数-模转换电路和半导体器件

    公开(公告)号:CN1280420A

    公开(公告)日:2001-01-17

    申请号:CN00120391.6

    申请日:2000-05-17

    Inventor: 长尾祥

    CPC classification number: H03M1/0682 H03M1/068 H03M1/808

    Abstract: 本发明涉及制造面积减小的DAC和采用这种DAC的半导体器件。所公开的一种D/A转换电路包括:n个电阻器A0、A1、…、An-1;n个电阻器B0、B1、…、Bn-1;两根电源电压线即电源电压线L和电源电压线H,它们维持于相互不同的电位;n个开关SWa0、SWa1、…SWan-1;n个开关SWb0、SWb1、…SWbn-1;和一根输出线,其中,所述的n个开关SWa0、SWa1、…SWan-1;和n个开关SWb0、SWb1、…SWbn-1由从外部输入的n位数字信号控制,并且从输出线输出一个模拟灰度电压信号。

    半导体器件
    16.
    发明授权

    公开(公告)号:CN102446488B

    公开(公告)日:2015-06-17

    申请号:CN201110283679.6

    申请日:2002-04-26

    CPC classification number: H01L29/786 H03K19/01714 H03K19/01721

    Abstract: 本发明提供了一种半导体器件,仅仅用一种导电类型的TFT构成一个电路,从而减少制造步骤,并且能正常获得一个输出信号的电压振幅。在连接到输出节点的一个TFT(203)的栅极和源极之间形成一个电容(205),并且由TFT(201)和(202)构成的电路具有使节点α进入浮动状态的功能。当节点α处在浮动状态时,通过电容(205)使节点α的电位高于采用TFT(203)的栅极-源极电容耦合获得的VDD,这样就能获得振幅为VDD-GND的输出信号,不会因TFT的门限值造成振幅衰减。

    半导体器件
    17.
    发明公开

    公开(公告)号:CN102446488A

    公开(公告)日:2012-05-09

    申请号:CN201110283679.6

    申请日:2002-04-26

    CPC classification number: H01L29/786 H03K19/01714 H03K19/01721

    Abstract: 本发明提供了一种半导体器件,仅仅用一种导电类型的TFT构成一个电路,从而减少制造步骤,并且能正常获得一个输出信号的电压振幅。在连接到输出节点的一个TFT(203)的栅极和源极之间形成一个电容(205),并且由TFT(201)和(202)构成的电路具有使节点α进入浮动状态的功能。当节点α处在浮动状态时,通过电容(205)使节点α的电位高于采用TFT(203)的栅极-源极电容耦合获得的VDD,这样就能获得振幅为VDD-GND的输出信号,不会因TFT的门限值造成振幅衰减。

    半导体器件
    18.
    发明公开

    公开(公告)号:CN102419961A

    公开(公告)日:2012-04-18

    申请号:CN201110283660.1

    申请日:2002-04-26

    CPC classification number: H01L29/786 H03K19/01714 H03K19/01721

    Abstract: 本发明提供了一种半导体器件,仅仅用一种导电类型的TFT构成一个电路,从而减少制造步骤,并且能正常获得一个输出信号的电压振幅。在连接到输出节点的一个TFT(203)的栅极和源极之间形成一个电容(205),并且由TFT(201)和(202)构成的电路具有使节点α进入浮动状态的功能。当节点α处在浮动状态时,通过电容(205)使节点α的电位高于采用TFT(203)的栅极-源极电容耦合获得的VDD,这样就能获得振幅为VDD-GND的输出信号,不会因TFT的门限值造成振幅衰减。

Patent Agency Ranking