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公开(公告)号：CN114765236B
公开(公告)日：2024-12-10
申请号：CN202110811090.2
申请日：2021-07-19
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Inventor： 菅原秀人
Abstract: 本申请的实施方式的半导体发光装置具备半导体基板和发光层。上述发光层包含在上述半导体基板上交替层叠的量子阱层和阻挡层。上述量子阱层包含具有比上述半导体基板的晶格常数大的晶格常数的第一半导体混晶，并且具有第一应变率与其层厚之积的第一应变量。上述阻挡层包含具有比上述半导体基板的晶格常数小的晶格常数的第二混晶，并且具有第二应变率与其层厚之积的第二应变量。上述量子阱层及上述阻挡层以上述第一应变量比上述第二应变量大的方式设置。
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公开(公告)号：CN112420886B
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202010017050.6
申请日：2020-01-08
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Inventor： 菅原秀人
Abstract: 本发明的实施方式提供发光光谱的半值宽度窄并且长时间工作中的可靠性提高的半导体发光器件。实施方式的半导体发光器件具有基板和多量子阱层。上述多量子阱层设置于上述基板上，包含3个以上的InGaAs阱层和夹在2个InGaAs阱层中的多个势垒层。上述多个势垒层包含混晶比不同的至少2个区域或厚度不同的至少2个区域。
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公开(公告)号：CN110854197B
公开(公告)日：2024-01-02
申请号：CN201811621023.9
申请日：2018-12-28
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
Abstract: 实施方式的半导体装置具备：半导体部，包含第1导电型的第1半导体层和第2导电型的第2半导体层；第2电极，设置于上述半导体部的表面上的第1电极；及控制电极，设置于上述半导体部的内面上；设置于上述半导体部和上述第1电极之间。上述第2半导体层在沿上述半导体部的表面的第1方向上，位于上述第1半导体层的一部分和上述第1半导体层的其他的一部分之间。上述半导体部还包含，第2导电型的第3半导体层和第1导电型的第4半导体层。上述第3半导体层具有：位于上述第1半导体层的上述一部分中的第1端部；和位于上述第2半导体层中的第2端部，上述第4半导体层设置于上述第3半导体层的上述第2端部。
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公开(公告)号：CN114765236A
公开(公告)日：2022-07-19
申请号：CN202110811090.2
申请日：2021-07-19
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Inventor： 菅原秀人
Abstract: 本申请的实施方式的半导体发光装置具备半导体基板和发光层。上述发光层包含在上述半导体基板上交替层叠的量子阱层和阻挡层。上述量子阱层包含具有比上述半导体基板的晶格常数大的晶格常数的第一半导体混晶，并且具有第一应变率与其层厚之积的第一应变量。上述阻挡层包含具有比上述半导体基板的晶格常数小的晶格常数的第二混晶，并且具有第二应变率与其层厚之积的第二应变量。上述量子阱层及上述阻挡层以上述第一应变量比上述第二应变量大的方式设置。
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公开(公告)号：CN1351384A
公开(公告)日：2002-05-29
申请号：CN01135998.6
申请日：2001-10-31
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/16 , H01L33/0079 , H01L33/30
Abstract: 在使用GaP基板的半导体发光元件中,使GaP基板1和发光层7借助于p－InGaP构成的第一接合层2和由p－GaP构成的第二接合层3接合起来。由此,在用热处理使GaP基板1和发光层7接合时,可在500～700℃的温度下热处理,所以可减少发光层7的损坏,而且可避免工作电压的上升。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100587985C
公开(公告)日：2010-02-03
申请号：CN200710159720.2
申请日：2001-06-29
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/40 , H01L24/73 , H01L33/32 , H01L33/405 , H01L2224/05001 , H01L2224/05023 , H01L2224/0508 , H01L2224/05568 , H01L2224/05573 , H01L2224/16145 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/49107 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2924/01019 , H01L2924/12041 , H01L2924/3025 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2224/45099
Abstract: 提供一种半导体发光元件，可提高外部量子效率、降低动作电压并提高可靠性。该发光元件包括：半导体衬底；在所述半导体衬底上形成的第一导电类型的第一半导体层；在所述第一半导体层上形成的用来发光的活性层；在所述活性层上形成的第二导电类型的第二半导体层；与所述第二半导体层接触的第二电极；以及与所述半导体衬底接触的第一电极；其中：所述第一半导体层、所述活性层、所述第二半导体层在所述透明衬底的中央部位形成脊形部件。
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公开(公告)号：CN100459183C
公开(公告)日：2009-02-04
申请号：CN200410056639.8
申请日：2001-06-29
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/40 , H01L24/73 , H01L33/32 , H01L33/405 , H01L2224/05001 , H01L2224/05023 , H01L2224/0508 , H01L2224/05568 , H01L2224/05573 , H01L2224/16145 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/49107 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2924/01019 , H01L2924/12041 , H01L2924/3025 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2224/45099
Abstract: 提供一种半导体发光元件及其制造方法和半导体发光装置，可提高外部量子效率、降低动作电压并提高可靠性。该半导体发光元件包括：衬底；在衬底上形成的发光层，该发光层包括：第一导电类型的第一半导体层、在第一半导体层上形成的用来发光的活性层、以及在活性层上形成的第二导电类型的第二半导体层；与第二半导体层接触的第一电极；以及与第一半导体层接触的第二电极，第一电极包括：与第二半导体层欧姆接触的欧姆层、在欧姆层上形成的第一阻挡层、在第一阻挡层上形成的光反射层、在光反射层上形成的第二阻挡层、以及在第二阻挡层上形成的用来安装的覆盖电极；第一阻挡层包含与欧姆层不同的材料，光反射层包含与覆盖电极不同的材料。
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公开(公告)号：CN1591918A
公开(公告)日：2005-03-09
申请号：CN200410056639.8
申请日：2001-06-29
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/40 , H01L24/73 , H01L33/32 , H01L33/405 , H01L2224/05001 , H01L2224/05023 , H01L2224/0508 , H01L2224/05568 , H01L2224/05573 , H01L2224/16145 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/49107 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2924/01019 , H01L2924/12041 , H01L2924/3025 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2224/45099
Abstract: 提供一种半导体发光元件及其制造方法和半导体发光装置，可提高外部量子效率、降低动作电压并提高可靠性。该半导体发光元件包括：衬底；在衬底上形成的发光层，该发光层包括：第一导电类型的第一半导体层、在第一半导体层上形成的用来发光的活性层、以及在活性层上形成的第二导电类型的第二半导体层；与第二半导体层接触的第一电极；以及与第一半导体层接触的第二电极，第一电极包括：与第二半导体层欧姆接触的欧姆层、在欧姆层上形成的第一阻挡层、在第一阻挡层上形成的光反射层、在光反射层上形成的第二阻挡层、以及在第二阻挡层上形成的用来安装的覆盖电极；第一阻挡层包含与欧姆层不同的材料，光反射层包含与覆盖电极不同的材料。
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公开(公告)号：CN103000492A
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN201210068462.8
申请日：2012-03-15
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L21/0254 , H01L21/02381 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/0262 , H01L21/02658 , H01L33/007
Abstract: 依据一个实施方案，一种执着堆叠的氮化物半导体结构的方法包括在基材的第二表面上形成第一保护薄膜，在基材的第一表面上形成第一氮化物半导体层，在第一氮化物半导体层上形成第二保护薄膜，去除第一保护薄膜，露出基材的第二表面，在基材的第二表面上形成第二氮化物半导体层，和去除第二保护薄膜，露出第二氮化物半导体层的表面。
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公开(公告)号：CN1331244C
公开(公告)日：2007-08-08
申请号：CN03110224.7
申请日：2003-04-07
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/20 , H01L33/0079 , H01L33/16 , H01L33/22 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2924/10155 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种高亮度半导体元件及其制造方法。一种半导体元件的制造方法，具有以下步骤：在具有第1面和与第1面相对且面积比上述第1面小的第2面的GaP衬底的上述第1面上，形成发射能透过上述GaP衬底的波长λ的光的发光层；在上述GaP衬底，形成朝上述第2面变窄、相互以大致相等的角度倾斜的多个侧面；及在上述多个侧面形成高度不小于0.1λ、不大于3λ的多个凹凸。还提供一种通过该方法得到的半导体发光元件。
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