公开(公告)号：CN87106576A

公开(公告)日：1988-05-18

申请号：CN87106576

申请日：1987-09-25

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 篠原久人

IPC: B23K26/00

CPC classification number: B23K26/364 ,  B23K26/066 ,  B23K26/0738 ,  B23K26/40 ,  B23K2103/172 ,  H01L21/2026 ,  H01L21/268 ,  H01L39/2467 ,  H05K1/0306 ,  H05K3/027 ,  H05K3/38

Abstract: 叙述了一种激光划线装置和方法。在该装置中，用激光束照射在基片上形成的薄膜，该激光束聚焦于薄膜的某一有限部分上，以移除该部分，从而形成一个沟槽。在聚焦激光束之前，先将用以清除一部分在基片上形成的薄膜的激光束切除其边缘部分。由于这个清除工序而抑了球面象差。

公开(公告)号：CN1018621B

公开(公告)日：1992-10-14

申请号：CN87106576

申请日：1987-09-25

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 篠原久人

IPC: B23K26/00

CPC classification number: B23K26/364 ,  B23K26/066 ,  B23K26/0738 ,  B23K26/40 ,  B23K2103/172 ,  H01L21/2026 ,  H01L21/268 ,  H01L39/2467 ,  H05K1/0306 ,  H05K3/027 ,  H05K3/38

Abstract: 一种激光划线的装置和方法。在该装置中，用激光束照射在基片上形成的薄膜，该激光束聚焦于薄膜的某一有限部分上，以移除该部分，从而形成一个沟槽。在聚焦激光束之前，先将用以清除一部分在基片上形成的薄膜的激光束边缘部分切除。由于这个清除工序而抑制了球面象差。

公开(公告)号：CN1024341C

公开(公告)日：1994-04-27

申请号：CN88109264

申请日：1988-12-23

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 篠原久人 ,  菅原彰

IPC: C03C17/34 ,  C03C17/30

CPC classification number: H05K3/027 ,  B23K26/066 ,  B41M5/24 ,  G02F1/13439 ,  H05K1/0306 ,  H05K3/38

Abstract: 一种导电图形的制备方法，该方法是采用激光划线技术在钠钙玻璃基底上产生图形，可运用于液晶装置。在此玻璃基底上形成的一层ITO膜的一些部分通过激光脉冲照射而被除去。可用一种激元激光器来产生该种脉冲激光束，激光的照射不应损害介于ITO膜和玻璃基底之间的离子阻挡膜，而此离子阻挡膜是由不掺杂的二氧化硅制得，它可以防止碱金属离子从玻璃基底中扩散出来。

公开(公告)号：CN1035102A

公开(公告)日：1989-08-30

申请号：CN88109264

申请日：1988-12-23

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 篠原久人 ,  菅原彰

IPC: C03C17/34 ,  C03C21/00 ,  C03C17/28

CPC classification number: H05K3/027 ,  B23K26/066 ,  B41M5/24 ,  G02F1/13439 ,  H05K1/0306 ,  H05K3/38

Abstract: 一种导电图形的制备方法，该方法是采用激光划线技术在碱石灰玻璃基底上产生图形，可运用于液晶装置。在此玻璃基底上形成的一层ITO膜的一些部分通过激光脉冲照射而被除去。可用一种准分子激光器来产生该种脉冲激光束。激光的照射不应损害介于ITO膜和玻璃基底之间的离子阻挡膜，而此离子阻挡膜是由不掺杂的二氧化硅制得，它可以防止碱金属离子从玻璃基底中扩散出来。