公开(公告)号：CN1052567C

公开(公告)日：2000-05-17

申请号：CN94120769.2

申请日：1994-12-20

Applicant: 夏普公司

Inventor： 牧田直树 ,  船井尚 ,  山元良高 ,  三谷康弘 ,  野村克己 ,  宫本忠芳 ,  香西孝真

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/20 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L21/02672 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02686 ,  H01L21/2022 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/66757 ,  Y10S148/016

Abstract: 将促进晶化的催化元素导入非晶硅膜中。在将已导入催化元素的非晶硅膜刻成图形后，进行晶化热处理。于是，该导入的催化元素只能有效地在岛状非晶硅膜内扩散。其结果，就得到具有按一个方向对齐的结晶生长方向及具有无晶界的高品质结晶性硅膜。利用此形成的结晶性硅膜，可在整个基片上有效地制造出高性能且特性稳定的半导体器件，而无需考虑器件的尺寸。

公开(公告)号：CN1132927A

公开(公告)日：1996-10-09

申请号：CN95105129.6

申请日：1995-03-28

Applicant: 夏普公司

Inventor： 船井尚 ,  牧田直树 ,  山元良高 ,  宫本忠芳 ,  香西孝真 ,  前川真司

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L27/12 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/66757

Abstract: 半导体器件的制造中，先在有绝缘表面的基片上形成非晶半导体膜，再在膜表面上提供微量的可助长非晶半导体结晶化的催化元素。进而加热处理，使催化元素均匀扩散至膜中，由此使膜多结晶化。利用得到的结晶性半导体膜作为有源区，形成薄膜晶体管等半导体器件。采用下述方法掺入催化元素：形成含微量催化元素的膜；多次旋转涂覆含催化元素的溶液；经缓冲层使催化元素扩散；使其浸泡在含催化元素的溶液中；形成含催化元素的镀层。