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公开(公告)号：CN107111970B
公开(公告)日：2021-08-13
申请号：CN201580059162.5
申请日：2015-10-15
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G09F9/00 , G02F1/1333 , G02F1/1368 , G09F9/30 , H01L21/336 , H01L27/32 , H01L29/786 , H01L51/50 , H05B33/02 , H05B33/04 , H05B33/10 , H05B33/12 , H05B33/22
Abstract: 提供一种外围电路部的工作稳定性高的显示装置。本发明的一个方式是一种显示装置包括第一衬底以及第二衬底。在第一衬底的第一面上设置有第一绝缘层。在第二衬底的第一面上设置有第二绝缘层。第一衬底的第一面与第二衬底的第一面相对。在第一绝缘层与第二绝缘层之间设置有粘合层。在第一衬底及第二衬底的边缘部附近形成有与第一衬底、第一绝缘层、粘合层、第二绝缘层、第二衬底接触的保护膜。
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公开(公告)号：CN107068899A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201710074273.4
申请日：2012-11-02
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L27/3253 , H01L27/322 , H01L27/3246 , H01L51/5218 , H01L51/5228 , H01L51/5234 , H01L51/525 , H01L2251/5315 , H01L2251/5392
Abstract: 本发明的目的是提供以均匀的亮度取出光的发光模块。还提供观察不到牛顿环的美观优异的发光模块。该发光模块具备：第一衬底；形成在第一衬底的一个面侧的发光元件；第二衬底；保持第一衬底和第二衬底之间的间隔的导电性的间隔物；以及在第一衬底和第二衬底之间密封发光元件的空间。该空间的压力为大气压力以下。导电性的间隔物在与设置在第一衬底的隔壁重叠的位置电连接到第二电极，以缓和在第二电极中发生的电压下降。
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公开(公告)号：CN103094487B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201210432031.5
申请日：2012-11-02
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L27/3253 , H01L27/322 , H01L27/3246 , H01L51/5218 , H01L51/5228 , H01L51/5234 , H01L51/525 , H01L2251/5315 , H01L2251/5392
Abstract: 本发明的目的是提供以均匀的亮度取出光的发光模块。还提供观察不到牛顿环的美观优异的发光模块。该发光模块具备：第一衬底；形成在第一衬底的一个面侧的发光元件；第二衬底；保持第一衬底和第二衬底之间的间隔的导电性的间隔物；以及在第一衬底和第二衬底之间密封发光元件的空间。该空间的压力为大气压力以下。导电性的间隔物在与设置在第一衬底的隔壁重叠的位置电连接到第二电极，以缓和在第二电极中发生的电压下降。
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公开(公告)号：CN103094487A
公开(公告)日：2013-05-08
申请号：CN201210432031.5
申请日：2012-11-02
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L27/3253 , H01L27/322 , H01L27/3246 , H01L51/5218 , H01L51/5228 , H01L51/5234 , H01L51/525 , H01L2251/5315 , H01L2251/5392
Abstract: 本发明的目的是提供以均匀的亮度取出光的发光模块。还提供观察不到牛顿环的美观优异的发光模块。该发光模块具备：第一衬底；形成在第一衬底的一个面侧的发光元件；第二衬底；保持第一衬底和第二衬底之间的间隔的导电性的间隔物；以及在第一衬底和第二衬底之间密封发光元件的空间。该空间的压力为大气压力以下。导电性的间隔物在与设置在第一衬底的隔壁重叠的位置电连接到第二电极，以缓和在第二电极中发生的电压下降。
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公开(公告)号：CN1619772A
公开(公告)日：2005-05-25
申请号：CN200410100105.0
申请日：2002-01-19
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/00 , H01L21/336 , H01L21/8234 , G02F1/133
CPC classification number: H01L21/02672 , G02F1/13454 , H01L21/2022 , H01L21/3226 , H01L27/12 , H01L27/1248 , H01L27/1277 , H01L27/1288 , H01L27/3246 , H01L29/42384 , H01L29/4908 , H01L29/66757 , H01L29/66765 , H01L29/78621 , H01L51/5253 , H01L51/56
Abstract: 本发明涉及一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：在一个衬底上形成第一半导体岛区和第二半导体岛区；在第一和第二半导体岛区上形成栅绝缘膜；在第一半导体岛区之上形成第一和第二栅电极，在第二半导体岛区之上形成第三栅电极，所述第一、第二和第三栅电极都包括第一导电膜和第二导电膜；使用上述第一、第二以及第三栅电极作为掩膜，向上述第一和第二半导体岛区掺入第一杂质元素；使用分别覆盖上述第一和第二栅电极的第一和第二光刻胶掩膜和上述第三栅电极作为掩膜，向上述第一和第二半导体岛区掺入第二杂质元素；和在上述第一和第二栅电极以及第三栅电极上形成一个绝缘膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1373504A
公开(公告)日：2002-10-09
申请号：CN02106551.9
申请日：2002-02-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/336 , H01L21/82 , H01L21/20
CPC classification number: H01L27/124 , G02F1/13454 , H01L27/1214 , H01L27/127 , H01L29/42384
Abstract: 通过使用很少数目的光掩膜,得到对于象素部分的驱动条件和驱动电路最佳的TFT(薄膜晶体管)结构。在第一绝缘薄膜上形成第一到第三半导体薄膜。在第一到第三半导体薄膜上形成第一形状的第一、第二、第三电极。在第一掺杂处理中,使用第一形状的第一、第二、第三电极作为掩膜,在第一到第三半导体薄膜中形成一种导电类型的第一浓度杂质区域。从第一形状的第一、第二、第三电极形成第二形状的第一、第二、和第三电极。在第二掺杂处理中,在第二半导体薄膜中形成与第二形状的第二电极相重叠的、一种导电类型的第二浓度杂质区域。在第二掺杂处理中,还在第一和第二半导体薄膜中形成一种导电类型的第三浓度杂质区域。在第三掺杂处理中,在第三半导体薄膜中形成具有与一种导电类型相反的另一种导电类型的、第四和第五浓度杂质区域。
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公开(公告)号：CN116569241A
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN202180080919.4
申请日：2021-12-06
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G09F9/00
Abstract: 提供一种高清晰显示装置。本发明是一种显示装置，该显示装置包括第一导电体、第一导电体上的第一绝缘体、设置在第一绝缘体的开口的内部的第二导电体、与第二导电体的顶面及第一绝缘体的顶面接触的第一发光层以及与第一发光层的顶面接触的第三导电体。
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公开(公告)号：CN107710392B
公开(公告)日：2021-09-03
申请号：CN201680021254.9
申请日：2016-03-30
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/336 , C23C14/08 , H01L21/363 , H01L21/8234 , H01L21/8238 , H01L21/8242 , H01L27/088 , H01L27/092 , H01L27/108 , H01L27/146 , H01L29/786
Abstract: 本发明提供一种微型晶体管。本发明的一个方式是一种半导体装置，包括：衬底上的半导体；半导体上的第一导电体及第二导电体；第一导电体及第二导电体上的第一绝缘体；半导体上的第二绝缘体；第二绝缘体上的第三绝缘体；以及第三绝缘体上的第三导电体，第三绝缘体与第一绝缘体的侧面接触，半导体包括半导体与第一导电体的底面重叠的第一区域、半导体与第二导电体的底面重叠的第二区域、半导体与第三导电体的底面重叠的第三区域，半导体的顶面与第三导电体的底面之间的长度大于第一区域与第三区域之间的长度。
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公开(公告)号：CN107980178A
公开(公告)日：2018-05-01
申请号：CN201680048760.7
申请日：2016-08-19
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L21/4763 , H01L27/12 , H01L29/423 , H01L21/4757 , H01L21/465
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L21/465 , H01L21/47573 , H01L21/47635 , H01L27/1207 , H01L27/1225 , H01L29/42372 , H01L29/42384 , H01L29/66969 , H01L29/78648
Abstract: 本发明提供一种微型晶体管。提供一种寄生电容小的晶体管。提供一种频率特性高的晶体管。提供一种通态电流大的晶体管。提供一种包括该晶体管的半导体装置。提供一种集成度高的半导体装置。一种半导体装置，包括：氧化物半导体；第二绝缘体；第二导电体；第三导电体；第四导电体；第五导电体；埋入在形成于第二绝缘体、第二导电体、第三导电体、第四导电体及第五导电体的开口部中的第一导电体及第一绝缘体；第二导电体的侧面及底面与第四导电体接触的区域；以及第三导电体的侧面及底面与第五导电体接触的区域。
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公开(公告)号：CN101202300B
公开(公告)日：2010-06-23
申请号：CN200810003150.2
申请日：2002-01-19
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/32
CPC classification number: H01L21/02672 , G02F1/13454 , H01L21/2022 , H01L21/3226 , H01L27/12 , H01L27/1248 , H01L27/1277 , H01L27/1288 , H01L27/3246 , H01L29/42384 , H01L29/4908 , H01L29/66757 , H01L29/66765 , H01L29/78621 , H01L51/5253 , H01L51/56
Abstract: 本发明涉及半导体器件及其制造方法。本发明特征在于，在通过使用催化元素经过阻挡层获得的结晶半导体膜上，形成含稀有气体元素的半导体膜，并通过热处理将催化元素从结晶半导体膜迁移到含稀有气体元素的半导体膜。而且，在第一n-沟道TFT的半导体层中在栅极外形成的第一杂质区域和第二杂质区域。在第二n-沟道TFT的半导体层中形成的第三杂质区域设置成与栅极部分重叠。第三杂质区域设在栅极外。在p-沟道TFT的半导体层中形成的第四杂质区域设置成与栅极部分重叠。第五杂质区域设在栅极外。
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