真空排气系统用阀
    12.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1748102A

    公开(公告)日:2006-03-15

    申请号:CN200480004084.0

    申请日:2004-02-09

    CPC classification number: F16K7/14 F16K27/003 F16K51/02

    Abstract: 本发明提供一种阀,这种阀能够与旨在实现真空排气系统的设备的小型化并由此降低成本和缩短真空排气时间的真空排气系统配管的小口径化相适应,并能够防止由气体分解产生的离解生成物的堆积所导致的内部的腐蚀、堵塞、阀座泄漏等。具体地说,将铝钝态用于在真空排气系统中使用的阀等配管零件,来抑制因烘焙时的温度升高而引起的气体分解,从而提供与真空排气系统的小口径化相适应的零件,特别是使得不会因气体分解产生的生成物的堆积而发生腐蚀、堵塞、阀座泄漏等。

    旋转式硅晶片清洗装置
    18.
    发明授权

    公开(公告)号:CN100359641C

    公开(公告)日:2008-01-02

    申请号:CN03801601.X

    申请日:2003-09-11

    CPC classification number: H01L21/67034 H01L21/02052

    Abstract: 本发明提供一种旋转式硅晶片清洗装置,通过使清洗处理后的硅晶片的氢气终端进行得更完全,可使硅晶片的稳定性得到进一步提高。为此,本发明作为一种旋转式硅晶片清洗装置,设置有硅晶片干燥装置,该硅晶片干燥装置包括:附设在箱壳中的供给由含有0.05Vol%以上的氢气的氢气与惰性气体的混合气体的气体供给板块、一端连接在上述气体供给板块的气体混合器上的混合气体供给管、对上述混合气体供给管内的混合气体进行加热的混合气体加热装置、在与经混合气体加热装置加热的高温混合气体接触的部位具有可形成氢自由基的白金涂覆被膜的氢自由基生成装置等,通过将含有氢自由基的混合气体喷射到清洗后的硅晶片上,对硅晶片的外表面进行干燥和氢封端处理。

Patent Agency Ranking