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公开(公告)号：CN100562552C
公开(公告)日：2009-11-25
申请号：CN200610076096.5
申请日：2006-04-27
Applicant: 株式会社东芝
IPC: C09G1/16 , C08J5/14 , H01L21/3105
CPC classification number: C09K3/1463 , C09G1/02 , H01L21/3212 , H01L22/26
Abstract: 本发明提供了一种用于金属膜的CMP浆料，包括：水；基于所述浆料的总量0.01至0.3wt%的重量平均分子量不小于20，000的聚乙烯基吡咯烷酮；氧化剂；保护膜形成剂，包含用于形成水不溶性络合物的第一络合剂和用于形成水溶性络合物的第二络合剂；以及初级颗粒直径在5至50nm范围内的胶体二氧化硅。
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公开(公告)号：CN1321441C
公开(公告)日：2007-06-13
申请号：CN200410069162.7
申请日：2004-07-05
IPC: H01L21/304 , C09K3/14
CPC classification number: H01L21/02074 , C09G1/02 , C09K3/1463 , H01L21/3212
Abstract: 本发明中所涉及的化学机械研磨用水性分散体含有：研磨粉粒成分(A)、喹啉羧酸及吡啶羧酸中至少一种所组成的成分(B)、喹啉羧酸及吡啶羧酸以外的有机酸组成的成分(C)、氧化剂成分(D)，且其中成分(B)的含量(WB)与成分(C)的含量(WC)的质量比(WB/WC)在0.01到2之间，氨及铵离子组成的氨成分浓度在0.005摩尔/升以下。这种化学机械研磨用水性分散体，可高效研磨各种被加工层各处，获得非常平坦且高精度的最终面。
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公开(公告)号：CN1276959C
公开(公告)日：2006-09-27
申请号：CN200410073976.8
申请日：2004-09-17
Applicant: 株式会社东芝
IPC: C09G1/16 , H01L21/304
CPC classification number: C09G1/02 , B24B37/044
Abstract: 本文公开了一种抛光方法，包括：使半导体基片的抛光面与含有树脂作主要组分并连接到转盘上的抛光垫接触，并向抛光垫滴加CMP浆料以打磨抛光面，该CMP浆料含有树脂微粒、无机微粒、可聚合组分和聚合引发剂。
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公开(公告)号：CN1626600A
公开(公告)日：2005-06-15
申请号：CN200410096136.3
申请日：2004-11-26
Applicant: 株式会社东芝
IPC: C09G1/16 , H01L21/304
CPC classification number: C09K3/1463 , C09G1/02 , C23F3/06 , H01L21/3212 , H01L21/7684
Abstract: 公开了一种CMP浆料，包括Cu氧化剂，形成Cu有机络合物的络合剂，表面活性剂，无机微粒，以及树脂微粒，该树脂微粒含有聚苯乙烯，在其表面上具有与无机微粒的极性相同的功能基，并且平均微粒直径小于100nm，以小于1重量％的浓度加入所述树脂微粒。
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公开(公告)号：CN1616573A
公开(公告)日：2005-05-18
申请号：CN200410073976.8
申请日：2004-09-17
Applicant: 株式会社东芝
IPC: C09G1/16 , H01L21/304
CPC classification number: C09G1/02 , B24B37/044
Abstract: 本文公开了一种抛光方法，包括：使半导体基片的抛光面与含有树脂作主要组分并连接到转盘上的抛光垫接触，并向抛光垫滴加CMP浆料以打磨抛光面，该CMP浆料含有树脂微粒、无机微粒、可聚合组分和聚合引发剂。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101693354A
公开(公告)日：2010-04-14
申请号：CN200910211501.3
申请日：2003-12-26
CPC classification number: B24B37/015 , B24B41/061 , B24B55/02
Abstract: 公开了一种基片抛光方法，用于抛光基片，所述方法包括：提供用于保持基片的基片保持机构、具有抛光面的抛光台、用于将抛光液供应到抛光面上的抛光液供应嘴、用于被气体从中流经的气体流道、用于控制气体在气体流道中的流速的开度可调型定流量控制阀；抛光基片，其中将要被抛光的基片被基片保持机构保持并推压，从而基片被推压在抛光台的抛光面上，在抛光液被供应到抛光面上的同时，基片与抛光面相对运动，从而利用相对运动将基片抛光；其中，通过调节开度可调型定流量控制阀的开度来控制气体在气体流道中的流速，以便在抛光时连续地将气体直接供应到基片上，从而在基片的抛光过程中，基片的温度被维持在从40℃至65℃的范围内。
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公开(公告)号：CN101306512A
公开(公告)日：2008-11-19
申请号：CN200810125500.2
申请日：2003-12-26
IPC: B24B29/00 , H01L21/304
Abstract: 一种基片抛光设备包括：基片保持机构；具有抛光面的抛光台；其中，由所述基片保持机构保持着的将要被抛光的基片被推压在所述抛光台的抛光面上，通过由所述基片保持机构保持着的所述基片和所述抛光台的抛光面之间的相对运动，所述基片被抛光；其中，设有冷却装置，用于冷却所述抛光台的抛光面和所述基片保持机构的基片保持部分；所述冷却装置包括具有引入口和排出口的拱顶，所述拱顶覆盖所述抛光台的抛光面和所述基片保持机构的基片保持部分，以便利用通过对所述拱顶的内侧部分地抽真空而产生的气流来冷却所述抛光台的抛光面和所述基片保持机构的基片保持部分。
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公开(公告)号：CN1854225A
公开(公告)日：2006-11-01
申请号：CN200610076096.5
申请日：2006-04-27
Applicant: 株式会社东芝
IPC: C09G1/16 , C08J5/14 , H01L21/3105
CPC classification number: C09K3/1463 , C09G1/02 , H01L21/3212 , H01L22/26
Abstract: 本发明提供了一种用于金属膜的CMP浆料，包括：水；基于所述浆料的总量0.01至0.3wt％的重量平均分子量不小于20,000的聚乙烯基吡咯烷酮；氧化剂；保护膜形成剂，包含用于形成水不溶性络合物的第一络合剂和用于形成水溶性络合物的第二络合剂；以及初级颗粒直径在5至50nm范围内的胶体二氧化硅。
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公开(公告)号：CN1264201C
公开(公告)日：2006-07-12
申请号：CN200310120519.5
申请日：2003-12-12
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L21/302 , H01L21/3213 , H01L21/3205 , B24B1/00
CPC classification number: H01L21/02074 , H01L21/3212 , H01L21/7684
Abstract: 提供一种研磨方法及半导体装置的制造方法。该研磨方法包括：供给研磨液，研磨在具有规定图形的槽的层上、以埋入上述槽的方式形成的作为被研磨膜的Cu、Al、W或Ag膜的上层部，进行第一研磨；上述第一研磨后，一边供给从纯水及清洗液选择的一种，一边研磨上述被研磨膜，进行清洗研磨；上述清洗研磨后，供给研磨液，研磨残留在上述槽的外部的上述被研磨膜的残余部分，进行第二研磨。
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公开(公告)号：CN1166986C
公开(公告)日：2004-09-15
申请号：CN00120471.8
申请日：2000-07-12
CPC classification number: H01L21/31058 , H01L21/31053
Abstract: 通过化学机械抛光处理整平聚合物层。
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