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公开(公告)号：CN101488471A
公开(公告)日：2009-07-22
申请号：CN200910003311.2
申请日：2009-01-15
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/762 , H01L21/84
CPC classification number: H01L21/187 , H01L21/76254 , Y10T156/17
Abstract: 本发明的目的之一在于提供一种减少涉及贴合的不良并其品质均匀的半导体衬底。本发明的半导体衬底的制造方法之一，包括：在衬底贴合室的衬底配置区域中配置第一衬底，该衬底贴合室包括在衬底配置区域中设置有多个开口的衬底支撑台、配置在该多个开口的每一个中的衬底支撑机构、使该衬底支撑机构升降的升降机构；在第一衬底的上方以不接触于第一衬底的方式配置第二衬底；通过利用衬底支撑机构对第一衬底的棱角部之一施加压力，从施加压力的棱角部之一进行第一衬底和第二衬底的贴合。
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公开(公告)号：CN107302018A
公开(公告)日：2017-10-27
申请号：CN201710578536.5
申请日：2012-03-23
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/04 , H01L29/06 , H01L29/786 , H01L21/336
Abstract: 本发明涉及半导体装置及制造半导体装置的方法。一个目标是通过使用具有稳定电气特性的氧化物半导体膜来提供具有稳定电气特性的高度可靠的半导体装置。另一个目标是通过使用具有高结晶性的氧化物半导体膜来提供具有较高迁移率的半导体装置。结晶氧化物半导体膜是在其表面粗糙度减小了的绝缘膜之上形成并与之接触，由此氧化物半导体膜可以具有稳定的电气特性。相应地，可以提供具有稳定的电气特性的高度可靠的半导体装置。另外，可以提供具有较高迁移率的半导体装置。
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公开(公告)号：CN101488471B
公开(公告)日：2014-10-29
申请号：CN200910003311.2
申请日：2009-01-15
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/762 , H01L21/84
CPC classification number: H01L21/187 , H01L21/76254 , Y10T156/17
Abstract: 本发明的目的之一在于提供一种减少涉及贴合的不良并其品质均匀的半导体衬底。本发明的半导体衬底的制造方法之一，包括：在衬底贴合室的衬底配置区域中配置第一衬底，该衬底贴合室包括在衬底配置区域中设置有多个开口的衬底支撑台、配置在该多个开口的每一个中的衬底支撑机构、使该衬底支撑机构升降的升降机构；在第一衬底的上方以不接触于第一衬底的方式配置第二衬底；通过利用衬底支撑机构对第一衬底的棱角部之一施加压力，从施加压力的棱角部之一进行第一衬底和第二衬底的贴合。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103500712A
公开(公告)日：2014-01-08
申请号：CN201310376877.6
申请日：2011-11-21
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/363 , C01G15/00 , C23C14/08 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/78696 , H01L29/045 , H01L29/1033 , H01L29/247 , H01L29/7869 , H01L29/78693
Abstract: 本发明涉及半导体装置。提供一种具有更稳定的导电性的氧化物半导体膜。此外，通过使用氧化物半导体膜来提供具有稳定的电特性及高可靠性的半导体装置。氧化物半导体膜包括结晶区域，且结晶区域包括a-b面与膜的表面实质上平行且c轴与膜的表面实质上垂直的晶体；氧化物半导体膜具有稳定的导电性且相对于可见光、紫外线光等的照射更电稳定。通过将这种氧化物半导体膜用于晶体管，可以提供具有稳定的电特性的可靠性高的半导体装置。
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公开(公告)号：CN102694006A
公开(公告)日：2012-09-26
申请号：CN201210078793.X
申请日：2012-03-23
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/04 , H01L29/06 , H01L29/786 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/66969 , H01L21/0214 , H01L21/02164 , H01L21/02238 , H01L21/02255 , H01L21/02565 , H01L21/44 , H01L21/47573 , H01L21/477 , H01L29/045 , H01L29/24 , H01L29/42384 , H01L29/66742 , H01L29/78603 , H01L29/7869
Abstract: 本发明涉及半导体装置及制造半导体装置的方法。一个目标是通过使用具有稳定电气特性的氧化物半导体膜来提供具有稳定电气特性的高度可靠的半导体装置。另一个目标是通过使用具有高结晶性的氧化物半导体膜来提供具有较高迁移率的半导体装置。结晶氧化物半导体膜是在其表面粗糙度减小了的绝缘膜之上形成并与之接触，由此氧化物半导体膜可以具有稳定的电气特性。相应地，可以提供具有稳定的电气特性的高度可靠的半导体装置。另外，可以提供具有较高迁移率的半导体装置。
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公开(公告)号：CN100565806C
公开(公告)日：2009-12-02
申请号：CN200580032554.9
申请日：2005-07-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/268 , H01L29/786 , H01L21/20
CPC classification number: H01L21/02683 , B23K26/0604 , B23K26/066 , H01L21/02672 , H01L21/02686 , H01L21/2026 , H01L21/268 , H01L27/1266 , H01L27/1285 , H01L27/13
Abstract: 本发明的一个目的在于提供对半导体膜的整个表面进行均匀激光处理的激光辐照装置和激光辐照方法。自第一激光振荡器发出的第一激光束通过狭缝和聚光透镜，接着入射被辐照表面。同时，传送自第二激光振荡器发出的第二激光束使其与被辐照表面上的第一激光束相叠。接着，相对于被辐照表面扫描激光束使被辐照表面均匀退火。
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公开(公告)号：CN100550284C
公开(公告)日：2009-10-14
申请号：CN200510128584.1
申请日：2005-11-29
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/00 , H01L21/20 , H01L21/268 , H01L21/324 , B23K26/00
CPC classification number: H01L21/02683 , B23K26/0853 , B23K2101/40 , H01L21/02686 , H01L21/2026 , H01L27/1285
Abstract: 本发明涉及一种激光处理装置以及通过使用该装置而执行的激光处理方法，其中所述激光处理装置包括：激光振荡器；提供在激光振荡器中的联锁器；按一定工作周期移动的移动台；计时器；提供在计时器中的联锁器；能够检测移动台的移动状态的传感器；以及计算机，其中，当所述传感器检测出移动台的通过时所述计时器开始测量时间，并且，在所述工作周期之后移动台还不通过传感器的情况下，提供在所述计时器中的联锁器的接点之间的电流被阻断，因此激光振荡器的联锁器开始运转，从而停止照射激光束。
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公开(公告)号：CN101027757A
公开(公告)日：2007-08-29
申请号：CN200580032554.9
申请日：2005-07-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/268 , H01L29/786 , H01L21/20
CPC classification number: H01L21/02683 , B23K26/0604 , B23K26/066 , H01L21/02672 , H01L21/02686 , H01L21/2026 , H01L21/268 , H01L27/1266 , H01L27/1285 , H01L27/13
Abstract: 本发明的一个目的在于提供对半导体膜的整个表面进行均匀激光处理的激光辐照装置和激光辐照方法。自第一激光振荡器发出的第一激光束通过狭缝和聚光透镜，接着入射被辐照表面。同时，传送自第二激光振荡器发出的第二激光束使其与被辐照表面上的第一激光束相叠。接着，相对于被辐照表面扫描激光束使被辐照表面均匀退火。
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