公开(公告)号：CN102473705B

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201080034016.4

申请日：2010-06-28

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 齐藤顺 ,  青井佐智子 ,  杉山隆英

IPC: H01L27/04 ,  H01L21/336 ,  H01L21/76 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/06 ,  H01L27/088 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L27/0664 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/32 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/861

Abstract: 本发明提供一种半导体装置。在半导体装置的半导体层中形成有二极管区和IGBT区。在半导体层中形成有寿命控制区。寿命控制区具有在俯视观察时位于二极管区中的第一寿命控制区、和位于IGBT区的一部分中的第二寿命控制区。该第二寿命控制区从二极管区和IGBT区的边界起朝向IGBT区内延伸。第二寿命控制区的前端在俯视观察时位于IGBT区中的体区的形成范围内。

公开(公告)号：CN103890955A

公开(公告)日：2014-06-25

申请号：CN201280035577.5

申请日：2012-07-27

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 山下侑佑 ,  町田悟 ,  杉山隆英 ,  斋藤顺

IPC: H01L29/872 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/40 ,  H01L29/08

Abstract: 本发明公开了一种能够在二极管导通时降低损耗的技术。在本说明书中公开的二极管包括阴极电极、由第一导电型半导体制成的阴极区域、由低浓度的第一导电型半导体制成的漂移区、由第二导电型半导体制成的阳极区域、由金属制成的阳极电极、形成于漂移区和阳极区域之间且由浓度比漂移区的浓度更高的第一导电型半导体制成的势垒区域以及形成为将势垒区域连接至阳极电极且由浓度比势垒区域的浓度更高的第一导电型半导体制成的柱区域。柱区域和阳极通过肖特基结相连接。

公开(公告)号：CN1967869B

公开(公告)日：2010-05-26

申请号：CN200610165662.X

申请日：2004-09-01

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 堀田幸司 ,  河路佐智子 ,  杉山隆英 ,  庄司智幸 ,  石子雅康

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L23/58 ,  H01L21/331 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体器件，其防止在周边区域中发生的半导体器件的热破坏，实现半导体器件的高耐压化。是一种具有已形成了半导体开关元件组的中心区域(M)，和已形成了把该中心区域围起来的保护环(38)组的周边区域N的半导体器件，在最外周上形成的半导体开关元件的体区域(34)，和在最内周形成的保护环(38)重叠起来地形成，已连接到半导体开关元件组的栅电极(35)上的栅布线(48)中间存在着绝缘层(46)地与体区域(34)和保护环(38)的重叠区域(39)对向，上述重叠区域(39)的宽度，是体区域(34)与保护环(38)中的深的一方的深度的1/3以上。

公开(公告)号：CN105703623A

公开(公告)日：2016-06-22

申请号：CN201510897207.8

申请日：2015-12-08

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 高木健一 ,  井上俊太郎 ,  杉山隆英 ,  长下贤一郎 ,  新见嘉崇 ,  冈村贤树

IPC: H02M3/335

CPC classification number: H02M3/33584 ,  H02M3/1582 ,  H02M3/33561 ,  H02M2001/0064 ,  H02M2001/009

Abstract: 公开了电力变换系统。提供了电力变换电路(12)和控制电路(10)。电力变换电路包括初级变换电路和次级变换电路。初级变换电路具有开关晶体管(S1、S2、S3、S4)和变压器的初级线圈(Tr1)。次级变换电路具有开关晶体管(S5、S6、S7、S8)和变压器的次级线圈(Tr2)。电抗器(L1、L2)和连接端口(D)连接在初级变换电路中开关晶体管(S1、S2)的连接点与其它开关晶体管(S3、S4)的连接点之间。

公开(公告)号：CN102376759A

公开(公告)日：2012-03-14

申请号：CN201110251267.4

申请日：2011-08-16

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 小山雅纪 ,  大仓康嗣 ,  添野明高 ,  永冈达司 ,  杉山隆英 ,  青井佐智子 ,  井口纮子

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06 ,  H01L29/08 ,  H01L29/30 ,  H01L21/263

CPC classification number: H01L29/8611 ,  H01L21/263 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/266 ,  H01L29/063 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/32 ,  H01L29/7397

Abstract: 在此公开了一种半导体装置，特别是公开了一种具有IGBT区和二极管区的半导体装置，其中IGBT结构设置在IGBT区中并且二极管结构设置在二极管区中，所述IGBT区和所述二极管区都位于同一个衬底内，并且所述IGBT区与所述二极管区相邻。在这种类型的半导体装置中，当IGBT结构被关断时会发生积聚在IGBT区内的载流子流入二极管区的现象。为防止这种现象，缩短载流子寿命的区域至少设置在所述IGBT区内的与所述二极管区相邻的分区中。在所述分区中，省略了IGBT结构的发射极。

公开(公告)号：CN101897027B

公开(公告)日：2012-02-29

申请号：CN200880120102.X

申请日：2008-12-02

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 青井佐智子 ,  杉山隆英 ,  铃木隆司 ,  添野明高 ,  西脇刚

IPC: H01L29/739 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7397 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/66734

Abstract: 一种IGBT(10)，具有n+型的发射区(34)、n-型的漂移区(26)、被设置在发射区(34)和漂移区(26)之间的p型的体区(28)、在体区(28)内从发射区(34)朝向漂移区(26)延伸的沟槽栅(40)、和与沟槽栅(40)的表面接触的绝缘体的突出部(60)。突出部(60)的至少一部分突出至漂移区(26)内。突出部(60)对从表面部半导体区供给的电子移动至沟槽栅(40)的下方的情况进行物理性抑制，由此，能够抑制空穴被该电子吸引而在沟槽栅(40)的下方集中的情况。其结果为，能够对栅电容由于载流子的集中而随时间变动的情况进行抑制，从而能够提供高耐压量的IGBT(10)。

公开(公告)号：CN100505302C

公开(公告)日：2009-06-24

申请号：CN200480036076.4

申请日：2004-12-03

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 堀田幸司 ,  河路佐智子 ,  杉山隆英 ,  臼井正则

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L29/10

Abstract: 本发明涉及一种通过增大深区(26)和中间区(28)中的少数载流子浓度来降低半导体器件的接通电压的技术。根据本发明的半导体器件包括电极、连接到所述电极的第二导电类型的顶区(36)、所述第二导电类型的深区，以及连接到所述电极的第一导电类型的中间区。部分所述中间区使所述顶区和所述深区隔离。所述半导体器件还包括通过绝缘层与所述中间区的所述部分面对的栅极电极(32)。面对所述栅极电极的所述部分使所述顶区和所述深区隔离。根据本分明的半导体器件还包括形成在所述中间区和/或所述顶区内的势垒区(40)。

公开(公告)号：CN1316628C

公开(公告)日：2007-05-16

申请号：CN200410074196.5

申请日：2004-09-01

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 堀田幸司 ,  河路佐智子 ,  杉山隆英 ,  庄司智幸 ,  石子雅康

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L23/58

Abstract: 一种半导体器件及制造方法，是防止在周边区域中发生的半导体器件的热破坏，实现半导体器件的高耐压化。是一种具有已形成了半导体开关元件组的中心区域(M)，和已形成了把该中心区域围起来的保护环(38)组的周边区域N的半导体器件，在最外周上形成的半导体开关元件的体区域(34)，和在最内周形成的保护环(38)重叠起来地形成，已连接到半导体开关元件组的栅电极(35)上的栅布线(48)中间存在着绝缘层(46)地与体区域(34)和保护环(38的重叠区域(39)对向，上述重叠区域(39)的宽度，是体区域(34)与保护环(38)中的深的一方的深度的1/3以上。

公开(公告)号：CN1879222A

公开(公告)日：2006-12-13

申请号：CN200480033052.3

申请日：2004-11-05

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 堀田幸司 ,  河路佐智子 ,  臼井正则 ,  杉山隆英

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L29/423

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/7397 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了一种用于在体区，即介于顶区和深区之间的中间区中聚集少数载流子，从而提高中间区中少数载流子浓度的技术。一种半导体器件包括：第二导电类型的顶区(34)、所述第二导电类型的深区(26)，以及第一导电类型的中间区(28)，用于使所述顶区和所述深区隔离。所述半导体器件还包括沟槽栅极(32)，其通过绝缘层(33)面对部分所述中间区。面对所述沟槽栅极的所述部分使所述顶区和所述深区隔离。所述沟槽栅极沿纵向延伸。所述沟槽栅极的宽度沿所述纵向不一致；相反地，所述沟槽栅极的宽度沿所述纵向变化。

公开(公告)号：CN106026660B

公开(公告)日：2018-11-02

申请号：CN201610164647.7

申请日：2016-03-22

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 高木健一 ,  井上俊太郎 ,  杉山隆英 ,  长下贤一郎 ,  新见嘉崇 ,  冈村贤树

IPC: H02M3/335

Abstract: 本发明涉及种电力转换电路系统，尤其在轻负载时降低变压器的铁芯损耗，来提高轻负载时的转换效率。具备：电力转换电路，其由具备左臂和右臂的初级侧转换电路以及具备左臂和右臂的次级侧转换电路构成；以及控制电路，其控制初级侧转换电路以及次级侧转换电路的开关晶体管的开关。控制电路在输出电压相对小的轻负载时，变更控制初级侧转换电路和次级侧转换电路中的送电侧的时间比率，并且变更控制初级侧转换电路以及次级侧转换电路的左臂与右臂各自的相间相位差。