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公开(公告)号：CN1294561C
公开(公告)日：2007-01-10
申请号：CN200410007300.9
申请日：2004-02-27
Abstract: 本申请公开了一种磁记录介质和磁记录/再现设备。其中形成一个多层(4)，其包括磁记录层(2)和高磁致形变层(3)，后者具有大于磁记录层(10)的磁致形变常数。
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公开(公告)号：CN1282163C
公开(公告)日：2006-10-25
申请号：CN200410007277.3
申请日：2004-02-27
CPC classification number: G11B5/732 , G11B5/667 , G11B5/7325
Abstract: 磁记录介质和包含该磁记录介质的磁记录/再现装置，其中磁记录介质包含具有粒状结构的取向控制层(3)，该取向控制层在衬底(1)和磁记录层(4)之间形成并包含基底材料和分散在基底材料上的颗粒并且具有小于颗粒粒径的厚度。
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公开(公告)号：CN1270294C
公开(公告)日：2006-08-16
申请号：CN03154627.7
申请日：2003-07-11
Abstract: 一种磁记录介质包括非磁性基片，在这个基片上有至少一层软磁性下膜、一层控制直接在其上的膜定向的定向控制膜、一层具有基本上垂直于基片的易磁化轴的垂直磁记录膜，和一层保护膜，其中定向控制膜具有形成C11b结构的材料组成。该磁记录介质采用一种方法生产，该生产方法包括按顺序实施以下步骤：至少一个在非磁性基片上形成软磁性下膜的步骤、形成控制直接在其上的膜定向的定向控制膜的步骤、形成具有基本上与基片垂直的易磁化轴的垂直磁记录膜的步骤，和形成保护膜的步骤。一种磁记录和再现设备包括磁记录介质和在磁记录介质上记录和再现信息的磁头，其中磁头是磁单极头。
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公开(公告)号：CN1538390A
公开(公告)日：2004-10-20
申请号：CN200410031899.X
申请日：2004-03-31
IPC: G11B5/62
CPC classification number: G11B5/7325 , G11B5/656
Abstract: 本文公开了垂直磁记录介质和磁记录/再现装置。一种垂直磁记录介质(10)，在垂直磁记录层(4)之下形成了一个内涂层(3)，它具有若干晶体颗粒和一种含有碳化物或硼化物的颗粒边界材料，在上述内涂层(3)之下形成了另一个内涂层(2)，它含有形成晶体颗粒的元素之一。通过进一步缩小垂直磁记录层(4)的颗粒尺寸，它能够进行高密度记录。
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公开(公告)号：CN1505006A
公开(公告)日：2004-06-16
申请号：CN200310118358.6
申请日：2003-11-25
IPC: G11B5/66
CPC classification number: G11B5/7325 , G11B5/656 , G11B5/84
Abstract: 本发明涉及垂直磁记录介质、其制造方法以及磁记录－再现装置，其中的垂直磁记录介质(10)包括在280－450℃下用磁层形成材料形成的垂直磁层(2)，所述磁层形成材料包含至少一种从包括钴、铂、铬、钼和钨的组中选择的添加成分，垂直磁层(2)构造为包括相互之间被晶粒边界分离开的多个磁晶粒，并且提供在晶粒边界中偏析所述添加成分的垂直磁层(2)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1802697B
公开(公告)日：2011-12-14
申请号：CN200480015635.3
申请日：2004-04-07
Abstract: 一种磁记录介质，其在非磁性基片上提供至少：取向控制层，用来控制直接形成于其上的层取向、垂直磁性层，具有取向基本垂直于非磁性基片的易磁化轴、以及保护层，垂直磁性层包括多个磁性层，其中包括上下接触的第一磁性层和第二磁性层，第一磁性层是主要成分为Co、还包含Pt且包含氧化物的下层，并且第二磁性层是主要成分为Co、还包含Cr且不包含氧化物的上层。下层具有散布在其中的磁性晶体颗粒，磁性晶体颗粒的周围离析出氧化物以对磁性晶体颗粒进行磁性隔离和精细划分，并且磁性晶体颗粒以柱状形式贯穿层，下层的柱状磁性晶体颗粒的上面外延生长有上层的磁性晶体颗粒且与其一对一、一对多或多对一对应。
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公开(公告)号：CN100505045C
公开(公告)日：2009-06-24
申请号：CN200480038388.9
申请日：2004-12-24
CPC classification number: G11B5/7325 , C23C14/0688 , C23C14/185 , G11B5/65 , G11B5/656 , G11B5/712 , G11B5/85
Abstract: 一种磁记录介质62，其中包括：衬底11；在衬底11上形成的底涂层13和14；以及磁记录层15，其包括磁性晶粒和包围所述晶粒的晶粒间界区域。晶粒间界区域包括钛氧化物，且磁记录层15中的钛氧化物的物质含量的比率为5mol%至15mol%之间，所述钛氧化物包括至少TiO和/或Ti2O3。
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公开(公告)号：CN100421155C
公开(公告)日：2008-09-24
申请号：CN200480027438.3
申请日：2004-09-22
Abstract: 通过使垂直磁记录层的结构更加精细，而使得可以进行高密度记录。垂直磁记录介质(10)包括在非磁性基底(1)上层叠的至少非磁性下层(2)、垂直磁性层(3)以及保护层，其中垂直磁性层包括铁磁性晶粒和非磁性晶粒间界区域，其中晶粒间界区域包括至少两种氧化物，其选自于：钇氧化物、钨氧化物、镁氧化物、铝氧化物、锆氧化物、铪氧化物、钛氧化物、铈氧化物、硅氧化物、铬氧化物、镍氧化物以及钽氧化物，其中所述磁性层的形成所述晶粒间界区域的氧化物含量为0.1mol%到30mol%。
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公开(公告)号：CN1275232C
公开(公告)日：2006-09-13
申请号：CN200410045124.8
申请日：2004-03-17
IPC: G11B5/708
Abstract: 本文公开的是一种磁记录介质，其包括一衬底(11)，一底层(13，14)，以及一垂直磁记录层(15)，其中这个垂直磁记录层包括磁性晶粒和环绕该磁性晶粒的基质，并且该基质包含从Zn，Cd，Al，Ga和In中选出的一种元素，以及从P，As，Sb，S，Se和Te中选出的一种元素。
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公开(公告)号：CN1802697A
公开(公告)日：2006-07-12
申请号：CN200480015635.3
申请日：2004-04-07
Abstract: 一种磁记录介质，其在非磁性基片1上提供至少：取向控制层3，用来控制直接形成于其上的层的取向、垂直磁性层4，具有取向基本垂直于非磁性基片1的易磁化轴、以及保护层5，其特征在于，垂直磁性层4包括两个或更多个磁性层，所述磁性层中的至少一个是主要成分为Co、还包含Pt且包含氧化物的层4a，并且所述磁性层的至少另一个是主要成分为Co、还包含Cr且不包含氧化物的层4b。
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