水分发生用反应炉
    11.
    发明授权

    公开(公告)号:CN1279582C

    公开(公告)日:2006-10-11

    申请号:CN200410003341.0

    申请日:2000-07-21

    CPC classification number: B01J3/006 B01J7/00 B01J12/007 C01B5/00

    Abstract: 本发明的目的是提供一种安全的减压型水分发生供给装置,该装置减压供给(例如数托)水分气体,较高地保持水分发生用反应炉的内压,这样,可防止氢的自燃,本发明的另一目的是提供一种水分发生用反应炉,是通过对水分发生用反应炉高效率地进行冷却,便可在不增大反应炉尺寸的情况下使水分发生量大幅度增加的水分发生用反应炉。因此,本发明的减压型水分发生供给装置的特征在于:由水分发生用反应炉和减压机构构成,其中水分发生用反应炉是由氢和氧通过催化剂反应而发生水分气体;减压机构设在该水分发生用反应炉的下流侧,水分气体通过该减压机构减压后供给下流侧,与此同时较高地保持反应炉内的内压。本发明的散热式水分发生用反应炉由将入口侧炉主体部件和出口侧炉主体部件组合起来而形成有内部空间的反应炉主体、和贴紧在上述各炉子主体部件的外壁面上的散热片底板、及立设在该散热片底板上的多个散热用散热片构成,利用上述散热用散热片对发生的热量进行强制性辐射,使反应炉的温度降低。并且,对散热用散热片进行氧化铝膜加工,使热辐射率大幅度提高,而使散热效率进一步提高。

    未反应气体检测装置及未反应气体检测传感器

    公开(公告)号:CN1376914A

    公开(公告)日:2002-10-30

    申请号:CN02107863.7

    申请日:2002-03-25

    CPC classification number: G01N25/36 G01N25/28 G01N27/16

    Abstract: 一种未反应气体检测装置,可准确地检测出残留在目标气体中的可燃性未反应气体浓度,安全地供应原料气体。本发明的未反应气体检测装置40包括:炉主体;与炉主体相连接的传感器主体44;形成于该传感器主体44内,使上述目标气体流通的测定用空间46;具有促进反应用的催化剂层74的温度测定部72c的;设有温度测定部70c的目标气体温度检测传感器70。利用上述促进反应用催化剂层74使残留于目标气体中的未反应气体反应,检测温度测定部72c的温度上升情况,同时用上述温度测定部70c测定目标气体温度To,根据未反应气体检测传感器温度T与目标气体温度之温度差ΔT(=T-To)检测未反应气体浓度。

    供气系统的水分去除法
    13.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1316044A

    公开(公告)日:2001-10-03

    申请号:CN00801268.7

    申请日:2000-09-11

    CPC classification number: B01D53/26 F17D3/14

    Abstract: 本发明实现了不用烘烤法、而通过常温排气处理即可有效地除去吸附水分的供气系统的水分去除法。本发明为一种使除水分气体在供气系统中流动而除去残留在供气系统内的水分的方法,其特征为,将除水分气体的流压设定成大于或等于其气流成为粘性流的最小压力,并且小于或等于除水分气体流通温度的饱和水蒸气压。此外,所述除水分气体成为粘性流的条件是通过气体分子的平均自由行程小于供气系统配管的直径来判定。如果在这样的条件下对除水分气体进行常温排气,则能够有效地除去在配管内面或阀及过滤器件内的吸附水分。

    旋转式硅晶片清洗装置
    17.
    发明授权

    公开(公告)号:CN100359641C

    公开(公告)日:2008-01-02

    申请号:CN03801601.X

    申请日:2003-09-11

    CPC classification number: H01L21/67034 H01L21/02052

    Abstract: 本发明提供一种旋转式硅晶片清洗装置,通过使清洗处理后的硅晶片的氢气终端进行得更完全,可使硅晶片的稳定性得到进一步提高。为此,本发明作为一种旋转式硅晶片清洗装置,设置有硅晶片干燥装置,该硅晶片干燥装置包括:附设在箱壳中的供给由含有0.05Vol%以上的氢气的氢气与惰性气体的混合气体的气体供给板块、一端连接在上述气体供给板块的气体混合器上的混合气体供给管、对上述混合气体供给管内的混合气体进行加热的混合气体加热装置、在与经混合气体加热装置加热的高温混合气体接触的部位具有可形成氢自由基的白金涂覆被膜的氢自由基生成装置等,通过将含有氢自由基的混合气体喷射到清洗后的硅晶片上,对硅晶片的外表面进行干燥和氢封端处理。

    供气系统的水分去除法
    19.
    发明授权

    公开(公告)号:CN1114059C

    公开(公告)日:2003-07-09

    申请号:CN00801268.7

    申请日:2000-09-11

    CPC classification number: B01D53/26 F17D3/14

    Abstract: 本发明实现了不用烘烤法、而通过常温排气处理即可有效地除去吸附水分的供气系统的水分去除法。本发明为一种使除水分气体在供气系统中流动而除去残留在供气系统内的水分的方法,其特征为,将除水分气体的流压设定成大于或等于其气流成为粘性流的最小压力,并且小于或等于除水分气体流通温度的饱和水蒸气压。此外,所述除水分气体成为粘性流的条件是通过气体分子的平均自由行程小于供气系统配管的直径来判定。如果在这样的条件下对除水分气体进行常温排气,则能够有效地除去在配管内面或阀及过滤器件内的吸附水分。

    气体检测传感器
    20.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1399720A

    公开(公告)日:2003-02-26

    申请号:CN00809901.4

    申请日:2000-06-05

    CPC classification number: G01N25/32 G01N33/0013

    Abstract: 本发明的主要目的是简化气体检测传感器的构造,并且在有H2O和O2存在的条件下,可高精度地检测被检测气体内的可燃性气体的浓度、和含有可燃性气体的被检测气体内的氧气的浓度。为了达到上述目的,本发明的气体检测传感器是通过可燃性气体的接触反应而使传感器发热,通过该发热而发出可燃性气体的检测信号的气体检测传感器,由以下部分构成:膜片,该膜中在被检测气体所接触的接气面上具有白金镀层薄膜;第1检测传感器,该检测传感器由两种不同金属的一端分别接近上述膜片的非接气面地固定的热电偶构成,通过可燃性气体的接触反应而被加热;具有与被检测气体相接触的接气面的膜片;对被检测气体的温度进行检测的第2检测传感器,该传感器由两种不同金属的一端分别接近上述膜片的非接气面地固定的热电偶构成。

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