公开(公告)号：CN1124304A

公开(公告)日：1996-06-12

申请号：CN95104060.X

申请日：1995-03-17

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 小沼利光 ,  菅原彰 ,  上原由起子

IPC: C25D11/02 ,  C25D17/00 ,  H01L21/00

Abstract: 一种用于阳极氧化的设备及使用该设备的方法，不仅在单一基片中，而且在多个膜之间，改善阳极氧化膜的膜厚及品质均匀性，所述设备包括：阴极，阳极互连线，与阳极互连线电气连接的金属薄膜，在阴极与金属薄膜之间流动的阳极氧化溶液，阳极氧化溶液必须与阴极和阳极互连线电气连接。金属薄膜可置于旋转表面上。

公开(公告)号：CN1571165A

公开(公告)日：2005-01-26

申请号：CN200410064274.3

申请日：1994-09-20

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 小沼利光 ,  菅原彰 ,  上原由起子 ,  张宏勇 ,  铃木敦则 ,  大沼英人 ,  山口直明 ,  须泽英臣 ,  鱼地秀贵 ,  竹村保彦

IPC: H01L29/78 ,  H01L27/12 ,  H01L27/092 ,  G02F1/136

CPC classification number: H01L29/665 ,  H01L21/02145 ,  H01L21/02244 ,  H01L21/02258 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/31683 ,  H01L21/31687 ,  H01L21/321 ,  H01L27/124 ,  H01L27/127 ,  H01L29/458 ,  H01L29/66598 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78627

Abstract: 本发明提供一种半导体器件，它包括至少一个第一晶体管和一个第二晶体管，所述第一和第二晶体管各自包括：结晶半导体，具有源区和漏区、源区和漏区间的沟道区、以及分别在沟道区和源区之间以及沟道区和漏区之间的一对杂质区，其中包含于该对杂质区内的一种导电类型杂质的浓度小于源区和漏区内杂质的浓度；位于沟道区上的栅绝缘膜；以及位于栅绝缘膜之上的栅电极，其中，第二晶体管中的那对杂质区至少部分地与栅电极重叠，而第一晶体管中的那对杂质区与栅电极之间没有重叠，其中，第一和第二晶体管的源区和漏区包括硅化镍。

公开(公告)号：CN1055790C

公开(公告)日：2000-08-23

申请号：CN94116346.6

申请日：1994-09-20

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 小沼利光 ,  菅原彰 ,  上原由起子 ,  张宏勇 ,  铃木敦则 ,  大沼英人 ,  山口直明 ,  须泽英臣 ,  鱼地秀贵 ,  竹村保彦

IPC: H01L29/78

CPC classification number: H01L29/665 ,  H01L21/02145 ,  H01L21/02244 ,  H01L21/02258 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/31683 ,  H01L21/31687 ,  H01L21/321 ,  H01L27/124 ,  H01L27/127 ,  H01L29/458 ,  H01L29/66598 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78627

Abstract: 一种在绝缘衬底上形成的TFT，具有源、漏和沟道区，至少在沟道区上形成栅绝缘膜，并在栅绝缘膜上形成栅电极。在沟道区和漏区间设有电阻率较高的区，以降低截止电流。形成这种结构的方法包括：阳极氧化栅电极以在栅电极侧形成多孔阳极氧化膜；用多孔阳极氧化膜为掩模除去一部分栅绝缘膜，使栅绝缘膜伸出栅电极但不全盖住源和漏区。此后，进行一种导电型元素的离子掺杂。在栅绝缘膜下限定高电阻率区。

公开(公告)号：CN1109220A

公开(公告)日：1995-09-27

申请号：CN94116346.6

申请日：1994-09-20

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 小沼利光 ,  菅原彰 ,  上原由起子 ,  张宏勇 ,  铃木敦则 ,  大沼英人 ,  山口直明 ,  须泽英臣 ,  鱼地秀贵 ,  竹村保彦

IPC: H01L29/78

CPC classification number: H01L29/665 ,  H01L21/02145 ,  H01L21/02244 ,  H01L21/02258 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/31683 ,  H01L21/31687 ,  H01L21/321 ,  H01L27/124 ,  H01L27/127 ,  H01L29/458 ,  H01L29/66598 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78627

Abstract: 一种在绝缘衬底上形成的TFT，具有源、漏和沟道区，至少在沟道区上形成栅绝缘膜，并在栅绝缘膜上形成栅电极。在沟道区和漏区间设有电阻率较高的区，以降低截止电流。形成这种结构的方法包括：阳极氧化栅电极以在栅电极侧形成多孔阳极氧化膜；用多孔阳极氧化膜为掩模除去一部分栅绝缘膜，使栅绝缘膜伸出栅电极但不全盖住源和漏区。此后，进行一种导电型元素的离子掺杂。在栅绝缘膜下限定高电阻率区。

公开(公告)号：CN1024341C

公开(公告)日：1994-04-27

申请号：CN88109264

申请日：1988-12-23

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 篠原久人 ,  菅原彰

IPC: C03C17/34 ,  C03C17/30

CPC classification number: H05K3/027 ,  B23K26/066 ,  B41M5/24 ,  G02F1/13439 ,  H05K1/0306 ,  H05K3/38

Abstract: 一种导电图形的制备方法，该方法是采用激光划线技术在钠钙玻璃基底上产生图形，可运用于液晶装置。在此玻璃基底上形成的一层ITO膜的一些部分通过激光脉冲照射而被除去。可用一种激元激光器来产生该种脉冲激光束，激光的照射不应损害介于ITO膜和玻璃基底之间的离子阻挡膜，而此离子阻挡膜是由不掺杂的二氧化硅制得，它可以防止碱金属离子从玻璃基底中扩散出来。

公开(公告)号：CN1035102A

公开(公告)日：1989-08-30

申请号：CN88109264

申请日：1988-12-23

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 篠原久人 ,  菅原彰

IPC: C03C17/34 ,  C03C21/00 ,  C03C17/28

CPC classification number: H05K3/027 ,  B23K26/066 ,  B41M5/24 ,  G02F1/13439 ,  H05K1/0306 ,  H05K3/38

Abstract: 一种导电图形的制备方法，该方法是采用激光划线技术在碱石灰玻璃基底上产生图形，可运用于液晶装置。在此玻璃基底上形成的一层ITO膜的一些部分通过激光脉冲照射而被除去。可用一种准分子激光器来产生该种脉冲激光束。激光的照射不应损害介于ITO膜和玻璃基底之间的离子阻挡膜，而此离子阻挡膜是由不掺杂的二氧化硅制得，它可以防止碱金属离子从玻璃基底中扩散出来。