艺，在布线加工中分成多个种类来制造多种产品，其特征在于，包括下列步骤：为了对上述多种产品形成公共结构的图形，使用将金属膜作为曝光不透明膜的第一光掩膜，在形成于上述半导体衬底上的第一感光膜上进行曝光的步骤；为了在上述多种产品上形成按每个种类而不同的图形，使用将有机感光树脂膜作为曝光不透明膜的孔或布线图形用的第二光掩膜，在形成在上述半导体衬底上的第二感光膜上进行曝光的步骤。由此，改善了半导体集成电路器件的生产率。
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公开(公告)号：CN1182568C
公开(公告)日：2004-12-29
申请号：CN01802217.0
申请日：2001-08-15
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01L21/027 , G03F7/20 , G03F1/08 , H01L27/10 , H01L21/3205
CPC classification number: G03F7/70425 , G03F1/00 , G03F1/56 , H01L2224/05001 , H01L2224/05008 , H01L2224/05022 , H01L2224/05024 , H01L2224/05569 , H01L2224/05572 , H01L2224/16225 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/92125 , H01L2924/15311 , Y10S438/944 , Y10S438/946 , H01L2924/00
Abstract: 改善了半导体集成电路器件的产率。根据光掩模被使用多少次，恰当地使用具有由金属组成的不透明图形的光掩模以及具有由抗蚀剂膜组成的不透明图形的光掩模，从而执行曝光处理。
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公开(公告)号：CN1365135A
公开(公告)日：2002-08-21
申请号：CN01144074.0
申请日：2001-12-28
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01L21/027 , H01L21/30 , G03F1/00
Abstract: 短时间开发少量多品种的半导体装置,而且以低成本制造实现最佳光掩模。例如在光刻胶膜等这样的有机膜中含有碳等这种微粒子状物质,构成光掩模M的遮光体图形2。通过利用该光掩模M的缩小投影处理,把图形复制到半导体晶片5上的光刻胶6中。该曝光处理时,作为曝光光3,例如在i线、KrF准分子激光和ArF准分子激光等宽广波长范围,可以选择曝光光。
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