公开(公告)号：CN101128935A

公开(公告)日：2008-02-20

申请号：CN200580040575.5

申请日：2005-11-22

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 安部宽子 ,  汤川干央 ,  高野圭惠 ,  浅见良信 ,  加藤清 ,  野村亮二 ,  守屋芳隆

IPC: H01L27/28 ,  G06K19/07 ,  H01L27/10 ,  G06K19/077 ,  H01L51/05 ,  G11C13/00

CPC classification number: H01L27/1266 ,  B82Y10/00 ,  G11C13/0014 ,  G11C13/04 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1285 ,  H01L27/1292 ,  H01L27/13 ,  H01L27/283 ,  H01L51/0059

Abstract: 本发明的目的在于提供一种除在制造过程中外可以写入数据、并可以防止由于重写的伪造的易失性有机存储器，并且还提供一种包含这种有机存储器的半导体器件。本发明的特征在于，半导体器件包括：在第一方向上延伸的多个位线，在不同于第一方向的第二方向上延伸的多个字线，具有设置在位线与字线的交叉位置上的多个存储单元的存储单元阵列，以及设置在存储单元中的存储元件；其中，该存储元件包含位线、有机化合物层、和字线；该有机化合物层包含由无机化合物和有机化合物混合的层。

公开(公告)号：CN1832179A

公开(公告)日：2006-09-13

申请号：CN200610051420.8

申请日：2006-02-24

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 小山润 ,  大力浩二 ,  冈崎奖 ,  守屋芳隆 ,  山崎舜平

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L27/1266 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1218 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/283 ,  H01L29/78603 ,  H01L51/0097 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2924/12044 ,  Y02E10/549 ,  Y02P70/521 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的一个目的是提供一种半导体器件和制造所述半导体器件的方法，所述半导体器件具有挠性和抗物理变化(诸如弯曲)的特性。本发明的半导体器件包括设置在挠性衬底上的多个晶体管、设在所述多个晶体管之间的弯曲部分，以及被设置成用于覆盖所述栅电极的层间绝缘膜，每个所述晶体管都具有半导体膜、以与所述半导体膜之间具有栅绝缘膜的方式设置在所述半导体膜上的栅电极，其中所述弯曲部分是通过用具有比层间绝缘膜更低弹性模数的材料、比层间绝缘膜更低玻璃转化点的材料或者比层间绝缘膜更高可塑性的材料填充形成在层间绝缘膜中的开口而提供的。

公开(公告)号：CN102422338B

公开(公告)日：2015-04-01

申请号：CN201080019425.7

申请日：2010-04-07

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 冈本知广 ,  荒井康行 ,  川俣郁子 ,  宫口厚 ,  守屋芳隆

IPC: G09F9/00 ,  G02F1/1333 ,  G02F1/1345 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/30

CPC classification number: H05K1/189 ,  G02F1/133305 ,  G02F1/13452 ,  G02F1/167 ,  G06F3/0412 ,  G06F2203/04102 ,  G09G3/2096 ,  G09G3/3208 ,  G09G3/36 ,  G09G3/3611 ,  G09G5/003 ,  G09G5/39 ,  G09G2300/0421 ,  G09G2300/0478 ,  H01L27/1218 ,  H01L27/1225 ,  H05K2201/10128

Abstract: 显示设备包括：柔性显示面板(4311)，其包括显示部分(4301)，其中扫描线和信号线彼此交叉；支撑部分(4308)，用于支撑柔性显示面板(4311)的端部；信号线驱动电路(4323)，用于向为支撑部分(4308)提供的信号线输出信号；和扫描线驱动电路(4321a，4321b)，用于向沿着垂直于或基本垂直于支撑部分(4308)的方向为显示面板(4311)的柔性表面提供的扫描线输出信号。

公开(公告)号：CN101088158B

公开(公告)日：2010-06-23

申请号：CN200580044835.6

申请日：2005-12-21

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 加藤清 ,  守屋芳隆

IPC: H01L21/822 ,  H01L27/04 ,  G06K19/07 ,  G06K19/077

CPC classification number: G06K19/0701 ,  G06K19/07749 ,  H01L21/84 ,  H01L27/12

Abstract: 一种半导体装置，其能够防止从阅读器/记录器传输的电磁波的振幅的减小并且能够防止由于磁场变化而造成的元件形成层的加热。本发明的半导体装置具有在基材上形成的元件形成层，和连接到元件形成层的天线。元件形成层至少具有导线，如电源导线和接地导线，其以非环形排列。可以提供元件形成层和天线以便彼此至少部分重叠。天线可以在元件形成层之上或之下提供。

公开(公告)号：CN100573881C

公开(公告)日：2009-12-23

申请号：CN200610051420.8

申请日：2006-02-24

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 小山润 ,  大力浩二 ,  冈崎奖 ,  守屋芳隆 ,  山崎舜平

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L27/1266 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1218 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/283 ,  H01L29/78603 ,  H01L51/0097 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2924/12044 ,  Y02E10/549 ,  Y02P70/521 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的一个目的是提供一种半导体器件和制造所述半导体器件的方法，所述半导体器件具有挠性和抗物理变化(诸如弯曲)的特性。本发明的半导体器件包括设置在挠性衬底上的多个晶体管、设在所述多个晶体管之间的弯曲部分，以及被设置成用于覆盖所述栅电极的层间绝缘膜，每个所述晶体管都具有半导体膜、以与所述半导体膜之间具有栅绝缘膜的方式设置在所述半导体膜上的栅电极，其中所述弯曲部分是通过用具有比层间绝缘膜更低弹性模数的材料、比层间绝缘膜更低玻璃转化点的材料或者比层间绝缘膜更高可塑性的材料填充形成在层间绝缘膜中的开口而提供的。

公开(公告)号：CN100501979C

公开(公告)日：2009-06-17

申请号：CN200510099190.8

申请日：2005-09-09

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 中村理 ,  守屋芳隆

IPC: H01L21/84 ,  H01L21/00 ,  H01L27/15 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L51/56 ,  H01L51/0004 ,  H01L51/0024

Abstract: 本发明提供了用于制造膜片类型显示器件的方法，和用于制造大尺寸膜片类型显示器件的方法，以及用于制造膜片类型显示器件的设备。用于制造膜片类型显示器件的设备包括：用于传送其上具有构成显示器件的集成电路的衬底的传送装置；用于通过将第一板材料粘附于集成电路的一个表面而将集成电路与所述衬底相分离的第一分离装置；用于通过将第二板材料粘附于集成电路的另一个表面而将集成电路与所述第一板材料相分离的第二分离装置；用于在集成电路上形成导电膜和绝缘膜中的一个或两者的处理装置；以及用于通过第二板材料和第三板材料密封所处理的集成电路的密封装置。

公开(公告)号：CN101180641A

公开(公告)日：2008-05-14

申请号：CN200680010996.8

申请日：2006-01-26

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 野田由美子 ,  荒井康行 ,  渡边康子 ,  守屋芳隆 ,  山崎舜平

IPC: G06K19/077 ,  G06K19/07 ,  H01L21/822 ,  H01L27/04 ,  H01L27/146

CPC classification number: H01L27/1266 ,  G06K19/077 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/13 ,  H01L27/144

Abstract: 本发明的目的是提供适于新用法的器件，通过使用半导体器件(如根据性能的RFID标签)而在不接触的条件下发送和接收数据，以减少使用者的负担，并提高便利性。所提供的半导体器件具有包含晶体管的运算处理电路、用作天线的导电层、具有检测物理量和化学量方法的检测单元以及存储被检测单元检测到的数据的存储单元，以及用保护层来覆盖运算处理电路、导电层、检测单元和存储单元。另外，在不接触的条件下通过为人类、动物和植物等提供这样的半导体器件，可监视和控制不同的信息。

公开(公告)号：CN101048869A

公开(公告)日：2007-10-03

申请号：CN200580036324.X

申请日：2005-10-18

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 安部宽子 ,  岩城裕司 ,  汤川干央 ,  山崎舜平 ,  荒井康行 ,  渡边康子 ,  守屋芳隆

IPC: H01L27/10 ,  H01L51/05 ,  H01L27/28 ,  G11C13/00

CPC classification number: G11C13/0014 ,  B82Y10/00 ,  G11C13/00 ,  G11C17/14 ,  G11C17/143 ,  G11C17/16 ,  H01L27/285 ,  H01L51/0051 ,  H01L51/0059

Abstract: 本发明提供了一种半导体器件以及所述半导体器件的制造方法，所述半导体器件具有存储元件，所述存储元件具有在一对导电层之间插置有机化合物层的简单结构。凭借这一特点，提供了一种半导体器件以及所述半导体器件的制造方法，所述半导体器件具有的存储电路是非易失的、可额外写入的，并且易于制造。根据本发明的半导体器件具有设置于绝缘层上的多个场效应晶体管和设置于所述多个场效应晶体管上的多个存储元件。所述多个场效应晶体管中的每者采用单晶半导体层作为沟道部分，所述多个存储元件中的每者是通过按顺序叠置第一导电层、有机化合物层和第二导电层形成的元件。

公开(公告)号：CN1879055A

公开(公告)日：2006-12-13

申请号：CN200480033485.9

申请日：2004-11-05

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 前川慎志 ,  山崎舜平 ,  桑原秀明 ,  守屋芳隆

IPC: G02F1/1368 ,  H01L21/288

CPC classification number: G02F1/1368 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48464 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

Abstract: 在液晶显示器件的制造步骤中通过使用一个光掩模，需要许多步骤，例如抗蚀剂涂覆、预烘焙、曝光、显影和后烘焙，以及在上述步骤之前和之后的覆盖膜的形成、刻蚀、抗蚀剂剥离、冲洗、干燥等，这使得工艺变得复杂。为了解决该问题，采用沟道刻蚀型底部栅极TFT结构(反向交错TFT)以便通过相同的掩模图形化源极区域和漏极区域以及像素电极。而且，按照本发明，在制造液晶显示器件所需的图形中，例如用于形成布线层或电极的导电层、用于形成预定图形的掩模等，通过能够选择地形成图形的方法来形成它们中的至少一个或多个，由此制造液晶显示器件。

公开(公告)号：CN1747152A

公开(公告)日：2006-03-15

申请号：CN200510099190.8

申请日：2005-09-09

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 中村理 ,  守屋芳隆

IPC: H01L21/84 ,  H01L21/00 ,  H01L27/15 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L51/56 ,  H01L51/0004 ,  H01L51/0024

Abstract: 本发明提供了用于制造膜片类型显示器件的方法，和用于制造大尺寸膜片类型显示器件的方法，以及用于制造膜片类型显示器件的设备。用于制造膜片类型显示器件的设备包括：用于传送其上具有构成显示器件的集成电路的衬底的传送装置；用于通过将第一板材料粘附于集成电路的一个表面而将集成电路与所述衬底相分离的第一分离装置；用于通过将第二板材料粘附于集成电路的另一个表面而将集成电路与所述第一板材料相分离的第二分离装置；用于在集成电路上形成导电膜和绝缘膜中的一个或两者的处理装置；以及用于通过第二板材料和第三板材料密封所处理的集成电路的密封装置。