公开(公告)号：CN1225010C

公开(公告)日：2005-10-26

申请号：CN02803439.2

申请日：2002-01-15

Applicant: 株式会社尼康

Inventor： 千贺达也 ,  石川彰 ,  上田武彦

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L22/26 ,  B24B37/042 ,  B24B49/00 ,  B24B49/04 ,  H01L21/3212

Abstract: 构成要素的抛光条件和通过这些抛光条件获得的加工形状(抛光量)之间的关系，与抛光对象的类型和对于该抛光对象的抛光公用的抛光条件(不变的抛光条件)一起，预先输入到抛光条件确定装置中。抛光条件确定装置基于这些条件确定抛光条件。特别地，构成要素的上述抛光条件以时间序列给出，或者构成要素的上述抛光条件的组合转换成抛光体摆动速度的变化，并且与摆动位置对应的摆动速度被确定。抛光设备控制装置输入由抛光条件确定装置确定的抛光条件，并且控制抛光设备使得这些条件被实现。结果，用于在加工设备中获得指定加工形状的加工条件可以简单并准确地确定。

公开(公告)号：CN1500290A

公开(公告)日：2004-05-26

申请号：CN00804131.8

申请日：2000-12-19

Applicant: 株式会社尼康

Inventor： 石川彰 ,  潮嘉次郎

IPC: H01L21/304 ,  B24B37/04 ,  G01B11/00

CPC classification number: B24B37/013 ,  B24B49/12 ,  G01B11/06 ,  H01L21/30625 ,  H01L21/67253

Abstract: 在晶片4的抛光以前，把具有与晶片4一样的形状和尺寸的反射物体替换晶片4固定在抛光头2上。在抛光底盘13中的窗口15和反射物体之间放入抛光剂5，并且用与晶片4的抛光期间施加的压力一样的压力把反射物体压向抛光底盘13。在这样的状况下，用从光源31发射的探测光经由窗口15照射反射物体，并且从传感器43获得反射光的光谱强度作为参考光谱。在晶片4的抛光期间，从传感器43陆续获得从晶片4反射的光的光谱强度作为一些测量光谱。测定这些测量光谱对上述的参考光谱的强度比率，并根据这样的强度比率监视晶片4的抛光状态。